【技术实现步骤摘要】
本申请有关于一种连续式制程机构，特别是指一种双效电浆蚀刻的连续式制程机构。
技术介绍
1、电浆技术为在真空环境下，通以特定气体而配合电极所产生的外加能量来促使气体内的电子获得能量以使气体分子被电离，而产生电浆，并应用于物体的表面清洁、蚀刻、或镀膜。而传统应用于蚀刻方面的电浆制程设备，其具有高度蚀刻效率，但由于其精度较低，主要是应用于印刷电路板类型的清洁或蚀刻，或者使用于半导体制程中大幅度的蚀刻制程中。若欲进行奈米级精度的半导体制程、晶片制程，仍需使用传统蚀刻显影制程机台，其制程设备费用高昂，且将电浆应用于显影剂去除的蚀刻制程，需要考虑如何维持良好的真空度，并思考衡量生产效率和蚀刻精准度，来改善半导体大面积的蚀刻均匀度不佳的问题，可兼顾蚀刻效率和提高制程良率。
2、因此，如何解决上述问题成为本领域的一大课题。
技术实现思路
1、本申请的主要目的，在于改善过去电浆蚀刻机台蚀刻精准度低，难以使用于半导体制程中的问题。
2、前述目的并不妨碍其他目的的存在。若本领域技术人员自说明书、权利要求或附图等的记载可以导出的目的，也包括在本申请目的中。因此，本申请的目的不局限于前述列举的目的。
3、为达成上述目的，本申请提供一种双效电浆蚀刻的连续式制程机构，其用以对至少一基板进行电浆蚀刻处理，连续式制程机构包括一高速蚀刻真空腔体及一低速蚀刻真空腔体。高速蚀刻真空腔体包括一第一射频电浆模组，第一射频电浆模组用以对至少一基板进行高速电浆蚀刻；低速蚀刻真空腔体与高速蚀刻真
4、于本申请一较佳实施例中，还包括一设置于高速蚀刻真空腔体远离低速蚀刻真空腔体一侧的载入站，载入站输入至少一基板至高速蚀刻真空腔体。
5、于本申请一较佳实施例中，高速蚀刻真空腔体包括一相邻于载入站的载入闸门，低速蚀刻真空腔体包括一设于第二缓冲区远离载入站一侧的第一缓冲闸门。
6、于本申请一较佳实施例中，低速蚀刻真空腔体包括一设于第一缓冲区相邻高速蚀刻真空腔体一侧的第二缓冲闸门，第二缓冲闸门控制高速蚀刻真空腔体与低速蚀刻真空腔体的连通。
7、于本申请一较佳实施例中，高速蚀刻真空腔体内的压力值介于5x10-5托(torr)至1x10-1托之间，低速蚀刻真空腔体内的压力值介于1x10-7托(torr)至1x10-3托之间，且高速蚀刻真空腔体内的压力值会高于低速蚀刻真空腔体内的压力值。
8、于本申请一较佳实施例中，还包括一设置于低速蚀刻真空腔体远离高速蚀刻真空腔体一侧的制程设备，制程设备对至少一基板进行溅镀处理。
9、于本申请一较佳实施例中，高速蚀刻真空腔体包括一与第一射频电浆模组相对设置的第二射频电浆模组，第一射频电浆模组与第二射频电浆模组形成一电浆空间，而至少一基板于电浆空间进行高速电浆蚀刻。
10、于本申请一较佳实施例中，第一射频电浆模组及第二射频电浆模组分别是使用反应离子蚀刻及感应耦合电浆系统中的任一种。
11、于本申请一较佳实施例中，高速蚀刻真空腔体还包括一固定模组，固定模组设置于电浆空间，以固定至少一基板。
12、于本申请一较佳实施例中，高速蚀刻真空腔体包括一与第二射频电浆模组连接的位移模组，位移模组控制第二射频电浆模组带动至少一基板往第一射频电浆模组的方向移动，使第二射频电浆模组与固定模组固定至少一基板。
13、于本申请一较佳实施例中，线性电浆区内设有一第二线性电浆模组及一第三线性电浆模组，第一线性电浆模组、第二线性电浆模组及第三线性电浆模组依序设置于低速蚀刻真空腔体。
14、于本申请一较佳实施例中，还包括一承载板，承载板供放置至少一基板。
15、于本申请一较佳实施例中，高速蚀刻真空腔体包括一第一抽真空模组，第一抽真空模组对高速蚀刻真空腔体内进行抽真空。
16、于本申请一较佳实施例中，低速蚀刻真空腔体包括一第二抽真空模组，第二抽真空模组对低速蚀刻真空腔体内进行抽真空。
17、于本申请一较佳实施例中，第二抽真空模组具有两个，分别对应设置在第一缓冲区以及第二缓冲区。
18、于本申请一较佳实施例中，至少一基板为多个，这些基板至少包括一第一基板以及一第二基板，当第一基板位于低速蚀刻真空腔体内进行低速电浆蚀刻时，第二基板位于高速蚀刻真空腔体内进行高速电浆蚀刻。
19、借此，本申请有以下技术特点：
20、1. 本申请通过高速蚀刻真空腔体的第一射频电浆模组对基板进行高速蚀刻，可快速地取得深度蚀刻完成的基板；再以低速蚀刻真空腔体内的第一线性电浆模组对基板进行均匀且细致的蚀刻，进而得到细致蚀刻完成的基板，故能达到兼顾连续式制程机构的蚀刻效率与蚀刻基板表面细致度的目的。
21、2. 本申请的第一线性电浆模组为直流线性电极，其能均匀且细致地对基板进行蚀刻，以避免基板表面有粗糙度不同的问题。
22、3. 本申请通过基板来回移动于第一缓冲区、线性电浆区及第二缓冲区三者之间，使基板能完全的通过第一线性电浆模组，达到基板表面均匀蚀刻的目的。
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1.一种双效电浆蚀刻的连续式制程机构，其用以对至少一基板进行电浆蚀刻处理，其特征在于，该连续式制程机构包括：
2.根据权利要求1所述的双效电浆蚀刻的连续式制程机构，其特征在于，还包括一设置于该高速蚀刻真空腔体远离该低速蚀刻真空腔体一侧的载入站，该载入站输入至少一基板至该高速蚀刻真空腔体。
3.根据权利要求2所述的双效电浆蚀刻的连续式制程机构，其特征在于，该高速蚀刻真空腔体包括一相邻于该载入站的载入闸门，该低速蚀刻真空腔体包括一设于该第二缓冲区远离该载入站一侧的第一缓冲闸门。
4.根据权利要求3所述的双效电浆蚀刻的连续式制程机构，其特征在于，该低速蚀刻真空腔体包括一设于该第一缓冲区相邻该高速蚀刻真空腔体一侧的第二缓冲闸门，该第二缓冲闸门控制该高速蚀刻真空腔体与该低速蚀刻真空腔体的连通。
5.根据权利要求4所述的双效电浆蚀刻的连续式制程机构，其特征在于，该高速蚀刻真空腔体内的压力值介于5x10-5托至1x10-1托之间，该低速蚀刻真空腔体内的压力值介于1x10-7托至1x10-3托之间，且该高速蚀刻真空腔体内的压力值会高于该低速蚀刻真空
6.根据权利要求1所述的双效电浆蚀刻的连续式制程机构，其特征在于，还包括一设置于该低速蚀刻真空腔体远离该高速蚀刻真空腔体一侧的制程设备，该制程设备对至少一基板进行溅镀处理。
7.根据权利要求1所述的双效电浆蚀刻的连续式制程机构，其特征在于，该高速蚀刻真空腔体包括一与该第一射频电浆模组相对设置的第二射频电浆模组，该第一射频电浆模组与该第二射频电浆模组形成一电浆空间，而至少一基板于该电浆空间进行高速电浆蚀刻。
8.根据权利要求7所述的双效电浆蚀刻的连续式制程机构，其特征在于，该第一射频电浆模组及该第二射频电浆模组分别是使用反应离子蚀刻系统及感应耦合电浆系统中的任一种。
9.根据权利要求7所述的双效电浆蚀刻的连续式制程机构，其特征在于，该高速蚀刻真空腔体还包括一固定模组，该固定模组设置于该电浆空间，以固定至少一基板。
10.根据权利要求9所述的双效电浆蚀刻的连续式制程机构，其特征在于，该高速蚀刻真空腔体包括一与该第二射频电浆模组连接的位移模组，该位移模组控制该第二射频电浆模组带动至少一基板往该第一射频电浆模组的方向移动，使该第二射频电浆模组与该固定模组固定至少一基板。
11.根据权利要求1所述的双效电浆蚀刻的连续式制程机构，其特征在于，该线性电浆区内设有一第二线性电浆模组及一第三线性电浆模组，该第一线性电浆模组、该第二线性电浆模组及该第三线性电浆模组依序设置于该低速蚀刻真空腔体。
12.根据权利要求1所述的双效电浆蚀刻的连续式制程机构，其特征在于，还包括一承载板，该承载板供放置至少一基板。
13.根据权利要求1所述的双效电浆蚀刻的连续式制程机构，其特征在于，该高速蚀刻真空腔体包括对该高速蚀刻真空腔体内进行抽真空的一第一抽真空模组。
14.根据权利要求1所述的双效电浆蚀刻的连续式制程机构，其特征在于，该低速蚀刻真空腔体包括对该低速蚀刻真空腔体内进行抽真空的一第二抽真空模组。
15.根据权利要求14所述的双效电浆蚀刻的连续式制程机构，其特征在于，该第二抽真空模组具有两个，分别对应设置在该第一缓冲区以及该第二缓冲区。
16.根据权利要求1所述的双效电浆蚀刻的连续式制程机构，其特征在于，至少一基板为多个，这些基板至少包括一第一基板以及一第二基板，当该第一基板位于该低速蚀刻真空腔体内进行低速电浆蚀刻时，该第二基板位于该高速蚀刻真空腔体内进行高速电浆蚀刻。
...【技术特征摘要】
1.一种双效电浆蚀刻的连续式制程机构，其用以对至少一基板进行电浆蚀刻处理，其特征在于，该连续式制程机构包括：
2.根据权利要求1所述的双效电浆蚀刻的连续式制程机构，其特征在于，还包括一设置于该高速蚀刻真空腔体远离该低速蚀刻真空腔体一侧的载入站，该载入站输入至少一基板至该高速蚀刻真空腔体。
3.根据权利要求2所述的双效电浆蚀刻的连续式制程机构，其特征在于，该高速蚀刻真空腔体包括一相邻于该载入站的载入闸门，该低速蚀刻真空腔体包括一设于该第二缓冲区远离该载入站一侧的第一缓冲闸门。
4.根据权利要求3所述的双效电浆蚀刻的连续式制程机构，其特征在于，该低速蚀刻真空腔体包括一设于该第一缓冲区相邻该高速蚀刻真空腔体一侧的第二缓冲闸门，该第二缓冲闸门控制该高速蚀刻真空腔体与该低速蚀刻真空腔体的连通。
5.根据权利要求4所述的双效电浆蚀刻的连续式制程机构，其特征在于，该高速蚀刻真空腔体内的压力值介于5x10-5托至1x10-1托之间，该低速蚀刻真空腔体内的压力值介于1x10-7托至1x10-3托之间，且该高速蚀刻真空腔体内的压力值会高于该低速蚀刻真空腔体内的压力值。
6.根据权利要求1所述的双效电浆蚀刻的连续式制程机构，其特征在于，还包括一设置于该低速蚀刻真空腔体远离该高速蚀刻真空腔体一侧的制程设备，该制程设备对至少一基板进行溅镀处理。
7.根据权利要求1所述的双效电浆蚀刻的连续式制程机构，其特征在于，该高速蚀刻真空腔体包括一与该第一射频电浆模组相对设置的第二射频电浆模组，该第一射频电浆模组与该第二射频电浆模组形成一电浆空间，而至少一基板于该电浆空间进行高速电浆蚀刻。
8.根据权利要求7所述的双效电浆蚀刻的连续式制程机构，其特征在于，该第一射频电浆模组及该第二射频电浆...
【专利技术属性】
技术研发人员：李原吉，刘品均，蔡明展，
申请(专利权)人：友威科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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