【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光刻胶，尤其是涉及一种krf负性光刻胶及其制备方法和图案化方法。
技术介绍
1、光刻胶按照成像的原理分为正性光刻胶和负性光刻胶。其中，曝光区域在显影液中的溶解速率由慢变快，而非曝光区域在显影液中的溶解依然很慢，最终非曝光区域留在基板上的光刻胶被称为正性光刻胶；而曝光区域在显影液中的溶解速率由快变慢，非曝光区域在显影液中的溶解速率依然很快，最终曝光区域留在基板上的光刻胶被称为负性光刻胶。
2、相比于正性光刻胶，负性光刻胶由于具有良好的粘附性、更高的耐热性能以及更好的耐刻蚀性能而被广泛关注。按照曝光光源的不同，负性光刻胶包括宽谱负胶(环化橡胶体系)，g、i线负胶(酚醛树脂体系化学放大负胶)、krf负胶(聚对羟基苯乙烯化学放大体系)和arf负胶(丙烯酸树脂化学放大体系)。
3、剥离工艺(又称lift off工艺)，是指通过蒸镀法在基片上引入金属电极的工艺，其工艺流程为：首先将光刻胶涂布在基片上，经过曝光、显影后得到图形；之后将有光刻胶图形的基片进行金属的溅射蒸镀，没有光刻胶保护的部分金属可以溅射到基片上，有光刻胶保护的部分金属溅射到光刻胶上；溅射完成后将基片放入剥离液中进行剥离，光刻胶及其表面的金属被剥离掉，这样就在基片的设定区域中引入了金属电极。
4、为实现在光刻胶剥离时剥离液可以与光刻胶发生反应，并且快速将光刻胶及其表面的金属去除，剥离工艺使用的光刻胶一般都被设计成具有倒梯形形貌的光刻胶，如图1所示。
5、arf负胶难以实现倒梯形形貌，而krf负性光刻胶目前的分辨率一般
6、有鉴于此，特提出本专利技术。
技术实现思路
1、本专利技术的一个目的在于提供krf负性光刻胶，以解决现有技术中存在的在liftoff工艺中krf负性光刻胶的分辨率较低的技术问题。
2、本专利技术的另一目的在于提供krf负性光刻胶的制备方法。
3、本专利技术的又一目的在于提供krf负性光刻胶的图案化方法。
4、为了实现本专利技术的上述目的，本专利技术一方面提供了krf负性光刻胶，包括按质量百分数计的如下组分：
5、对羟基苯乙烯-苯乙烯共聚物树脂10％～30％、产酸剂0.1％～5％、交联剂0.8％～5％和溶剂70％～90％；
6、所述交联剂包括醚化的多苯基交联剂和/或醚化的三聚氰胺类交联剂；
7、所述产酸剂包括二芳基碘鎓盐和/或三芳基硫鎓盐；
8、所述二芳基碘鎓盐具有如下结构通式：
9、r1和r2各自独立地选自h、c1～c4烷基和c1～c4烷氧基中的至少一种，r3选自三氟甲基、对甲苯基和对三氟甲基苯基中的至少一种；
10、所述三芳基硫鎓盐具有如下结构通式：
11、r4、r6和r6各自独立地选自h、c1～c4烷基和c1～c4烷氧基中的至少一种，r7选自三氟甲基、对甲苯基和对三氟甲基苯基中的至少一种。
12、在本专利技术的具体实施方式中，所述醚化的多苯基交联剂具有如下结构：
13、
14、在本专利技术的具体实施方式中，所述醚化的三聚氰胺类交联剂具有如下结构：
15、
16、在本专利技术的具体实施方式中，所述对羟基苯乙烯-苯乙烯共聚物树脂具有如下结构通式：
17、m与n之比为(70～90)﹕(30～10)。
18、在本专利技术的具体实施方式中，所述对羟基苯乙烯-苯乙烯共聚物树脂的重均分子量为3000～6000。
19、在本专利技术的具体实施方式中，所述krf负性光刻胶还包括按质量百分数计的如下组分：含氮碱性化合物0％～0.2％和流平剂0％～0.2％。进一步地，所述krf负性光刻胶还包括按质量百分数计的如下组分：含氮碱性化合物0.05％～0.2％和流平剂0.05％～0.2％。
20、在本专利技术的具体实施方式中，所述含氮碱性化合物包括烷基胺、烷基醇胺、氢氧化烷基铵、烷氧基烷基胺、环状胺和聚合物胺中的至少一种。
21、在本专利技术的具体实施方式中，所述流平剂为含硅流平剂。
22、在本专利技术的具体实施方式中，所述krf负性光刻胶还包括按质量百分数计的敏化剂0.1％～0.5％。进一步地，所述敏化剂包括9-蒽甲醇。
23、在本专利技术的具体实施方式中，所述溶剂包括丙二醇甲醚醋酸酯、2-庚酮、醋酸丁酯和乳酸乙酯中的至少一种。
24、在本专利技术的具体实施方式中，所述krf负性光刻胶，包括按质量百分数计的如下组分：
25、对羟基苯乙烯-苯乙烯共聚物树脂10％～30％、产酸剂0.2％～2％、交联剂0.8％～5％、含氮碱性化合物0.05％～0.2％、流平剂0.05％～0.2％、敏化剂0.1％～0.5％和溶剂70％～90％。
26、在本专利技术的具体实施方式中，所述krf负性光刻胶，包括按质量百分数计的如下组分：
27、对羟基苯乙烯-苯乙烯共聚物树脂10％～30％、产酸剂0.2％～0.75％、交联剂0.8％～5％、含氮碱性化合物0.05％～0.2％、流平剂0.05％～0.2％、敏化剂0.1％～0.5％和溶剂70％～90％。
28、本专利技术另一方面提供了上述任意一种所述krf负性光刻胶的制备方法，包括如下步骤：将各组分按比例混合均匀。
29、本专利技术又一方面提供了一种图案化方法，包括如下步骤：
30、将上述任意一种所述的光刻胶在基片上形成光刻胶层，采用波长为248nm的光源通过掩膜版对所述光刻胶层进行曝光，然后显影形成光刻胶图案。
31、与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：
32、本专利技术通过使用对羟基苯乙烯-苯乙烯共聚物树脂、产酸剂、交联剂和溶剂组分的组合，并采用合适的比例，能够得到具有超高分辨率、倒梯形形貌的krf负性光刻胶，可将应用于lift off工艺制程的krf负性光刻胶的分辨率提高至140nm。
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1.KrF负性光刻胶，其特征在于，包括：包括按质量百分数计的如下组分：
2.根据权利要求1所述的KrF负性光刻胶，其特征在于，所述醚化的多苯基交联剂具有如下结构：
3.根据权利要求1所述的KrF负性光刻胶，其特征在于，所述对羟基苯乙烯-苯乙烯共聚物树脂具有如下结构通式：
4.根据权利要求1所述的KrF负性光刻胶，其特征在于，所述对羟基苯乙烯-苯乙烯共聚物树脂的重均分子量为3000～6000。
5.根据权利要求1所述的KrF负性光刻胶，其特征在于，所述KrF负性光刻胶还包括按质量百分数计的如下组分：含氮碱性化合物0％～0.2％和流平剂0％～0.2％；
6.根据权利要求5所述的KrF负性光刻胶，其特征在于，所述含氮碱性化合物包括烷基胺、烷基醇胺、氢氧化烷基铵、烷氧基烷基胺、环状胺和聚合物胺中的至少一种；
7.根据权利要求1所述的KrF负性光刻胶，其特征在于，所述KrF负性光刻胶还包括按质量百分数计的敏化剂0.1％～0.5％；
8.根据权利要求1～7任一项所述的KrF负性光刻胶，其特征在于，包括按质量百
9.权利要求1～8任一项所述的KrF负性光刻胶的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将各组分按比例混合均匀。
10.一种图案化方法，其特征在于，包括如下步骤：将权利要求1～8任一项所述的KrF负性光刻胶在基片上形成光刻胶层，采用波长为248nm的光源通过掩膜版对所述光刻胶层进行曝光，然后显影形成光刻胶图案。
...【技术特征摘要】
1.krf负性光刻胶，其特征在于，包括：包括按质量百分数计的如下组分：
2.根据权利要求1所述的krf负性光刻胶，其特征在于，所述醚化的多苯基交联剂具有如下结构：
3.根据权利要求1所述的krf负性光刻胶，其特征在于，所述对羟基苯乙烯-苯乙烯共聚物树脂具有如下结构通式：
4.根据权利要求1所述的krf负性光刻胶，其特征在于，所述对羟基苯乙烯-苯乙烯共聚物树脂的重均分子量为3000～6000。
5.根据权利要求1所述的krf负性光刻胶，其特征在于，所述krf负性光刻胶还包括按质量百分数计的如下组分：含氮碱性化合物0％～0.2％和流平剂0％～0.2％；
6.根据权利要求5所述的krf负性光刻胶，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：于晓伟，刁翠梅，詹捷，李冰，张良，刘新娅，董栋，张宁，
申请(专利权)人：北京科华微电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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