【技术实现步骤摘要】
本文所述的实施例总体上涉及目标处理设备和目标处理方法。
技术介绍
1、近年来，已知用于使用目标处理设备(例如目标基板设备)对目标的表面进行处理的技术。
技术实现思路
1、实施例提供了一种用于降低目标的表面的粗糙度的技术。
2、一实施例提供了一种目标处理方法，包括：
3、将目标移入处理室中；
4、使用包括碳的第一离子和包括碳的第一等离子体中的至少一者在目标上形成包括碳的膜；以及
5、通过第二等离子体与膜之间的反应去除膜，
6、其中，在不从处理室去除目标的情况下，在处理室中交替地多次执行膜的形成和膜的去除。
7、一个实施例提供了一种目标处理设备，包括：
8、处理室；
9、第一供应源，其配置为供应包括碳的第一离子或包括碳的第一气体中的至少一者；
10、第二供应源，其配置为由第二气体生成第二等离子体；
11、输送单元，其配置为将目标传送到处理室中；以及
12、控制设备...
【技术保护点】
1.一种目标处理方法，包括：
2.根据权利要求1所述的目标处理方法，其中，所述膜的形成包括：将包括碳的第一气体引入所述处理室中，通过将第一电压供应至所述处理室而由所述第一气体生成所述第一等离子体，使用所述第一等离子体在所述目标上形成所述膜，以及随后停止所述第一电压的供应及所述第一气体的引入。
3.根据权利要求2所述的目标处理方法，其中，所述第一电压的电位按照正电位、零电位和负电位的顺序切换。
4.根据权利要求1所述的目标处理方法，其中，所述膜的形成包括：通过电弧放电由碳源生成所述第一离子，将所述第一离子引入所述处理室中，使用所述第一...
【技术特征摘要】
1.一种目标处理方法，包括：
2.根据权利要求1所述的目标处理方法，其中，所述膜的形成包括：将包括碳的第一气体引入所述处理室中，通过将第一电压供应至所述处理室而由所述第一气体生成所述第一等离子体，使用所述第一等离子体在所述目标上形成所述膜，以及随后停止所述第一电压的供应及所述第一气体的引入。
3.根据权利要求2所述的目标处理方法，其中，所述第一电压的电位按照正电位、零电位和负电位的顺序切换。
4.根据权利要求1所述的目标处理方法，其中，所述膜的形成包括：通过电弧放电由碳源生成所述第一离子，将所述第一离子引入所述处理室中，使用所述第一离子在所述目标上形成所述膜，以及随后停止所述第一离子的引入。
5.根据权利要求1所述的目标处理方法，其中，所述膜的去除包括：将第二气体引入所述处理室中，通过将第二电压供应至所述处理室而由所述第二气体生成所述第二等离子体，通过所述第二等离子体与所述膜之间的化学反应去除所述膜，以及随后停止所述第二电压的供应及所述第二气体的引入。
6.根据权利要求1所述的目标处理方法，其中，所述膜的去除包括：将在远程等离子体源中由第二气体生成的所述第二等离子体引入到所述处理室中，通过所述第二等离子体与所述膜之间的化学反应去除所述膜，以及随后停止所述第二等离子体的引入。
7.根据权利要求1所述的目标处理方法，其中，所述膜为非晶碳膜。
8.根据权利要求1所述的目标处理方法，其中，所述膜的形成通过将铁磁体定位在所述目标下方来执行，所述铁磁体在大致平行于所述目标的底面的方向上具有单极性。...
【专利技术属性】
技术研发人员：本川刚治，樱井典子，樱井秀昭，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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