【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体材料，尤指一种氧化铟锡透明导电薄膜的制备方法。
技术介绍
1、氧化铟锡（ito）是一种功能性材料，由铟（in）和锡（sn）元素组成，具有优异的透明性、导电性和光学性能。氧化铟锡的研究始于对新型半导体材料的探索。通过调控铟和锡的比例和掺杂等方法，可以调整氧化铟锡的电子结构和导电性能。氧化铟锡薄膜具有高透明度和低电阻率的特点，是制备透明电极的理想材料，广泛应用于液晶显示器、有机光电器件、太阳能电池等领域。氧化铟锡薄膜还用于制备薄膜晶体管，是显示器、触摸屏等平面显示设备的关键组件之一。与传统的非晶硅薄膜晶体管相比，氧化铟锡薄膜晶体管具有更高的电子迁移率和更好的开关特性，从而实现了更快的响应速度和更高的图像质量。此外，氧化铟锡薄膜还可用于制备光传感器、光催化剂等器件，应用于环境监测、光催化反应等领域。
2、氧化铟锡薄膜的制备方法主要包括磁控溅射法、物理气相沉积（pvd）、化学气相沉积（cvd）和原子层沉积(ald)等。由于ald技术表面化学反应具有自限性，使沉积薄膜具有厚度均匀、致密度高、保形性好和低温沉积的特点...
【技术保护点】
1.一种氧化铟锡透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氧化铟的振荡循环沉积的具体步骤为：
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氧化锡的循环沉积的具体步骤为：
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，
6.根据权利要求1-5任一所述的制备方法，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，
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