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一种氧化铟锡透明导电薄膜的制备方法，采用SALD技术在预清洗的玻璃衬底表面通过振荡运动循环沉积氧化铟和氧化锡，得到高质量的氧化铟锡薄膜。所述空间型原子层沉积技术采用的铟前驱体为三甲基铟或三乙基铟，锡前驱体为四丁基锡或四(二甲氨基)锡，氧前驱...
该专利属于理想晶延半导体设备（上海）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过理想晶延半导体设备（上海）股份有限公司授权不得商用。

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