【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，更具体地说，涉及一种声表面波谐振器及其制备方法、滤波器。
技术介绍
1、saw(surface acoustic wave，声表面波)谐振器是声表面波谐振器的简称，是一种利用其压电效应和声表面波传播的物理特性而制成的一种滤波专用器件，广泛应用于各种各样的领域中，例如射频领域。其中声表面波是一种能量集中在表面附近的弹性波。
2、在目前的声表面波产品设计中，由于声表面波谐振器横向传播的声波导致的声表面波谐振器出现横向模式，或者电极指条激发出主声学模式之外的其它谐振模式，体现在声表面波谐振器通带内及附近的杂波，该杂波会降低声表面波谐振器的性能。
3、那么，如何提高声表面波谐振器的性能，就是现今谐振器设计中的重中之重。
技术实现思路
1、有鉴于此，为解决上述问题，本专利技术提供一种声表面波谐振器及其制备方法、滤波器，技术方案如下：
2、一种声表面波谐振器，所述声表面波谐振器包括：
3、基板；
4、位于所述基板一侧的叉指电极；所述叉指电极包括汇流条，所述汇流条包括在第一方向上相对设置的第一汇流条和第二汇流条，以及位于所述第一汇流条上的第一电极指条和位于所述第二汇流条上的第二电极指条；所述第一汇流条和第二汇流条的长度延伸方向相同，均沿第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向平行于所述基板所在平面，且所述第一方向和所述第二方向相交；
5、位于所述叉指电极背离所述基板一侧的介质层，所述介质层在所述基板
6、位于所述介质层背离所述基板一侧的导热层；所述导热层具有去除区域，所述去除区域包括第一凹槽区域和第二凹槽区域，所述第一凹槽区域位于所述第一汇流条面向所述第二汇流条的一侧，所述第二凹槽区域位于所述第二汇流条面向所述第一汇流条的一侧，所述第一凹槽区域在所述基板所在平面上的正投影至少覆盖所述第二电极指条的末端区域在所述基板所在平面上的正投影，且沿所述第二方向延伸，所述第二凹槽区域在所述基板所在平面上的正投影至少覆盖所述第一电极指条的末端区域在所述基板所在平面上的正投影，且沿所述第二方向延伸。
7、优选的，在上述声表面波谐振器中，所述第一凹槽区域在所述第一方向上的宽度范围为1λ-1.5λ；
8、所述第二凹槽区域在所述第一方向上的宽度范围为1λ-1.5λ；
9、其中，λ表示所述声表面波谐振器的声表面波的波长。
10、优选的，在上述声表面波谐振器中，所述导热层包括第一导热层；
11、所述第一凹槽区域贯穿所述第一导热层，所述第二凹槽区域贯穿所述第一导热层。
12、优选的，在上述声表面波谐振器中，所述第一导热层的材料为aln材料、si材料、sic材料、金刚石材料、石英材料、蓝宝石材料或sin材料。
13、优选的，在上述声表面波谐振器中，所述导热层还包括：
14、位于所述第一导热层背离所述基板一侧的第二导热层。
15、优选的，在上述声表面波谐振器中，所述第二导热层的材料为sin材料。
16、优选的，在上述声表面波谐振器中，所述第一凹槽区域同时贯穿所述第一导热层和所述第二导热层，所述第二凹槽区域同时贯穿所述第一导热层和所述第二导热层。
17、优选的，在上述声表面波谐振器中，所述第一凹槽区域贯穿所述第二导热层，暴露出所述第一导热层的部分表面；所述第二凹槽区域贯穿所述第二导热层，暴露出所述第一导热层的部分表面。
18、优选的，在上述声表面波谐振器中，所述声表面波谐振器还包括：
19、位于所述第一汇流条上的多条第一假电极指条，位于所述第二汇流条上的多条第二假电极指条，所述第一假电极指条的长度延伸方向与所述第一方向平行，所述第二假电极指条的长度延伸方向与所述第一方向平行。
20、优选的，在上述声表面波谐振器中，所述导热层的去除区域还包括第三凹槽区域和第四凹槽区域；
21、所述第三凹槽区域位于所述第一凹槽区域和所述第一汇流条之间，所述第四凹槽区域位于所述第二凹槽区域和所述第二汇流条之间，所述第三凹槽区域在所述基板所在平面上的正投影至少覆盖所述第一假电极指条在所述基板所在平面上的正投影，且沿所述第二方向延伸，所述第四凹槽区域在所述基板所在平面上的正投影至少覆盖所述第二假电极指条在所述基板所在平面上的正投影，且沿所述第二方向延伸。
22、优选的，在上述声表面波谐振器中，位于所述叉指电极沿所述第二方向的至少一端的反射栅；
23、所述导热层在所述基板所在平面上的正投影还覆盖所述反射栅在所述基板所在平面上的正投影。
24、优选的，在上述声表面波谐振器中，所述去除区域还延伸至所述反射栅所在区域。
25、优选的，在上述声表面波谐振器中，所述导热层的去除区域面向所述汇流条一侧的边界投影线条与目标线条平行，所述目标线条为电极指条末端连线形成的虚拟线条。
26、优选的，在上述声表面波谐振器中，所述导热层的去除区域在所述第一方向上的宽度沿所述第二方向呈线性变化、非线性变化或阶梯变化。
27、优选的，在上述声表面波谐振器中，所述导热层的去除区域在所述第一方向上的宽度从所述叉指电极的一端至另一端的方向上先减小后增大；
28、或，
29、所述导热层的去除区域在所述第一方向上的宽度从所述叉指电极的一端至另一端的方向上先增大后减小。
30、本申请还提供了一种声表面波谐振器的制备方法，所述声表面波谐振器的制备方法包括：
31、提供一基板；
32、在所述基板上形成叉指电极；所述叉指电极包括汇流条，所述汇流条包括在第一方向上相对设置的第一汇流条和第二汇流条，以及位于所述第一汇流条上的第一电极指条和位于所述第二汇流条上的第二电极指条；所述第一汇流条和所述第二汇流条的长度延伸方向相同，均沿第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向平行于所述基板所在平面，且所述第一方向和所述第二方向相交；
33、在所述叉指电极背离所述基板的一侧形成介质层；
34、在所述介质层背离所述基板的一侧形成导热层；
35、对所述导热层进行图形化处理使所述导热层具有去除区域，所述去除区域包括第一凹槽区域和第二凹槽区域，所述第一凹槽区域位于所述第一汇流条面向所述第二汇流条的一侧，所述第二凹槽区域位于所述第二汇流条面向所述第一汇流条的一侧，所述第一凹槽区域在所述基板所在平面上的正投影至少覆盖所述第二电极指条的末端区域在所述基板所在平面上的正投影，且沿所述第二方向延伸，所述第二凹槽区域在所述基板所在平面上的正投影至少覆盖所述第一电极指条的末端区域在所述基板所在平面上的正投影，且沿所述第二方向延伸。
36、本申请还提供了一种滤波器，所述滤波器包括上述任一项所述的声表面波谐振器。
37、相较于现有技术本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种声表面波谐振器，其特征在于，所述声表面波谐振器包括：
2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一凹槽区域在所述第一方向上的宽度范围为1λ-1.5λ；
3.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述导热层包括第一导热层；
4.根据权利要求3所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一导热层的材料为AlN材料、Si材料、SiC材料、金刚石材料、石英材料、蓝宝石材料或SiN材料。
5.根据权利要求3所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述导热层还包括：
6.根据权利要求5所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第二导热层的材料为SiN材料。
7.根据权利要求5所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一凹槽区域同时贯穿所述第一导热层和所述第二导热层，所述第二凹槽区域同时贯穿所述第一导热层和所述第二导热层。
8.根据权利要求5所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一凹槽区域贯穿所述第二导热层，暴露出所述第一导热层的部分表面；所述第二凹槽区域贯穿所述第二导热层，暴露出所述第一导
9.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述声表面波谐振器还包括：
10.根据权利要求9所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述导热层的去除区域还包括第三凹槽区域和第四凹槽区域；
11.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，位于所述叉指电极沿所述第二方向的至少一端的反射栅；
12.根据权利要求11所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述去除区域还延伸至所述反射栅所在区域。
13.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述导热层的去除区域面向所述汇流条一侧的边界投影线条与目标线条平行，所述目标线条为电极指条末端连线形成的虚拟线条。
14.根据权利要求1-13任一项所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述导热层的去除区域在所述第一方向上的宽度沿所述第二方向呈线性变化、非线性变化或阶梯变化。
15.根据权利要求14所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述导热层的去除区域在所述第一方向上的宽度从所述叉指电极的一端至另一端的方向上先减小后增大；
16.一种声表面波谐振器的制备方法，其特征在于，所述声表面波谐振器的制备方法包括：
17.一种滤波器，其特征在于，所述滤波器包括权利要求1-15任一项所述的声表面波谐振器。
...【技术特征摘要】
1.一种声表面波谐振器，其特征在于，所述声表面波谐振器包括：
2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一凹槽区域在所述第一方向上的宽度范围为1λ-1.5λ；
3.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述导热层包括第一导热层；
4.根据权利要求3所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一导热层的材料为aln材料、si材料、sic材料、金刚石材料、石英材料、蓝宝石材料或sin材料。
5.根据权利要求3所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述导热层还包括：
6.根据权利要求5所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第二导热层的材料为sin材料。
7.根据权利要求5所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一凹槽区域同时贯穿所述第一导热层和所述第二导热层，所述第二凹槽区域同时贯穿所述第一导热层和所述第二导热层。
8.根据权利要求5所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一凹槽区域贯穿所述第二导热层，暴露出所述第一导热层的部分表面；所述第二凹槽区域贯穿所述第二导热层，暴露出所述第一导热层的部分表面。
9.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述声...
【专利技术属性】
技术研发人员：高安明，路晓明，姜伟，
申请(专利权)人：浙江星曜半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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