【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及射频有源放大器，尤其涉及一种基于有源栅压调控的放大器温度补偿电路。
技术介绍
1、在微波系统应用中，放大器件需要适应各种复杂的工作环境，如应用于特定场合的元器件工作温度范围达-55℃～125℃，这就需要放大器在大温度跨度内保持晶体管偏置点的稳定，从而将增益、1db压缩点、噪声系数、输出功率等各项指标的变化量控制在较小的波动范围。在线性工作区，由于场效应晶体管的大部分本征参数(如漏极电流、跨导、阈值电压、电子迁移速率等)与温度呈负相关，这些因素共同作用导致了放大器随温度升高而表现出增益降低的趋势。而多级放大器对温度变化尤其敏感，所以放大器的温度增益补偿技术已成为当今mmic研究中的重要课题。
2、目前，在组件级温度补偿设计中，通常对放大链路级联额外的温补衰减器，然而这种方法只能弥补增益变化量，无法改善由于工作点随温度偏移而导致的其他性能缺陷。因此，当前的需求是对放大器芯片本身的偏置点进行温度补偿。单片放大器温度增益补偿的理论可归结为稳定漏极电流或补偿栅极电压，而在现有文献中，补偿方法大多局限于温补偏置元件或放大器反馈回路的设计，电路结构较为复杂。
技术实现思路
1、专利技术目的：本专利技术的目的是提供一种基于有源栅压调控的放大器温度补偿电路，在保证放大管静态工作点的前提下，实现放大管的高低温增益补偿，温度适应能力强。
2、技术方案：本专利技术基于有源栅压调控的放大器温度补偿电路，包括hemt d放大管、与hemt d放大管源极串接的hemt e放
3、所述第一电阻串联于hemt e放大管漏极与hemt d放大管源极之间，用于防止温度过高时电流过大；
4、所述第二电阻一端连接hemt d放大管源极、另一端连接hemt e放大管源极，用于防止温度过低时电流过小导致管子夹断；
5、hemt e放大管栅极与电源连接，hemt e放大管源极接地。
6、进一步，所述hemt e放大管栅极经第三分压电阻与+5v电源相接，第四分压电阻与第三分压电阻串联，第四分压电阻的一端连接hemt e放大管栅极、另一端接地。
7、进一步，所述hemt d放大管为自偏结构或双偏结构。
8、本专利技术与现有技术相比，其显著效果如下：
9、1、本专利技术采用hemt e放大管代替自偏放大管的源极电阻，在保证放大管静态工作点的前提下，随温度调节自偏放大管的栅压，从而实现放大管的高低温增益补偿；
10、2、本专利技术在自偏放大管源极电路中串联第一电阻r1，用于防止温度过高时电流过大；同时在hemt e放大管源极电路中并联第二电阻r2，用于防止温度过低时电流过小而导致管子夹断；
11、3、本专利技术对各类型hemt晶体管放大器均适用，且本专利技术在自偏放大管源极使用的hemt d管电路适用于自偏、双偏的结构；
12、4、本专利技术提出的用于自偏置放大管的源极增益补偿结构，省去了开关及温度敏感器件的引入，且不需添加反馈回路，对整体放大器设计影响较小，具有原理清晰、实现方式简单，且温度适应能力强的优点。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种基于有源栅压调控的放大器温度补偿电路，其特征在于，包括HEMT D放大管(T1)、与HEMT D放大管源极(S1)串接的HEMT E放大管(T2)、第一电阻(R1)和第二电阻(R2)；HEMT D放大管栅极(G1)接地，HEMT D放大管T1源极(S1)连接HEMT E放大管漏极(D2)；
2.根据权利要求1所述基于有源栅压调控的放大器温度补偿电路，其特征在于，所述HEMT E放大管栅极(G2)经第三分压电阻(R3)与+5V电源相接，第四分压电阻(R4)与第三分压电阻(R3)串联，第四分压电阻(R4)的一端连接HEMT E放大管栅极(G2)、另一端接地。
3.根据权利要求-2任一项所述基于有源栅压调控的放大器温度补偿电路，其特征在于，所述HEMT D放大管(T1)为自偏结构或双偏结构。
【技术特征摘要】
1.一种基于有源栅压调控的放大器温度补偿电路，其特征在于，包括hemt d放大管(t1)、与hemt d放大管源极(s1)串接的hemt e放大管(t2)、第一电阻(r1)和第二电阻(r2)；hemt d放大管栅极(g1)接地，hemt d放大管t1源极(s1)连接hemt e放大管漏极(d2)；
2.根据权利要求1所述基于有源栅压调控的放大器温度补...
【专利技术属性】
技术研发人员：闫俊达，李建平，周强，濮天姣，王维波，陶洪琪，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：
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