【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路领域，特别涉及一种模拟开关。
技术介绍
1、模拟开关是一种能使模拟信号通过或阻断，主要用于模拟信号与数字控制的接口。随着近年来集成电路的发展，模拟开关的开关性能有了很大的提高，可以工作在非常低的工作电压，具有具有较低的导通电阻、很小的封装尺寸，被广泛用于测试设备、通讯产品、以及多媒体系统等。
2、目前传输门电路作为模拟开关，所述模拟开关包括并联连接的pmos管和nmos管，由于pmos管的衬底和nmos管的衬底存在偏置效应(即体效应)，该偏置效应对pmos管的衬底和nmos管的阈值电压存在影响,会使得导通电阻大幅增加，甚至不导通而无法传输，这样就无法将传输门电路视同为开关。
3、为了解决上述问题，采用如图1所示的模拟开关包括pmos管tp和nmos管tn，所述pmos管的衬底与源极短接后连接输入端vi，所述输入端接收模拟信号，所述nmos管的衬底与源极短接后也连接所述输入端vi，所述pmos管的漏极和所述nmos管的漏极均连接输出端vout，所述pmos管的栅极接收第一控制信号c1，所述nmos管接收第二控制信号c2。该模拟开关促使pmos管和nmos管都没有出现偏置效应，解决了因衬底偏置效应产生的问题。但是该模拟开关的输出端会串扰所述输入端，造成无法关断，引起漏电风险。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于，提供一种模拟开关，可以解决模拟开关中pmos管和nmos管的衬底偏置效应，以及避免了输出端会串扰输入端，引起漏电的风险。>
2、为了解决上述问题，本专利技术提供一种模拟开关，包括第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管、第四pmos管、第五pmos管、第六pmos管、第一nmos管、第二nmos管、第三nmos管、第四nmos管、第五nmos管和第六nmos管，所述模拟开关具有输入端和输出端，
3、所述第一pmos管的源极和衬底、所述第二pmos管的源极和衬底、所述第三pmos管的衬底、所述第四nmos管的源极、所述第五nmos管的源极和所述第六pmos管的漏极连接在第一节点p处，所述第六pmos管的源极连接电源；所述第一nmos管的源极和衬底、所述第二nmos管的源极和衬底、所述第三nmos管的衬底、所述第四pmos管的源极和衬底、所述第五pmos管的源极和衬底以及所述第六nmos管的漏极连接在第二节点n处，所述第六nmos管的源极接地；所述第一pmos管的栅极、所述第二pmos管的栅极、所述第三pmos管的栅极、所述第四pmos管的栅极、所述第五pmos管的栅极和所述第六nmos管的栅极均连接第一控制信号；所述第一nmos管的栅极、所述第二nmos管的栅极、所述第三nmos管的栅极、所述第四nmos管的栅极、所述第五nmos管的栅极和所述第六pmos管的栅极均连接第二控制信号；所述第一pmos管的漏极、所述第四nmos管的漏极和衬底、所述第三pmos管的漏极、所述第三nmos管的漏极、所述第四pmos管的漏极和所述第一nmos管的漏极均连接所述输入端；所述第二pmos管的漏极、所述第五nmos管的漏极和衬底、所述第三pmos管的源极、所述第三nmos管的源极、所述第五pmos管的漏极和所述第二nmos管的漏极均连接所述输出端。
4、可选的，所述第一控制信号为高电平时，所述第一pmos管、所述第二pmos管、第三pmos管、所述第四pmos管和所述第五pmos管均关闭，所述第六nmos管导通；以及
5、所述第二控制信号为低电平时，所述第一nmos管、所述第二nmos管、所述第三nmos管、所述第四nmos管和所述第五nmos管均关闭，所述第六pmos管导通。
6、可选的，当所述第一控制信号为低电平时，所述第二控制信号为高电平，所述第一pmos管、所述第二pmos管、所述第三pmos管、所述第四pmos管、所述第五pmos管、所述第一nmos管、所述第二nmos管、所述第三nmos管、所述第四nmos管和所述第五nmos管均导通，所述第六nmos管和所述第六pmos管均关闭。
7、可选的，当所述第一控制信号为高电平，所述第二控制信号为低电平时，所述模拟开关关闭。
8、进一步的，所述模拟开关关闭时，所述第六pmos管导通，所述第一pmos管的衬底、所述第二pmos管的衬底和所述第三pmos管的衬底均透过所述第六pmos管上拉至所述电源电压，使得所述第一pmos管、所述第二pmos管和所述第三pmos管都能够完全关闭。
9、进一步的，所述模拟开关关闭时，所述第六nmos管导通，所述第一nmos管的衬底、所述第二nmos管的衬底和所述第三nmos管的衬底均透过所述第六nmos管下拉至地，使得所述第一nmos管、所述第二nmos管和所述第三nmos管都能够完全关闭。
10、可选的，当所述第一控制信号为低电平时，所述第二控制信号为高电平，所述模拟开关导通。
11、进一步的，所述模拟开关导通时，所述第三pmos管的衬底连接在所述第一节点处，所述第一节点处的导通电位透过所述第一pmos管、所述第二pmos管、所述第四nmos管和所述第五nmos管来确定的。
12、进一步的，所述模拟开关导通时，所述第三nmos管的衬底连接在所述第二节点处，所述第二节点的导通电位透过所述第一nmos管、所述第二nmos管、所述第四pmos管和所述第五pmos管来确定的。
13、与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：
14、本专利技术提供一种模拟开关，通过所述第一pmos管的源极和衬底、所述第二pmos管的源极和衬底、所述第三pmos管的衬底、所述第四nmos管的源极、所述第五nmos管的源极和所述第六pmos管的漏极连接在第一节点处，使得所述第一pmos管、所述第二pmos管、所述第四nmos管、所述第五nmos管和所述第六pmos管构成所述第三pmos管的偏置电路；所述第一nmos管的源极和衬底、所述第二nmos管的源极和衬底、所述第三nmos管的衬底、所述第四pmos管的源极和衬底、所述第五pmos管的源极和衬底以及所述第六nmos管的漏极连接在第二节点处，使得所述第一nmos管、所述第二nmos管、所述第四pmos管、所述第五pmos管和所述第六nmos管构成所述第三nmos管的偏置电路，从而解决了所述输出端串扰所述输入端造成的漏电风险以及所述第三pmos管和第三nmos管因衬底偏置效应产生的问题。
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1.一种模拟开关，其特征在于，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管，所述模拟开关具有输入端和输出端，
2.如权利要求1所述的模拟开关，其特征在于，
3.如权利要求1所述的模拟开关，其特征在于，当所述第一控制信号为低电平时，所述第二控制信号为高电平，所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、所述第三PMOS管、所述第四PMOS管、所述第五PMOS管、所述第一NMOS管、所述第二NMOS管、所述第三NMOS管、所述第四NMOS管和所述第五NMOS管均导通，所述第六NMOS管和所述第六PMOS管均关闭。
4.如权利要求1～3中任一项所述的模拟开关，其特征在于，当所述第一控制信号为高电平，所述第二控制信号为低电平时，所述模拟开关关闭。
5.如权利要求4所述的模拟开关，其特征在于，所述模拟开关关闭时，所述第六PMOS管导通，所述第一PMOS管的衬底、所述第二PMOS管的衬底和所述第三PMO
6.如权利要求4所述的模拟开关，其特征在于，所述模拟开关关闭时，所述第六NMOS管导通，所述第一NMOS管的衬底、所述第二NMOS管的衬底和所述第三NMOS管的衬底均透过所述第六NMOS管下拉至地，使得所述第一NMOS管、所述第二NMOS管和所述第三NMOS管都能够完全关闭。
7.如权利要求1～3中任一项所述的模拟开关，其特征在于，当所述第一控制信号为低电平时，所述第二控制信号为高电平，所述模拟开关导通。
8.如权利要求7所述的模拟开关，其特征在于，所述模拟开关导通时，所述第三PMOS管的衬底连接在所述第一节点处，所述第一节点处的导通电位透过所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、所述第四NMOS管和所述第五NMOS管来确定的。
9.如权利要求7所述的模拟开关，其特征在于，所述模拟开关导通时，所述第三NMOS管的衬底连接在所述第二节点处，所述第二节点的导通电位透过所述第一NMOS管、所述第二NMOS管、所述第四PMOS管和所述第五PMOS管来确定的。
...【技术特征摘要】
1.一种模拟开关，其特征在于，包括第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管、第四pmos管、第五pmos管、第六pmos管、第一nmos管、第二nmos管、第三nmos管、第四nmos管、第五nmos管和第六nmos管，所述模拟开关具有输入端和输出端，
2.如权利要求1所述的模拟开关，其特征在于，
3.如权利要求1所述的模拟开关，其特征在于，当所述第一控制信号为低电平时，所述第二控制信号为高电平，所述第一pmos管、所述第二pmos管、所述第三pmos管、所述第四pmos管、所述第五pmos管、所述第一nmos管、所述第二nmos管、所述第三nmos管、所述第四nmos管和所述第五nmos管均导通，所述第六nmos管和所述第六pmos管均关闭。
4.如权利要求1～3中任一项所述的模拟开关，其特征在于，当所述第一控制信号为高电平，所述第二控制信号为低电平时，所述模拟开关关闭。
5.如权利要求4所述的模拟开关，其特征在于，所述模拟开关关闭时，所述第六pmos管导通，所述第一pmos管的衬底、所述第二pmos管的衬底和所述第三pmos管的衬底均透过所述第六p...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨家奇，
申请(专利权)人：杰平方半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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