【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路领域，特别涉及一种模拟开关。
技术介绍
1、模拟开关是一种能使模拟信号通过或阻断，主要用于模拟信号与数字控制的接口。随着近年来集成电路的发展，模拟开关的开关性能有了很大的提高，可以工作在非常低的工作电压，具有具有较低的导通电阻、很小的封装尺寸，被广泛用于测试设备、通讯产品、以及多媒体系统等。
2、目前传输门电路作为模拟开关，所述模拟开关包括并联连接的pmos管和nmos管，由于pmos管的衬底和nmos管的衬底存在偏置效应(即体效应)，该偏置效应对pmos管的衬底和nmos管的阈值电压存在影响,会使得导通电阻大幅增加，甚至不导通而无法传输，这样就无法将传输门电路视同为开关。
3、为了解决上述问题，采用如图1所示的模拟开关包括pmos管tp和nmos管tn，所述pmos管的衬底与源极短接后连接输入端vi，所述输入端接收模拟信号，所述nmos管的衬底与源极短接后也连接所述输入端vi，所述pmos管的漏极和所述nmos管的漏极均连接输出端vout，所述pmos管的栅极接收第一控制信号c1，所述nmos管接收第二控制信号c2。该模拟开关促使pmos管和nmos管都没有出现偏置效应，解决了因衬底偏置效应产生的问题。但是该模拟开关的输出端会串扰所述输入端，造成无法关断，引起漏电风险。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于，提供一种模拟开关，可以解决模拟开关中pmos管和nmos管的衬底偏置效应，以及避免了输出端会串扰输入端，引起漏电的风险。>
2、为了解决上述问题，本专利技术提供一种模拟开关，所述模拟开关包括第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管、第一nmos管、第二nmos管和第三nmos管，所述开关电路具有输入端和输出端，
3、所述第一pmos管的源极和衬底、所述第二pmos管的源极和衬底以及所述第三pmos管的漏极均连接第一节点，所述第一pmos管的栅极、所述第二pmos管的栅极和所述第三nmos管的栅极均接收第一控制信号，所述第三pmos管的源极连接电源，所述第一nmos管的源极和衬底、第二nmos管的源极和衬底以及所述第三nmos管的漏极均连接第二节点，所述第一nmos管的栅极、第二nmos管的栅极和所述第三nmos管的栅极均接收第二控制信号，所述第三nmos管的源极接地，所述第一pmos管的漏极和所述第一nmos管的漏极均连接所述输入端，所述第二pmos管的漏极和第二nmos管的漏极均连接所述输出端。
4、可选的，所述第一控制信号c1和所述第二控制信号c2为互补的电压控制信号。
5、进一步的，所述第一控制信号为高电平，所述第二控制信号为低电平时，所述模拟开关关闭。
6、进一步的，所述模拟开关关闭时，所述第一pmos管、所述第二pmos管、所述第一nmos管和所述第二nmos管均关闭。
7、进一步的，所述第一控制信号为低电平时，所述第二控制信号为高电平，所述开关电路导通。
8、进一步的，所述开关电路导通时，所述第一pmos管和所述第二pmos管导通，和/或，所述第一nmos管和所述第二nmos管导通。
9、可选的，所述输入端接收输入模拟信号，所述输出端输出经过所述开关电路流出的输出信号。
10、进一步的，所述模拟开关关闭时,第三pmos管导通,将所述第一pmos管和所述第二pmos管的衬底设定为高电平。
11、进一步的，所述模拟开关关闭时,第三nmos管导通,将所述第一nmos管和所述第二nmos管的衬底设定为低电平。
12、与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：
13、本专利技术提供一种模拟开关，所述模拟开关包括第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管、第一nmos管、第二nmos管和第三nmos管，所述开关电路具有输入端和输出端，所述第一pmos管的源极和衬底、所述第二pmos管的源极和衬底以及所述第三pmos管的漏极均连接第一节点，所述第一pmos管的栅极、所述第二pmos管的栅极和所述第三nmos管的栅极均接收第一控制信号，所述第三pmos管的源极连接电源，所述第一nmos管的源极和衬底、第二nmos管的源极和衬底以及所述第三nmos管的漏极均连接第二节点，所述第一nmos管的栅极、第二nmos管的栅极和所述第三nmos管的栅极均接收第二控制信号，所述第三nmos管的源极接地，所述第一pmos管的漏极和所述第一nmos管的漏极均连接所述输入端，所述第二pmos管的漏极和第二nmos管的漏极均连接所述输出端。本专利技术通过所述第一pmos管和所述第二pmos管的偏置点相接，所述第一nmos管和所述第二nmos管的偏置点相接，使得模拟开关关闭时，所述第一pmos管和所述第二pmos管的衬底透过第三pmos管接到最高电平，所以第一pmos管和第二pmos管可以完全关闭；相同的，所述第一nmos管和所述第二nmos管的衬底透过第三nnmos管接到最低电平，所以第一nmos管和第二nmos管可以完全关闭，从而解决了所述输出端串扰所述输入端造成的漏电风险；还使得模拟开关导通时，所述第一pmos管的源极和衬底短接，所述第二pmos管的源极和衬底短接，所述第一nmos管的源极和衬底短接，所述第二nmos管的源极和衬底短接，从而使得所述第一pmos管、所述第二pmos管、所述第一nmos管和所述第二nmos管均没有出现偏置效应，解决了因衬底偏置效应产生的问题。
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1.一种模拟开关，其特征在于，所述模拟开关包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管，所述开关电路具有输入端和输出端，
2.如权利要求1所述的模拟开关，其特征在于，所述第一控制信号C1和所述第二控制信号C2为互补的电压控制信号。
3.如权利要求2所述的模拟开关，其特征在于，所述第一控制信号为高电平，所述第二控制信号为低电平时，所述模拟开关关闭。
4.如权利要求3所述的模拟开关，其特征在于，所述模拟开关关闭时，所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、所述第一NMOS管和所述第二NMOS管均关闭。
5.如权利要求2所述的模拟开关，其特征在于，所述第一控制信号为低电平时，所述第二控制信号为高电平，所述开关电路导通。
6.如权利要求5所述的模拟开关，其特征在于，所述开关电路导通时，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管导通，和/或，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管导通。
7.如权利要求1所述的模拟开关，其特征在于，所述输入端接收输入模拟信号，所述输出端输出
8.如权利要求3所述的模拟开关，其特征在于，所述模拟开关关闭时，所述第三PMOS管导通，将所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的衬底设定为高电平。
9.如权利要求3所述的模拟开关，其特征在于，所述模拟开关关闭时，所述第三NMOS管导通，将所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的衬底设定为低电平。
...【技术特征摘要】
1.一种模拟开关，其特征在于，所述模拟开关包括第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管、第一nmos管、第二nmos管和第三nmos管，所述开关电路具有输入端和输出端，
2.如权利要求1所述的模拟开关，其特征在于，所述第一控制信号c1和所述第二控制信号c2为互补的电压控制信号。
3.如权利要求2所述的模拟开关，其特征在于，所述第一控制信号为高电平，所述第二控制信号为低电平时，所述模拟开关关闭。
4.如权利要求3所述的模拟开关，其特征在于，所述模拟开关关闭时，所述第一pmos管、所述第二pmos管、所述第一nmos管和所述第二nmos管均关闭。
5.如权利要求2所述的模拟开关，其特征在于，所述第一控制信号为低电平时，...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨家奇，
申请(专利权)人：杰平方半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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