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本发明提供一种模拟开关，通过第一PMOS管的源极和衬底、第二PMOS管的源极和衬底、第三PMOS管的衬底、第四NMOS管的源极、第五NMOS管的源极和第六PMOS管的漏极连接在第一节点处，使得第一PMOS管、第二PMOS管、第四NMOS管、...
该专利属于杰平方半导体（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杰平方半导体（上海）有限公司授权不得商用。

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