【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，更具体地说，涉及一种声表面波谐振器及其制备方法、滤波器。
技术介绍
1、saw(surface acoustic wave，声表面波)谐振器是声表面波谐振器的简称，是一种利用其压电效应和声表面波传播的物理特性而制成的一种滤波专用器件，广泛应用于各种各样的领域中，例如射频领域。其中声表面波是一种能量集中在表面附近的弹性波。
2、在目前的声表面波产品设计中，由于声表面波谐振器横向传播的声波导致的声表面波谐振器出现横向模式，或者电极指条激发出主声学模式之外的其它谐振模式，体现在声表面波谐振器通带内及附近的杂波，该杂波会降低声表面波谐振器的性能。
3、那么，如何提高声表面波谐振器的性能，就是现今谐振器设计中的重中之重。
技术实现思路
1、有鉴于此，为解决上述问题，本专利技术提供一种声表面波谐振器及其制备方法、滤波器，技术方案如下：
2、一种声表面波谐振器，所述声表面波谐振器包括：
3、在第一方向上相对设置的基板和压电层，所述...
【技术保护点】
1.一种声表面波谐振器，其特征在于，所述声表面波谐振器包括：
2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，当所述声表面波谐振器中的至少两个膜层交界面都为粗糙面结构时，在所述第一方向上相邻的两个粗糙面结构中，其中一个粗糙面结构中的第一粗糙面与另一个粗糙面结构中的第二粗糙面相对应设置，且二者互不平行。
3.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述声表面波谐振器还包括：
4.根据权利要求3所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述基底与所述第一介质层之间的交界面为粗糙面结构。
5.根据权利要求3所述的声表面波谐...
【技术特征摘要】
1.一种声表面波谐振器，其特征在于，所述声表面波谐振器包括：
2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，当所述声表面波谐振器中的至少两个膜层交界面都为粗糙面结构时，在所述第一方向上相邻的两个粗糙面结构中，其中一个粗糙面结构中的第一粗糙面与另一个粗糙面结构中的第二粗糙面相对应设置，且二者互不平行。
3.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述声表面波谐振器还包括：
4.根据权利要求3所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述基底与所述第一介质层之间的交界面为粗糙面结构。
5.根据权利要求3所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述压电层与所述第一介质层之间的交界面为粗糙面结构，且所述基底与所述第一介质层之间的交界面为粗糙面结构。
6.根据权利要求3所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述声表面波谐振器还包括：
7.根据权利要求3或6所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一介质层与所述压电层之间的交界面为粗糙面结构。
8.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述声表面波谐振器还包括：
9.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述粗糙面结构具有多个凸起结构，所述凸起结构在由该凸起结构的底面指向凸起端点的方向上的尺寸逐渐减小。
10.根据权利要求9所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述凸起结构的形状为锥形或凸面为曲面的形状。
11.根据权利要求9所述的声表面波谐振器，其特征在于，在同一所述粗糙面结构中至少位于两个不同区域内的凸起结构的形状不同。
12.根据权利要求9所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述凸起结构的底面在平行于所述基底所在平面的方向上的最大长度小于或等于λ，其中，λ表示所述声表面波谐振器的声表面波的波长。
13.根据权利要求9所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述凸起结构的底面在平行于所述基底所在平面的方向上的最大长度为l1，相邻两个所述凸起结构的几何中心在平行于所述基底所在平面的方向上的长度为l2，其中l2＞l1。
14.根据权利要求9所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述凸起结构的高度小于相...
【专利技术属性】
技术研发人员：高安明，路晓明，姜伟，
申请(专利权)人：浙江星曜半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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