【技术实现步骤摘要】
本申请属于mos管结构，尤其涉及一种mos管及其制备方法。
技术介绍
1、随着电子技术的不断发展，mos管（metal oxide semiconductor，金属氧化物半导体晶体管）作为半导体器件的重要部分，在各种电路中得到了广泛应用。mos管的击穿电压（bv，breakdown voltage）和导通电阻（ron, sp，specific on resistance）是衡量其性能的重要参数。
2、在相关技术中，通常通过提高漂移区的掺杂浓度，来降低导通电阻；但是与此同时，mos管的击穿电压也会变小。
3、因此，如何在保证击穿电压的情况下，降低mos管的导通电阻是本领域技术人员目前需要解决的问题。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种mos管及其制备方法，旨在解决传统技术中因降低mos管的导通电阻而导致其击穿电压降低的问题。
2、本申请实施例的第一方面提出了一种mos管，所述mos管包括：
3、漂移层，所述漂移层的一侧形成有凸台；
4、多个第一掺杂区，所述多个第一掺杂区间隔绕设在所述凸台的四周，相邻两个所述第一掺杂区之间形成第一间隔；
5、多个第二掺杂区，所述多个第二掺杂区间隔绕设在所述凸台的四周，且每一所述第二掺杂区对应设置在一个所述第一间隔内；其中，所述第二掺杂区的掺杂类型不同于所述第一掺杂区的掺杂类型；
6、栅极，设置在所述凸台上，且所述栅极延伸至所述第一掺杂区以及所述第二掺杂区上；p>
7、源极，设置在所述第二掺杂区上，并与所述第二掺杂区电连接；
8、漏极，设置在所述漂移层背离所述凸台的一侧。
9、在本申请的部分实施例中，多个所述第一掺杂区均匀间隔设置在所述凸台的四周。
10、在本申请的部分实施例中，所述第一掺杂区的数量为四个，四个所述第一掺杂区之间限定出四个所述第一间隔。
11、在本申请的部分实施例中，所述第二掺杂区的数量为四个，四个所述第二掺杂区与所述四个所述第一间隔一一对应设置。
12、在本申请的部分实施例中，所述第一掺杂区为p型半导体材料制成；和/或，所述第二掺杂区为n型半导体材料制成。
13、在本申请的部分实施例中，所述mos管还包括p体层，所述p体层设置在所述漂移层与所述第二掺杂区之间。
14、在本申请的部分实施例中，所述栅极靠近所述凸台的一侧设置有第一绝缘层，所述第一绝缘层与所述凸台、所述第一掺杂区以及所述第二掺杂区连接。
15、在本申请的部分实施例中，所述mos管还包括基底层，所述基底层设置在所述漏极和所述漂移层之间。
16、第二方面，本申请还提供一种mos管的制备方法，应用在上述的mos管上，所述mos管的制备方法包括：
17、提供一所述漂移层，且在所述漂移层的一侧形成凸台；
18、在所述凸台的四周交替间隔绕设多个所述第一掺杂区和多个预掺杂区；
19、在所述凸台上设置栅极，且栅极延伸至所述第一掺杂区和所述预掺杂区；
20、在所述预掺杂区的至少部分区域注入离子以形成所述第二掺杂区；
21、在第二掺杂区上设置所述源极，以及在所述漂移区背离所述凸台的一侧设置所述漏极。
22、在本申请的部分实施例中，所述在所述预掺杂区的至少部分区域注入离子以形成所述第二掺杂区包括：
23、采用自对准双扩散工艺在所述预掺杂区上形成p体区；
24、在p体区的第一部分区域注入离子形成所述第二掺杂区，剩余的第二部分形成p体层。
25、本专利技术实施例与现有技术相比存在的有益效果是：上述的一种mos管及其制备方法，该mos管包括漂移层、多个第一掺杂区、多个第二掺杂区、栅极、源极以及漏极，漂移层的一侧形成有凸台；多个第一掺杂区间隔绕设在凸台的四周，相邻两个第一掺杂区之间形成第一间隔；多个第二掺杂区间隔绕设在凸台的四周，且每一第二掺杂区对应设置在一个第一间隔内；其中，第二掺杂区的掺杂类型不同于第一掺杂区的掺杂类型；本申请中一方面通过在凸台的四周形成第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区形成横向水平电场；在栅极促使源极和漏极导通前，需要先克服该横向水平电场，才能将此区域击穿，因此有利于提高mos管的击穿电压；另一方面，每一第二掺杂区均可形成导电沟道，通过设置多个导电沟道以有利于减小导通电阻。
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1.一种MOS管，其特征在于，所述MOS管包括：
2.根据权利要求1所述的MOS管，其特征在于，多个所述第一掺杂区均匀间隔设置在所述凸台的四周。
3.根据权利要求2所述的MOS管，其特征在于，所述第一掺杂区的数量为四个，四个所述第一掺杂区之间限定出四个所述第一间隔。
4.根据权利要求3所述的MOS管，其特征在于，所述第二掺杂区的数量为四个，四个所述第二掺杂区与所述四个所述第一间隔一一对应设置。
5.根据权利要求1至4任意一项所述的MOS管，其特征在于，所述第一掺杂区为P型半导体材料制成；和/或，所述第二掺杂区为N型半导体材料制成。
6.根据权利要求5所述的MOS管，其特征在于，所述MOS管还包括P体层，所述P体层设置在所述漂移层与所述第二掺杂区之间。
7.根据权利要求1所述的MOS管，其特征在于，所述栅极靠近所述凸台的一侧设置有第一绝缘层，所述第一绝缘层与所述凸台、所述第一掺杂区以及所述第二掺杂区连接。
8.根据权利要求1所述的MOS管，其特征在于，所述MOS管还包括基底层，所述基底层设置在所述漏
9.一种MOS管的制备方法，其特征在于，应用在权利要求1至8任意一项所述的MOS管上，所述MOS管的制备方法包括：
10.根据权利要求9所述的MOS管的制备方法，其特征在于，所述在所述预掺杂区的至少部分区域注入离子以形成所述第二掺杂区包括：
...【技术特征摘要】
1.一种mos管，其特征在于，所述mos管包括：
2.根据权利要求1所述的mos管，其特征在于，多个所述第一掺杂区均匀间隔设置在所述凸台的四周。
3.根据权利要求2所述的mos管，其特征在于，所述第一掺杂区的数量为四个，四个所述第一掺杂区之间限定出四个所述第一间隔。
4.根据权利要求3所述的mos管，其特征在于，所述第二掺杂区的数量为四个，四个所述第二掺杂区与所述四个所述第一间隔一一对应设置。
5.根据权利要求1至4任意一项所述的mos管，其特征在于，所述第一掺杂区为p型半导体材料制成；和/或，所述第二掺杂区为n型半导体材料制成。
6.根据权利要求5所述的mos管，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：李金耀，
申请(专利权)人：深圳天狼芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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