一种沟槽栅MOS管及其制备方法技术

本申请提供一种沟槽栅MOS管及其制备方法，在MOS管中，栅极设置在漂移层上；多个第一掺杂区间隔绕设在栅极的四周，相邻两个第一掺杂区之间形成第一间隔；多个第二掺杂区中的每一第二掺杂区对应设置在一个第一间隔内；源极设置在第二掺杂区上，并与第二掺杂区电连接；漏极设置在漂移层背离栅极的一侧；由于设置了多个第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区之间则会形成更多的JFET区，因为本申请还通过设置栅极背离漂移层的一侧与第一掺杂区背离漂移层的一侧以及与第二掺杂区背离漂移层的一侧平齐，形成沟槽栅状的栅极结构，栅极能够隔设不同掺杂区之间，有利于减少JFET区域，有利于进一步减少导通电阻。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于mos管结构，尤其涉及一种沟槽栅mos管及其制备方法。

技术介绍

1、随着电子技术的不断发展，mos管（metal oxide semiconductor，金属氧化物半导体晶体管）作为半导体器件的重要部分，在各种电路中得到了广泛应用。mos管的击穿电压（bv，breakdown voltage）和导通电阻（ron, sp，specific on resistance）是衡量其性能的重要参数。

2、在相关技术中，当前的mos管多为平面栅极结构，但是在平面栅mos管中，其掺杂区之间容易形成jfet（结型场效应管）区，进而导致导通电阻变高，从而会增加功率器件本身的耗电。

3、因此，如何降低mos管的导通电阻是本领域技术人员目前需要解决的问题。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种沟槽栅mos管及其制备方法，旨在解决传统技术中mos管的导通电阻较高的问题。

2、本申请实施例的第一方面提出了一种沟槽栅mos管，所述mos管包括：

3、漂移层；

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【技术保护点】

1.一种沟槽栅MOS管，其特征在于，所述MOS管包括：

2.根据权利要求1所述的沟槽栅MOS管，其特征在于，所述栅极沿着第一方向在所述漂移层上的投影与所述第一掺杂区沿着所述第一方向在所述漂移层的投影不重叠；和/或，所述栅极沿着第一方向在所述漂移层上的投影与所述第二掺杂区沿着所述第一方向在所述漂移层的投影不重叠。

3.根据权利要求2所述的沟槽栅MOS管，其特征在于，所述漂移层上设置有第一沟槽，所述栅极的一部分容设在所述第一沟槽内，另一部分延伸出所述第一沟槽外。

4.根据权利要求3所述的沟槽栅MOS管，其特征在于，所述沟槽栅MOS管还包括绝缘层，所述绝缘层...

【技术特征摘要】

1.一种沟槽栅mos管，其特征在于，所述mos管包括：

2.根据权利要求1所述的沟槽栅mos管，其特征在于，所述栅极沿着第一方向在所述漂移层上的投影与所述第一掺杂区沿着所述第一方向在所述漂移层的投影不重叠；和/或，所述栅极沿着第一方向在所述漂移层上的投影与所述第二掺杂区沿着所述第一方向在所述漂移层的投影不重叠。

3.根据权利要求2所述的沟槽栅mos管，其特征在于，所述漂移层上设置有第一沟槽，所述栅极的一部分容设在所述第一沟槽内，另一部分延伸出所述第一沟槽外。

4.根据权利要求3所述的沟槽栅mos管，其特征在于，所述沟槽栅mos管还包括绝缘层，所述绝缘层铺设在所述第一沟槽内，并形成第二沟槽，所述栅极容设在所述第二沟槽内。

5.根据权利要求1至4任意一项所述的沟槽栅mos管，其特征在于，所述第一掺杂区的一部分间隔...

【专利技术属性】
技术研发人员：李金耀，
申请(专利权)人：深圳天狼芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：