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本申请提供一种沟槽栅MOS管及其制备方法，在MOS管中，栅极设置在漂移层上；多个第一掺杂区间隔绕设在栅极的四周，相邻两个第一掺杂区之间形成第一间隔；多个第二掺杂区中的每一第二掺杂区对应设置在一个第一间隔内；源极设置在第二掺杂区上，并与第二掺...
该专利属于深圳天狼芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳天狼芯半导体有限公司授权不得商用。

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