【技术实现步骤摘要】
本申请属于功率器件，尤其涉及一种超结碳化硅mosfet及其制备方法、芯片。
技术介绍
1、碳化硅（sic）作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材料之一。目前，sic已经形成了全球的材料、器件和应用产业链。sic金氧半场效晶管（metal-oxide- semiconductorfield-effecttransistor，mosfet）属于新型的功率半导体器件，由于碳化硅材料具有较高的击穿电场，较高的饱和漂移速度，因此，碳化硅mosfet具有高击穿电压和高频特性。
2、碳化硅mosfet目前所采用的传统的超结结构容易受电荷不平衡的影响而降低器件的击穿电压（bv），为了缓解电荷不平衡的影响，可以在器件内采用介电常数高于200的高k介质层代替器件内的p柱结构，然而，介电常数高于200的高k介质材料存在成本高、数量稀缺的问题。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种超结碳化硅mosfet及其制备方法...
【技术保护点】
1.一种超结碳化硅MOSFET，其特征在于，所述超结碳化硅MOSFET包括：
2.如权利要求1所述的超结碳化硅MOSFET，其特征在于，所述P柱的宽度与所述第一P型掺杂区的宽度相同。
3.如权利要求2所述的超结碳化硅MOSFET，其特征在于，所述高K介质层的宽度大于所述P柱的宽度，且所述高K介质层的宽度小于所述N型漂移区的宽度。
4.如权利要求1所述的超结碳化硅MOSFET，其特征在于，所述P型多晶硅层的高度大于所述电流扩展层与所述P型基区之和，且所述P型多晶硅层分别与所述电流扩展层、所述P型基区以及所述P型源极区接触。
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