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本申请属于功率器件技术领域，提供了一种超结碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片，通过在源极层下方形成与栅极层连接的P型多晶硅层，实现从源极层、P型多晶硅层、电流扩展层、N型漂移区、碳化硅衬底到漏极层的续流通道，使得器件的导通电阻大大低于其体...
该专利属于深圳天狼芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳天狼芯半导体有限公司授权不得商用。

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