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本申请提供一种MOS管及其制备方法，该MOS管包括漂移层、多个第一掺杂区、多个第二掺杂区、栅极、源极以及漏极，漂移层的一侧形成有凸台；多个第一掺杂区间隔绕设在凸台的四周，相邻两个第一掺杂区之间形成第一间隔；多个第二掺杂区中的每一第二掺杂区对...
该专利属于深圳天狼芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳天狼芯半导体有限公司授权不得商用。

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