本发明专利技术公开了一种基于先镀后蚀的引线框架局部粗化生产工艺，包括以下步骤：分为初次处理和二次处理，最后采用局部粗化的方式将需要进行局部粗化的引线框架区域进行遮挡覆盖，然后使用粗化药水对引线框架未被遮挡的区域进行喷淋处理，药水中的成分可以使得该区域表面发生粗化反应；粗化后处理：完成粗化后，需要对引线框架进行清洗，以去除残留的粗化药水和杂质。先镀后蚀可精准的对引线框架进行电镀，避免了“漏镀”的情况发生，从而提高芯片注塑过程中的结合力。使用局部粗化的工艺，将需要粗化的地方直接采用“高粗化”提升产品可靠性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及引线框架生产，具体涉及一种基于先镀后蚀的引线框架局部粗化生产工艺。
技术介绍
1、引线框架是一种用于连接电子器件和电路板的结构。它通常由金属材料制成，如铜、铝等，具有一定的形状和排列方式。
2、引线框架的主要功能是提供电信号或电力的传输路径，连接器件与电路板之间的电路。它可以实现电信号和电流的引出、分配和连接，从而有效地实现电子器件与电路板的连接。引线框架可以承载一定的电流和信号传输速率。
3、引线框架粗化工艺是一种在引线框架上增加粗化结构的加工工艺，主要目的是增加引线与其他组件之间的接触面积，提高连接的可靠性和性能。
4、问题一、现有的引线框架存在塑封时候存在塑封料与框架结合力不够而产生分层的风险。
5、问题二、为了解决上述问题，现有技术是对整个框架进行粗化处理，通过增加表面积来增加框架与塑封材料的结合力。由于塑封后框架有部分金属面需要后续镀锡以及smt工艺与pcb焊接在一起，过于粗糙会影响后续工艺，所以当前粗化工艺需要控制粗糙度，但是也会影响上述问题一的解决。
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【技术保护点】
1.一种基于先镀后蚀的引线框架局部粗化生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种基于先镀后蚀的引线框架局部粗化生产工艺,其特征在于，将需要进行局部粗化的引线框架区域进行遮挡覆盖，该步骤中的遮挡覆盖可利用膜对其需要遮挡覆盖的引线框架区域进行粘贴，膜可阻止粗化药水渗透到遮挡区域。
3.根据权利要求2所述的一种基于先镀后蚀的引线框架局部粗化生产工艺,其特征在于，所述该膜可为引线框架膜屏蔽干膜。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的一种基于先镀后蚀的引线框架局部粗化生产工艺,其特征在于，所述粗化药水可以是酸性溶液或碱性溶液。
【技术特征摘要】
1.一种基于先镀后蚀的引线框架局部粗化生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种基于先镀后蚀的引线框架局部粗化生产工艺,其特征在于，将需要进行局部粗化的引线框架区域进行遮挡覆盖，该步骤中的遮挡覆盖可利用膜对其需要遮挡覆盖的引线框架区域进行粘贴，膜可阻止粗化...
【专利技术属性】
技术研发人员：高小平，
申请(专利权)人：安徽立德半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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