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本发明公开了一种基于先镀后蚀的引线框架局部粗化生产工艺，包括以下步骤：分为初次处理和二次处理，最后采用局部粗化的方式将需要进行局部粗化的引线框架区域进行遮挡覆盖，然后使用粗化药水对引线框架未被遮挡的区域进行喷淋处理，药水中的成分可以使得该区...
该专利属于安徽立德半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽立德半导体材料有限公司授权不得商用。

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