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【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子陶瓷封装材料领域,特别是涉及一种可低温烧结的陶瓷材料及其制备方法、层叠体。
技术介绍
1、电子封装材料中用多层陶瓷基板构成的烧结体,一般要求具有:较低的介电常数和介电损耗,以应对电信号的高频化;高的热膨胀系数,以提高安装陶瓷基板时的可靠性;高机械强度,以应用于大型的电子部件。然而现有技术中的制备陶瓷基板的陶瓷材料不能同时满足低的介电常数、低的介电损耗、高的热膨胀系数以及高的机械高度。
2、需要说明的是,在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于对本申请的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、为了弥补现有技术的不足,本专利技术提供一种可低温烧结的陶瓷材料及其制备方法、层叠体,能够同时具有低介电常数、低介电损耗、高热膨胀系数和高机械强度。
2、本专利技术采用如下技术方案:
3、第一方面,提供了一种可低温烧结的陶瓷材料,其包含陶瓷基料和填料,所述陶瓷基料包含cao、sio2、mgo、li2co3和tio2,所述填料包括石英、b2o3、zno和y2o3,其中,所述陶瓷材料包括如下重量百分比的各组分:50wt%~70wt%的陶瓷基料、25wt%~45wt%的所述填料中的石英、0.8wt%~4.2wt%的所述填料中的b2o3、1wt%~5wt%的所述填料中的zno和0.1wt%~2wt%的所述填料中的y2o3。
4、第二方面,提供了一种第一方面所述的陶瓷材料的制备方法,其包括如下步骤
5、s1:将陶瓷基料中各组分混合后经球磨、烘干、过筛后得到均匀分散的主粉体;
6、s2:将步骤s1中所得的主粉体预烧,得到陶瓷基料;
7、s3:将步骤s2所得的陶瓷基料与填料按配方比例进行称量并混合均匀,加入粘结剂得到陶瓷浆料;
8、s4:将s3所得的物料排胶后烧结,得到所述陶瓷材料。
9、第三方面,提供了一种层叠体,其包括多层陶瓷层,所述陶瓷层是第一方面所述的陶瓷材料的烧结体。
10、本专利技术具有如下优点或有益效果:本专利技术通过陶瓷材料中各组分的共同作用,实现了低介电常数、低介电损耗,高机械强度和高热膨胀系数,且所得器件绝缘可靠性优异。
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1.一种可低温烧结的陶瓷材料,其特征在于,包含陶瓷基料和填料,所述陶瓷基料包含CaO、SiO2、MgO、Li2CO3和TiO2,所述填料包括石英、B2O3、ZnO和Y2O3,其中,所述陶瓷材料包括如下重量百分比的各组分:50wt%~70wt%的陶瓷基料、25wt%~45wt%的所述填料中的石英、0.8wt%~4.2wt%的所述填料中的B2O3、1wt%~5wt%的所述填料中的ZnO和0.1wt%~2wt%的所述填料中的Y2O3。
2.根据权利要求1所述的陶瓷材料,其特征在于,所述陶瓷基料中包含40wt%~60wt%的CaO、30wt%~50wt%的SiO2、1wt%~10wt%的MgO、0.5wt%~5wt%的Li2CO3和0.5wt%~5wt%的TiO2。
3.根据权利要求1所述的陶瓷材料,其特征在于,所述陶瓷基料中包含的是如下重量比分的各组分中的至少之一:
4.根据权利要求1所述的陶瓷材料,其特征在于,所述陶瓷基料的含量为55wt%~67wt%。
5.根据权利要求1所述的陶瓷材料,其特征在于,所述陶瓷材料中包含的是如下重量比分的
6.如权利要求1-5任意一项所述的陶瓷材料,其特征在于,所述陶瓷材料中不含方石英晶体。
7.一种权利要求1-6任意一项所述的陶瓷材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
8.如权利要求7所述的陶瓷材料的制备方法,其特征在于,步骤S2中在800~900℃下预烧2~4h;步骤S4中,排胶的温度为200~400℃;步骤S4中,在840~950℃下烧结1~3小时。
9.一种层叠体,其特征在于,包括多层陶瓷层,所述陶瓷层是权利要求1-6任意一项所述的陶瓷材料的烧结体。
...【技术特征摘要】
1.一种可低温烧结的陶瓷材料,其特征在于,包含陶瓷基料和填料,所述陶瓷基料包含cao、sio2、mgo、li2co3和tio2,所述填料包括石英、b2o3、zno和y2o3,其中,所述陶瓷材料包括如下重量百分比的各组分:50wt%~70wt%的陶瓷基料、25wt%~45wt%的所述填料中的石英、0.8wt%~4.2wt%的所述填料中的b2o3、1wt%~5wt%的所述填料中的zno和0.1wt%~2wt%的所述填料中的y2o3。
2.根据权利要求1所述的陶瓷材料,其特征在于,所述陶瓷基料中包含40wt%~60wt%的cao、30wt%~50wt%的sio2、1wt%~10wt%的mgo、0.5wt%~5wt%的li2co3和0.5wt%~5wt%的tio2。
3.根据权利要求1所述的陶瓷材料,其特征在于,所述陶瓷基料中包含的是如下重量...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭海,林花玲,余成良,
申请(专利权)人:深圳顺络电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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