【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及存储器领域，特别涉及一种反熔丝阵列及存储器。
技术介绍
1、随着微电子技术的不断进步与发展，存储器的类型越来越多，目前的存储器类型主要分为ram(ramdom access memory，随机存取存储器)和rom(read only memory，只读存储器)两种类型。在很多应用场合，由于部分数据，例如电脑的缓存或者内存这些数据不需要长期保存，易失存储器(例如ram)具有掉电后数据消失的特性(易失性)，但常规的非易失存储器的结构比较复杂，且成本较高。因此，选择otp(one-time programmable，一次性可编程)存储器不仅提供低功耗性能的同时，而且可以满足非易失存储器的要求。一次性可编程存储器可以包括熔丝型fpga(field programmable gate array，现场可编辑门阵列)或者反熔丝型fpga。
2、熔丝(fuse)编程技术是用熔丝作为开关元件，这些开关元件平时(在未编程时)处于连通状态，加电编程时，在不需要连接处将熔丝熔断，保留在器件内的熔丝模式决定相应器件的逻辑功能。反熔丝(anti-fuse)编程技术也称熔通编程技术，这类元件是用反熔丝作为开关元件。这类开关元件在未编程时处于开路状态，编程时，在需要连接处的逆熔丝开关元件两端加上编程电压，逆熔丝将由高阻抗变为低阻抗，实现两点间的连接，编程后器件内的反熔丝模式决定相应器件的逻辑功能。
3、其中，反熔丝型fpga以其非易失性、功耗低、集成度高、性能稳定、抗总剂量等优点得到了越来越广泛的关注。然而反熔丝阵列的
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种反熔丝阵列及存储器，至少有利于提升存储器的集成度以及编程成功率。
2、根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种反熔丝阵列，包括：至少一列沿第一方向排布的第一有源区，第一有源区沿第二方向延伸，第一有源区的端部具有第一凹陷，第一有源区包括位于第一凹陷在第三方向上的两侧的第一编程区与第二编程区；至少一列沿第一方向排布的第二有源区，第二有源区沿第二方向延伸，第二有源区的端部具有第二凹陷，第二有源区包括位于第二凹陷在第三方向上的两侧的第三编程区与第四编程区；第二编程区至少部分位于第二凹陷内，第三编程区至少部分位于第一凹陷内；编程栅线，编程栅线沿第一方向延伸，编程栅线覆盖一列第一有源区中的每一第一编程区以及第二编程区，且编程栅线还覆盖一列第二有源区中的每一第三编程区以及第四编程区；其中，第一方向与第二方向和第三方向均相交，第二方向与第三方向相互垂直。
3、在一些实施例中，第一方向与第三方向的夹角的取值范围为[20°，70°]。
4、在一些实施例中，沿第三方向，第一有源区的宽度与第二有源区的宽度相等。
5、在一些实施例中，沿第三方向，第一编程区的宽度大于第二编程区的宽度；沿第三方向，第四编程区的宽度大于第三编程区的宽度。
6、在一些实施例中，第二编程区的宽度与第三编程区的宽度相等；第一编程区的宽度与第四编程区的宽度相等。
7、在一些实施例中，沿第三方向，第二编程区的宽度与第一有源区的宽度的比值范围为1/15～1/5。
8、在一些实施例中，第一有源区还包括：第一沟道区以及位于第一沟道区两侧的第一源漏区以及第二源漏区；第二有源区还包括：第二沟道区以及位于第二沟道区两侧的第三源漏区以及第四源漏区；反熔丝阵列还包括：第一栅线，第一栅线沿第一方向延伸，第一栅线覆盖一列第一有源区中的每一第一沟道区；第二栅线，第二栅线沿第一方向延伸，第二栅线覆盖一列第二有源区中的每一第二沟道区。
9、在一些实施例中，第一有源区还包括：第三沟道区、位于第三沟道区两侧的第五源漏区与第六源漏区、以及第三凹陷，第三凹陷位于第一凹陷相对的第一有源区的端部。
10、在一些实施例中，第一有源区包括位于第三凹陷在第三方向上的两侧的第五编程区以及第六编程区，第五编程区与第二编程区相对。
11、在一些实施例中，沿第三方向，第五编程区的宽度小于第六编程区的宽度。
12、在一些实施例中，第一有源区的平面形状为中心对称图形。
13、在一些实施例中，第二有源区还包括：第四沟道区、位于第四沟道区两侧的第七源漏区与第八源漏区、以及第四凹陷；第二有源区的平面形状为中心对称图形。
14、在一些实施例中，第一有源区与第二有源区具有相同的形状和尺寸。
15、在一些实施例中，第一沟道区与第三沟道区之间的第二源漏区以及第五源漏区之间电连接，第二源漏区与第五源漏区共同构成位线连接区。
16、在一些实施例中，沿第四方向，第一有源区包括中心区以及外围区，第一编程区位于外围区，第四方向平行于第一有源区表面且与第一方向相互垂直；沿第三方向，相邻的外围区之间的间距与相邻的中心区之间的间距相同。
17、在一些实施例中，第一有源区还包括：第一栅介质层以及第二栅介质层，第一栅介质层位于外围区，第二栅介质层位于中心区，第一栅介质层的厚度小于第二栅介质层的厚度。
18、根据本公开一些实施例，本公开实施例另一方面还提供一种存储器，包括上述实施例中任一项所述的反熔丝阵列。
19、本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点：
20、本公开实施例提供的技术方案中，第一有源区包括位于第一凹陷在第三方向上的两侧的第一编程区与第二编程区，第二有源区包括位于第二凹陷在第三方向上的两侧的第三编程区与第四编程区，与一个有源区仅有一个编程区相比，可以增加编程区的编程面积，从而提高编程成功率。第二编程区至少部分位于第二凹陷内，第三编程区至少部分位于第一凹陷内，即在相同的器件面积内，第一有源区与第二有源区之间通过第一凹陷与第二凹陷实现卡合，可以提高空间利用率，进而可以增加单位面积器件内的反熔丝数量，从而提高编程成功率；还可以实现密集堆叠，减少或避免第一有源区以及第二有源区的编程区的曝光时失真，使第一有源区以及第二有源区扩大达到目标值，扩大空间利用率，实现器件的微缩化。
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1.一种反熔丝阵列，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的反熔丝阵列，其特征在于，所述第一方向与所述第三方向的夹角的取值范围为[20°，70°]。
3.根据权利要求1所述的反熔丝阵列，其特征在于，沿所述第三方向，所述第一有源区的宽度与所述第二有源区的宽度相等。
4.根据权利要求1所述的反熔丝阵列，其特征在于，沿所述第三方向，所述第一编程区的宽度大于所述第二编程区的宽度；沿所述第三方向，所述第四编程区的宽度大于所述第三编程区的宽度。
5.根据权利要求4所述的反熔丝阵列，其特征在于，所述第二编程区的宽度与所述第三编程区的宽度相等；所述第一编程区的宽度与所述第四编程区的宽度相等。
6.根据权利要求4所述的反熔丝阵列，其特征在于，沿所述第三方向，所述第二编程区的宽度与所述第一有源区的宽度的比值范围为1/15～1/5。
7.根据权利要求1所述的反熔丝阵列，其特征在于，所述第一有源区还包括：第一沟道区以及位于第一沟道区两侧的第一源漏区以及第二源漏区；所述第二有源区还包括：第二沟道区以及位于第二沟道区两侧的第三源漏区
8.根据权利要求7所述的反熔丝阵列，其特征在于，所述第一有源区还包括：第三沟道区、位于所述第三沟道区两侧的第五源漏区与第六源漏区、以及第三凹陷，所述第三凹陷位于所述第一凹陷相对的所述第一有源区的端部。
9.根据权利要求8所述的反熔丝阵列，其特征在于，所述第一有源区包括位于所述第三凹陷在所述第三方向上的两侧的第五编程区以及第六编程区，所述第五编程区与所述第二编程区相对。
10.根据权利要求9所述的反熔丝阵列，其特征在于，沿所述第三方向，所述第五编程区的宽度小于第六编程区的宽度。
11.根据权利要求10所述的反熔丝阵列，其特征在于，所述第一有源区的平面形状为中心对称图形。
12.根据权利要求7或11所述的反熔丝阵列，其特征在于，所述第二有源区还包括：第四沟道区、位于所述第四沟道区两侧的第七源漏区与第八源漏区、以及第四凹陷；所述第二有源区的平面形状为中心对称图形。
13.根据权利要求12所述的反熔丝阵列，其特征在于，所述第一有源区与所述第二有源区具有相同的形状和尺寸。
14.根据权利要求8所述的反熔丝阵列，其特征在于，所述第一沟道区与所述第三沟道区之间的第二源漏区以及所述第五源漏区之间电连接，所述第二源漏区与所述第五源漏区共同构成位线连接区。
15.根据权利要求1所述的反熔丝阵列，其特征在于，沿第四方向，所述第一有源区包括中心区以及外围区，所述第一编程区位于所述外围区，所述第四方向平行于所述第一有源区表面且与所述第一方向相互垂直；沿所述第三方向，相邻的所述外围区之间的间距与相邻的所述中心区之间的间距相同。
16.根据权利要求15所述的反熔丝阵列，其特征在于，所述第一有源区还包括：第一栅介质层以及第二栅介质层，所述第一栅介质层位于所述外围区，所述第二栅介质层位于所述中心区，所述第一栅介质层的厚度小于第二栅介质层的厚度。
17.一种存储器，其特征在于，包括：如权利要求1～16任一项所述的反熔丝阵列。
...【技术特征摘要】
1.一种反熔丝阵列，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的反熔丝阵列，其特征在于，所述第一方向与所述第三方向的夹角的取值范围为[20°，70°]。
3.根据权利要求1所述的反熔丝阵列，其特征在于，沿所述第三方向，所述第一有源区的宽度与所述第二有源区的宽度相等。
4.根据权利要求1所述的反熔丝阵列，其特征在于，沿所述第三方向，所述第一编程区的宽度大于所述第二编程区的宽度；沿所述第三方向，所述第四编程区的宽度大于所述第三编程区的宽度。
5.根据权利要求4所述的反熔丝阵列，其特征在于，所述第二编程区的宽度与所述第三编程区的宽度相等；所述第一编程区的宽度与所述第四编程区的宽度相等。
6.根据权利要求4所述的反熔丝阵列，其特征在于，沿所述第三方向，所述第二编程区的宽度与所述第一有源区的宽度的比值范围为1/15～1/5。
7.根据权利要求1所述的反熔丝阵列，其特征在于，所述第一有源区还包括：第一沟道区以及位于第一沟道区两侧的第一源漏区以及第二源漏区；所述第二有源区还包括：第二沟道区以及位于第二沟道区两侧的第三源漏区以及第四源漏区；
8.根据权利要求7所述的反熔丝阵列，其特征在于，所述第一有源区还包括：第三沟道区、位于所述第三沟道区两侧的第五源漏区与第六源漏区、以及第三凹陷，所述第三凹陷位于所述第一凹陷相对的所述第一有源区的端部。
9.根据权利要求8所述的反熔丝阵列，其特征在于，所述第一有源区包括位于所述第三凹陷在所述第三方向上的两侧的第五编程区以及第六编程区，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：马平，黄铭辉，刘志拯，李宗翰，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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