【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种陶瓷接合体、静电卡盘装置及陶瓷接合体的制造方法。本申请基于2022年1月31日提出申请的日本特愿2022-012942号并主张优先权，将其内容援用于此。
技术介绍
1、以往，在制造ic、lsi、vlsi等半导体装置的半导体制造工序中，硅晶片等板状试样通过静电吸附而固定于具备静电卡盘功能的静电卡盘部件，并被实施规定的处理。
2、例如，在等离子体气氛下对该板状试样实施蚀刻处理等的情况下，有时由于等离子体的热而板状试样的表面成为高温，而发生表面的抗蚀剂膜裂开等问题。
3、于是，为了将该板状试样的温度维持在所期望的恒定的温度，使用具有冷却功能的静电卡盘装置。这种静电卡盘装置具备：上述静电卡盘部件；及温度调整用基底部件，在金属制部件的内部形成有使温度控制用冷却介质循环的流路。静电卡盘部件与温度调整用基底部件在静电卡盘部件的下表面经由硅酮类粘接剂接合并一体化。
4、在该静电卡盘装置中，能够在温度调整用基底部件的流路使温度调整用冷却介质循环以进行热交换，在将固定于静电卡盘部件的上表面的板状试样的温度维持在所期望的恒定的温度的同时进行静电吸附。因此，若使用上述静电卡盘装置，则能够一边维持进行静电吸附的板状试样的温度，一边对板状试样实施各种等离子体处理。
5、作为静电卡盘部件，已知有包括陶瓷接合体的结构，所述陶瓷接合体具备一对陶瓷板及存在于它们之间的电极层。作为这种陶瓷接合体的制造方法，例如已知如下方法：对一个陶瓷烧结体挖槽，在该槽中形成导电层，在与陶瓷烧结体一起对导电层进行磨削、
6、现有技术文献
7、专利文献
8、专利文献1：日本专利第5841329号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的技术课题
2、在采用专利文献1的方法的情况下，存在工作量增加而导致陶瓷接合体成为高价的问题。
3、对此，作为廉价且稳定地制造陶瓷接合体的方法，已知有在陶瓷板的凹部内涂布并填充电极层形成用浆料且将陶瓷板层叠后使其固化的方法。该方法与专利文献1的方法不同，同时进行陶瓷板的层叠及导电层的形成，因此与专利文献1的方法相比能够减少工作量。另一方面，在采用该方法的情况下，存在在陶瓷板与电极侧面的界面(接合界面)残留微小间隙的可能性。这种微小间隙可能成为陶瓷接合体的耐电压降低的原因。
4、为了抑制上述间隙的产生，需要在陶瓷板的凹部填满电极层形成用浆料。然而，若为了消除间隙而增加电极层形成用浆料的涂布量，则存在电极层形成用浆料从凹部溢出的可能性，而难以稳定地填充。已指出，电极层的溢出部分成为陶瓷接合体的绝缘击穿的起点。即，若为了提高陶瓷接合体的耐电压而试图消除微小间隙，则存在耐电压反而恶化的可能性。
5、本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种在施加高电压的情况下抑制由于放电而产生陶瓷板的绝缘击穿的陶瓷接合体、静电卡盘装置及陶瓷接合体的制造方法。
6、用于解决技术课题的手段
7、为了解决上述技术课题，本专利技术包括以下实施方式。
8、[1]一种陶瓷接合体，其具备：一对陶瓷板；电极层，存在于一对所述陶瓷板之间；及接合层，配置于一对所述陶瓷板之间的所述电极层的周围，一对所述陶瓷板中的至少一个及所述接合层由绝缘性物质与导电性物质的复合体构成，在所述电极层的外缘与所述接合层的内缘之间设置有间隙，一对所述陶瓷板中的至少一个及所述接合层中的所述导电性物质的含有比率为3质量％以上且12质量％以下。
9、[2]根据[1]所述的陶瓷接合体，其中，
10、所述接合层的内缘相对于一对所述陶瓷板、所述电极层及所述接合层的厚度方向具有斜率。
11、[3]根据[1]或[2]所述的陶瓷接合体，其中，
12、所述绝缘性物质为选自由al2o3、aln、si3n4、y2o3、yag、smalo3、mgo及sio2组成的组中的至少1种。
13、[4]根据[1]至[3]中任一项所述的陶瓷接合体，其中，
14、所述导电性物质为选自由sic、tio2、tin、tic、w、wc、mo、mo2c及c组成的组中的至少1种。
15、[5]根据[1]至[4]中任一项所述的陶瓷接合体，其中，
16、所述接合层与一对所述陶瓷板中的一个一体地形成。
17、[6]根据[1]至[5]中任一项所述的陶瓷接合体，其中，
18、所述电极层的外缘与所述接合层的内缘之间的所述间隙的宽度尺寸为50μm以上。
19、[7]根据[1]至[6]中任一项所述的陶瓷接合体，其中，
20、一对所述陶瓷板中的至少一个在与另一个所述陶瓷板相对置的面且从厚度方向观察时与所述电极层重叠的部分具有向另一个所述陶瓷板侧突出的突出部。
21、[8]根据[1]至[7]中任一项所述的陶瓷接合体，其中，
22、所述接合层的宽度尺寸的最小值为0.3mm以上且3mm以下。
23、[9]一种静电卡盘装置，其为将由陶瓷形成的静电卡盘部件及由金属形成的温度调整用基底部件经由粘接剂层接合而成的静电卡盘装置，其中，
24、所述静电卡盘部件由[1]至[8]中任一项所述的陶瓷接合体形成。
25、[10]一种陶瓷接合体的制造方法，其为在一对陶瓷板之间设置了电极层的陶瓷板接合体的制造方法，其具有：第1工序，在一对所述陶瓷板中的至少一个上形成凹部；第2工序，在所述凹部的底面形成电极层涂膜；第3工序，以覆盖所述凹部的开口的方式层叠一对所述陶瓷板；及第4工序，对在所述第3工序中层叠的一对所述陶瓷板一边进行加热一边在厚度方向上进行加压，在所述第2工序中，在所述电极层涂膜的外缘与所述凹部的侧壁面之间设置间隙，在所述第2工序中，将所述电极层涂膜的厚度尺寸设为所述凹部的深度尺寸的0.85倍以上且1.5倍以下。
26、专利技术效果
27、根据本专利技术，通过在电极层的外缘与接合层的内缘之间特意地产生间隙，抑制电极层的溢出。由此抑制电荷集中在电极层的溢出部分而成为绝缘击穿的起点。进一步为了抑制间隙中分布的电荷的偏倚，使陶瓷板及接合层包含导电体物质。由此，能够提供一种即使在施加高电压的情况下也能够抑制由于放电而产生陶瓷板的绝缘击穿的陶瓷接合体、静电卡盘装置及陶瓷接合体的制造方法。
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1.一种陶瓷接合体，其具备：
2.根据权利要求1所述的陶瓷接合体，其中，
3.根据权利要求1或2所述的陶瓷接合体，其中，
4.根据权利要求1所述的陶瓷接合体，其中，
5.根据权利要求1所述的陶瓷接合体，其中，
6.根据权利要求1所述的陶瓷接合体，其中，
7.根据权利要求1所述的陶瓷接合体，其中，
8.根据权利要求1所述的陶瓷接合体，其中，
9.一种静电卡盘装置，其为将由陶瓷形成的静电卡盘部件及由金属形成的温度调整用基底部件经由粘接剂层接合而成的静电卡盘装置，其中，
10.一种陶瓷接合体的制造方法，其为在一对陶瓷板之间设置了电极层的陶瓷板接合体的制造方法，其具有：
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种陶瓷接合体，其具备：
2.根据权利要求1所述的陶瓷接合体，其中，
3.根据权利要求1或2所述的陶瓷接合体，其中，
4.根据权利要求1所述的陶瓷接合体，其中，
5.根据权利要求1所述的陶瓷接合体，其中，
6.根据权利要求1所述的陶瓷接合体，其中，
7.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：有川纯，日高宣浩，三浦幸夫，前田进一，
申请(专利权)人：住友大阪水泥股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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