System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种检测晶圆缺陷的方法、装置、系统及介质制造方法及图纸_技高网

一种检测晶圆缺陷的方法、装置、系统及介质制造方法及图纸

技术编号:40627804 阅读:4 留言:0更新日期:2024-03-13 21:14
本公开提供了一种检测晶圆缺陷的方法、装置、系统及介质;该方法包括:在待测晶圆表面的灰度图像中,基于像素点灰阶值筛选出存在缺陷的图像区域;根据所述图像区域的短轴长度值与长轴长度值之间的第一比值,从筛选出的存在缺陷的图像区域中选取出候选图像区域;获取所述候选图像区域的像素点面积与理论面积的第二比值以表征所述候选图像区域的真圆度;将真圆度大于真圆度阈值的候选图像区域所对应的缺陷确定为气孔缺陷。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体制造,尤其涉及一种检测晶圆缺陷的方法、装置、系统及介质


技术介绍

1、通过直拉法拉制获得单晶硅锭之后,可以对单晶硅锭依次进行切割、研磨、抛光、清洗等加工处理工序,从而得到抛光晶圆;在一些情况下,还会在抛光晶圆的径向表面通过化学气相沉积等方式形成具有单晶硅外延层以得到外延晶圆。

2、不论抛光晶圆以及外延晶圆,其存在的缺陷对于后续的集成电路制造工艺过程以及产品良率的影响都越来越大。比如,在上述抛光晶圆或外延晶圆的制造过程中,如果单晶硅材料内部的气体(如氧、氮或其他气体)没有完全被排出,那么就会在抛光晶圆或外延晶圆的内部和表面形成气孔缺陷。对于存在于抛光晶圆或外延晶圆的内部的气孔缺陷来说,通常是由于硅晶体中的气体含量过高,或者在制造过程中没有足够的时间将气体从材料中排出而形成的。对于存在于抛光晶圆或外延晶圆的表面的气孔缺陷来说,通常是由于在制造过程中,材料中的气体在表面聚集而形成的。上述气孔缺陷可能会导致抛光晶圆或外延晶圆内部电荷载流子的分布不均匀,从而影响器件的电气性能。也有可能会减小抛光晶圆或外延晶圆的整体密度和机械强度,使抛光晶圆或外延晶圆在后续加工过程中更容易出现断裂或损伤。还有可能影响光刻和刻蚀过程,使得芯片制造过程中造成图案转移不精确。因此,气孔缺陷需要被准确地检测到,以避免对后续工序产生负面影响。


技术实现思路

1、本公开提供了一种检测晶圆缺陷的方法、装置、系统及介质;能够降低其他类型缺陷(比如颗粒缺陷)被误判为气孔缺陷的概率,提高气孔缺陷的检测准确度。

2、本公开的技术方案是这样实现的:

3、第一方面,本公开提供了一种检测晶圆缺陷的方法,所述方法包括:

4、在待测晶圆表面的灰度图像中,基于像素点灰阶值筛选出存在缺陷的图像区域;

5、根据所述图像区域的短轴长度值与长轴长度值之间的第一比值,从筛选出的存在缺陷的图像区域中选取出候选图像区域;

6、获取所述候选图像区域的像素点面积与理论面积的第二比值以表征所述候选图像区域的真圆度;

7、将真圆度大于真圆度阈值的候选图像区域所对应的缺陷确定为气孔缺陷。

8、第二方面,本公开提供了一种检测晶圆缺陷的装置,所述装置包括:筛选部、选取部、真圆度获取部和确定部;其中,

9、所述筛选部,被配置成在待测晶圆表面的灰度图像中,基于像素点灰阶值筛选出存在缺陷的图像区域;

10、所述选取部,被配置成根据所述图像区域的短轴长度值与长轴长度值之间的第一比值,从筛选出的存在缺陷的图像区域中选取出候选图像区域;

11、所述真圆度获取部,被配置成获取所述候选图像区域的像素点面积与理论面积的第二比值以表征所述候选图像区域的真圆度;

12、所述确定部,被配置成将真圆度大于真圆度阈值的候选图像区域所对应的缺陷确定为气孔缺陷。

13、第三方面,本公开提供了一种计算设备,所述计算设备包括:处理器和存储器;所述处理器用于执行所述存储器中存储的指令,以实现如第一方面所述的检测晶圆缺陷的方法。

14、第四方面,本公开提供了一种计算机存储介质,所述存储介质存储有至少一条指令,所述至少一条指令用于被处理器执行以实现如第一方面所述的检测晶圆缺陷的方法。

15、第五方面,本公开提供了一种检测晶圆缺陷的系统,所述系统包括:用于拍摄待测晶圆表面的灰度图像的拍摄设备和如第四方面所述的计算设备。

16、本公开提供了一种检测晶圆缺陷的方法、装置、系统及介质;利用缺陷所在的图像区域的短轴长度与长轴长度之间的第一比值筛选出候选图像区域,并利用候选图像区域的真实面积与理论面积的第二比值确定气孔缺陷,降低其他类型缺陷(比如颗粒缺陷)被误判为气孔缺陷的概率,提高气孔缺陷的检测准确度。

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【技术保护点】

1.一种检测晶圆缺陷的方法,其特征在于,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在待测晶圆表面的灰度图像中,基于像素点灰阶值筛选出存在缺陷的图像区域,包括:

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述图像区域的短轴长度值与长轴长度值之间的第一比值,从筛选出的存在缺陷的图像区域中选取出候选图像区域,包括:

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述第一阈值为一大于0.6的数值。

7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述获取所述候选图像区域的像素点面积与理论面积的第二比值以表征所述候选图像区域的真圆度,包括:

8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述真圆度阈值为一大于0.9且小于1的数值。

9.一种检测晶圆缺陷的装置,其特征在于,所述装置包括:筛选部、选取部、真圆度获取部和确定部;其中,

10.一种计算设备,其特征在于,所述计算设备包括:处理器和存储器;所述处理器用于执行所述存储器中存储的指令,以实现如权利要求1至8任一所述的检测晶圆缺陷的方法。

11.一种计算机存储介质,其特征在于,所述存储介质存储有至少一条指令,所述至少一条指令用于被处理器执行以实现如权利要求1至8任一所述的检测晶圆缺陷的方法。

12.一种检测晶圆缺陷的系统,其特征在于,所述系统包括:用于拍摄待测晶圆表面的灰度图像的拍摄设备和如权利要求10所述的计算设备。

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【技术特征摘要】

1.一种检测晶圆缺陷的方法,其特征在于,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在待测晶圆表面的灰度图像中,基于像素点灰阶值筛选出存在缺陷的图像区域,包括:

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述图像区域的短轴长度值与长轴长度值之间的第一比值,从筛选出的存在缺陷的图像区域中选取出候选图像区域,包括:

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述第一阈值为一大于0.6的数值。

7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述获取所述候选图像区域的像素点面积与理论面积的第二比值以表征所述候选...

【专利技术属性】
技术研发人员:卢龙龙
申请(专利权)人:西安奕斯伟材料科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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