【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于太阳能电池，具体涉及一种异质结电池及其制备方法。
技术介绍
1、随着太阳能电池的发展，电池转换效率越来越高。异质结电池作为高效电池的发展方向之一，因其结构简单、原材料来源广泛、高开路电压、高转换效率、低的温度系数等诸多优点，在产业中所占比重越来越高。硅基异质结太阳能电池(hjt，heterojunction solarcell with intrinsicthin layer)结构对称，不仅提供了良好的表面钝化，而且其工艺温度低于250℃，制备工艺简单，因其超高的转换效率和发展潜力而备受关注。hjt太阳能电池主要涉及的工艺步骤为：在织构化的晶硅衬底两侧沉积纳米级厚度的本征非晶硅，在本征非晶硅层上沉积掺杂型的非晶硅或者微晶硅层，为了有效的导出电子，需要在掺杂层外侧制备透明导电氧化物导电膜(transparent conducting oxide films，tco)，最后在tco外侧制备金属电极。
2、cn114361281a公开了一种双面异质结太阳能电池及光伏组件。所述双面异质结太阳能电池单晶硅衬底，依次层叠设...
【技术保护点】
1.一种异质结电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述等离子体处理的气体为氢气；
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述退火处理在氢气氛围、硅烷氛围或氮气氛围中进行，优选为氢气氛围；
4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述本征非晶硅层包括本征非晶硅内层和本征非晶硅外层，所述本征非晶硅内层位于硅基体和本征非晶硅外层之间；
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(A)所述沉积的速率为0.4～1.2nm/s；
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