System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 电子装置制造方法及图纸_技高网

电子装置制造方法及图纸

技术编号:40609810 阅读:4 留言:0更新日期:2024-03-12 22:17
本发明专利技术提供一种电子装置,包括基板、栅极线、开关元件以及光检测器。栅极线设置于基板上。开关元件设置于基板上且电性连接至栅极线。光检测器设置于基板上且电性连接至开关元件。光检测器包括半导体。在电子装置的剖面图中,半导体的侧壁与栅极线之间相隔第一距离。第一距离大于或等于2微米且小于或等于6微米。本发明专利技术实施例的电子装置可降低光检测器发生漏电流的问题或可改善检测图像质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电子装置,且尤其涉及一种可降低光检测器发生漏电流的问题或可改善检测图像质量的电子装置。


技术介绍

1、电子装置(例如x光检测器)可运用于医学检测成像和/或非破坏性工业检测。运用x光的穿透特性,使得x光检测器能在不破坏检测物的情况下进行检测,而普遍运用在个人生物检查、机场行李或乘客的安全检查等,对于电子装置的质量要求也日益提高。


技术实现思路

1、本专利技术是针对一种电子装置,其可降低光检测器发生漏电流的问题或可改善检测图像质量。

2、根据本专利技术的实施例,电子装置包括基板、栅极线、开关元件以及光检测器。栅极线设置于基板上。开关元件设置于基板上且电性连接至栅极线。光检测器设置于基板上且电性连接至开关元件。光检测器包括半导体。在电子装置的剖面图中,半导体的侧壁与栅极线之间相隔第一距离。第一距离大于或等于2微米且小于或等于6微米。

3、为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附附图作详细说明如下。

【技术保护点】

1.一种电子装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述第一距离大于或等于3微米且小于或等于5微米。

3.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,还包括:

4.根据权利要求3所述的电子装置,其特征在于,所述第一绝缘层的所述厚度大于或等于1微米且小于或等于2.5微米。

5.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述光检测器还包括第一电极与第二电极,所述半导体设置于所述第一电极与所述第二电极之间,在所述电子装置的剖面图中,所述第一电极与所述第二电极中的至少一者与所述半导体的所述侧壁之间相隔第二距离,所述第二距离大于或等于0.5微米且小于或等于6微米。

6.根据权利要求5所述的电子装置,其特征在于,所述第二距离大于或等于1.5微米且小于或等于4.5微米。

7.根据权利要求5所述的电子装置,其特征在于,还包括:

8.根据权利要求7所述的电子装置,其特征在于,所述第一表面与所述第二表面之间的所述夹角大于2度且小于或等于10度。

9.根据权利要求7所述的电子装置,其特征在于,在所述电子装置的剖面图中,所述第一表面与所述第二表面之间的交点与所述第二电极的边缘之间相隔第三距离,且所述第三距离大于或等于2微米且小于或等于5.5微米。

10.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,还包括:

...

【技术特征摘要】

1.一种电子装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述第一距离大于或等于3微米且小于或等于5微米。

3.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,还包括:

4.根据权利要求3所述的电子装置,其特征在于,所述第一绝缘层的所述厚度大于或等于1微米且小于或等于2.5微米。

5.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述光检测器还包括第一电极与第二电极,所述半导体设置于所述第一电极与所述第二电极之间,在所述电子装置的剖面图中,所述第一电极与所述第二电极中的至少一者与所述半导体的所述侧壁之间相隔第二距离,所述第二距离大于或等于0.5微米...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈亭伃陈进吉
申请(专利权)人:睿生光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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