【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及高分子材料领域，具体为一种耐高温耐溶剂的抗静电底涂液、抗静电层及其制备方法。
技术介绍
1、oled显示设备正快速的向曲面和柔性方向发展，与其搭配的oled用偏光片也会向薄型化和柔性化方向发展。目前，市场上偏光片生产使用量最大的原材料是tac膜，而为了达到特定的光学效果、综合成本等因素，市场已经使用pet等材料去替代一部分tac材料。
2、oled显示设备主要用于电子显示领域，由于静电放电会对电子产品造成损伤和破坏，而偏光片是oled显示设备的重要组成部分，因此偏光片对抗静电能力有严格要求。目前，一般通过在偏光片pet材料上涂布抗静电液形成抗静电功能层，但是，由于偏光片在oled显示设备制造过程中需要先使用有机溶剂清洁然后再进行组装，因此要求抗静电层具有良好的耐溶剂摩擦性能，同时oled显示设置的制造过程会涉及高温、高湿环境，这就要求抗静电层同样具有良好的耐高温性能。目前的抗静电层在经历溶剂擦拭或者高温、高湿环境后会出现发白、发雾现象，严重影响抗静电性能。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种耐高温耐溶剂的抗静电底涂液、抗静电层及其制备方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术提供如下技术方案：
3、一种耐高温耐溶剂抗静电底涂液，包括：a组分：固含量为1.2-1.6％的pedot/pss抗静电液；b组分：固含量为25-35％的含羟基的水性聚氨酯；c组分：固含量为9-11％的改性异氰酸酯；d
4、进一步的，所述a组分与b组分的质量比为：4∶1-3∶1，a组分与c组分的质量比为：40∶1-40∶2，d组分的质量为a组分与b组分总质量的10-12倍，e组分中含有羧基的聚噻吩类导电聚合物、导电性增强剂和硅烷偶联剂的质量分别为a组分质量的0.3-0.7％、8-10％和0.2-0.5％。
5、进一步的，所述c组分为质量比1∶2的水与异丙醇的混合溶液。
6、进一步的，所述a组分与b组分的质量比为4∶1。
7、进一步的，所述含有羧基的聚噻吩类导电聚合物为聚(3-羧基噻吩)、聚(3-甲基-4-羧基噻吩)、聚(3-甲基-4-羧基乙基噻吩)、聚(3-甲基-4-羧基丁基噻吩)中的一种或多种。
8、进一步的，所述导电性增强剂为分子内具有酰胺基的化合物，包括但不限于2-吡咯烷酮、n-甲基吡咯烷酮、n-乙烯基吡咯烷酮、n-甲基甲酰胺、甲酰胺、乙酰胺、n，n-二甲基甲酰胺中的一种或多种。
9、进一步的，所述硅烷偶联剂为含有环氧基的硅烷偶联剂，包括但不限于3-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧丙基三乙氧基硅烷。
10、进一步的，所述表面活性剂为非离子表面活性剂，具体为一种乙氧基化炔二醇类的表面活性剂。
11、进一步的，所述表面活性剂的质量为a组分质量的0.2-0.5％。
12、进一步的，所述ph调节剂为胺类化合物，包括但不限于n，n-二甲基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺中的一种或多种。
13、进一步的，所述ph调节剂的质量为a组分质量的1-3％。
14、本专利技术还公开了一种耐高温耐溶剂的抗静电层，所述抗静电层由前述抗静电液制备得到，所述抗静电层的厚度为0.05～0.1μm。
15、本专利技术还公开了一种耐高温耐溶剂的抗静电层的制备方法，包括以下步骤：
16、s1.将d组分和e组分中除表面活性剂外的其它组分混合，搅拌均匀，得到混合液，然后依次向混合液中加入a组分、b组分和c组分，分散后静置20-30min，最后加入表面活性剂分散均匀，得到抗静电底涂液。
17、s2.将步骤s1制备得到的抗静电底涂液涂布于pet基材上，控制干燥涂层厚度为0.05-0.1μm，在120℃下固化1min，得到稳定的耐高温耐溶剂的抗静电层。
18、本专利技术还公开了一种耐高温耐溶剂抗静电层在偏光片中的应用。
19、与现有技术相比，本专利技术所达到的有益效果是：
20、本专利技术通过在抗静电底涂液中掺入含有羧基的聚噻吩类导电聚合物并配合含有环氧基的硅烷偶联剂、含羟基水性聚氨酯以及改性异氰酸酯，在热固化过程中羧基、羟基、环氧基、异氰酸酯基之间通过氢键作用、化学交联反应作用，形成稳定的互穿网络结构，提高抗静电层的交联密度，进而增强抗静电层的耐高温性、耐溶剂性、耐摩擦性。通过官能团之间的化学交联以及氢键作用，有效防止抗静电成分在高温高湿条件下的迁移析出，进而有效解决了抗静电层在高温高湿条件下的发白、发雾以及抗静电性能下降的问题。通过合理调整抗静电层中各组分的用量，制备得到了抗静电性、耐高温性和耐溶剂性均优异的抗静电层。
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1.一种耐高温耐溶剂的抗静电底涂液，其特征在于，包括：A组分：固含量为1.2-1.6％的PEDOT/PSS抗静电液；B组分：固含量为25-35％的含羟基的水性聚氨酯；C组分：固含量为9-11％的改性异氰酸酯；D组分：水和异丙醇的混合溶液；E组分：含有羧基的聚噻吩类导电聚合物、导电性增强剂、硅烷偶联剂、表面活性剂和pH调节剂。
2.根据权利要求1所述的一种耐高温耐溶剂的抗静电底涂液，其特征在于，所述A组分与B组分的质量比为：4∶1-3∶1，A组分与C组分的质量比为：40∶1-40∶2，D组分的质量为A组分与B组分总质量的10-12倍，E组分中含有羧基的聚噻吩类导电聚合物、导电性增强剂和硅烷偶联剂的质量分别为A组分质量的0.3-0.7％、8-10％和0.2-0.5％。
3.根据权利要求1所述的一种耐高温耐溶剂的抗静电底涂液，其特征在于，所述含有羧基的聚噻吩类导电聚合物为聚(3-羧基噻吩)、聚(3-甲基-4-羧基噻吩)、聚(3-甲基-4-羧基乙基噻吩)、聚(3-甲基-4-羧基丁基噻吩)中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的一种耐高温耐溶剂的抗静电
5.根据权利要求1所述的一种耐高温耐溶剂的抗静电底涂液，其特征在于，所述硅烷偶联剂为含有环氧基的硅烷偶联剂，具体为3-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷和/或3-缩水甘油醚氧丙基三乙氧基硅烷。
6.根据权利要求1所述的一种耐高温耐溶剂的抗静电底涂液，其特征在于，所述表面活性剂为非离子表面活性剂，所述表面活性剂的质量为A组分质量的0.2-0.5％。
7.根据权利要求1所述的一种耐高温耐溶剂的抗静电底涂液，其特征在于，所述pH调节剂为胺类化合物，所述pH调节剂的质量为A组分质量的1-3％。
8.一种耐高温耐溶剂的抗静电层，其特征在于，所述抗静电层由权利要求1-7任一项所述的抗静电底涂液制备得到，所述抗静电层的厚度为0.05～0.1μm。
9.根据权利要求8所述的一种耐高温耐溶剂的抗静电层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
10.一种抗静电层在偏光片中的应用，其特征在于，所述抗静电层为权利要求8的耐高温耐溶剂的抗静电层。
...【技术特征摘要】
1.一种耐高温耐溶剂的抗静电底涂液，其特征在于，包括：a组分：固含量为1.2-1.6％的pedot/pss抗静电液；b组分：固含量为25-35％的含羟基的水性聚氨酯；c组分：固含量为9-11％的改性异氰酸酯；d组分：水和异丙醇的混合溶液；e组分：含有羧基的聚噻吩类导电聚合物、导电性增强剂、硅烷偶联剂、表面活性剂和ph调节剂。
2.根据权利要求1所述的一种耐高温耐溶剂的抗静电底涂液，其特征在于，所述a组分与b组分的质量比为：4∶1-3∶1，a组分与c组分的质量比为：40∶1-40∶2，d组分的质量为a组分与b组分总质量的10-12倍，e组分中含有羧基的聚噻吩类导电聚合物、导电性增强剂和硅烷偶联剂的质量分别为a组分质量的0.3-0.7％、8-10％和0.2-0.5％。
3.根据权利要求1所述的一种耐高温耐溶剂的抗静电底涂液，其特征在于，所述含有羧基的聚噻吩类导电聚合物为聚(3-羧基噻吩)、聚(3-甲基-4-羧基噻吩)、聚(3-甲基-4-羧基乙基噻吩)、聚(3-甲基-4-羧基丁基噻吩)中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的一种耐高温耐溶剂的抗静电底涂液，其特征在于，所述导电性增强剂为分子内具有...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚志毅，周奎任，
申请(专利权)人：苏州世华新材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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