【技术实现步骤摘要】
本揭露是有关于一种功率半导体。
技术介绍
1、功率模组中需要额外的二极管和场效晶体管并联以保护整体电路并提高整体效能。然而，功率半导体元件中的场效晶体管与二极管为分开的两个封装，工艺较为复杂且成本较高。此外，虽然场效晶体管本身具有寄生二极管，但是面积较小，可承载的电流较低，无法达到产品需求。
2、有鉴于此，如何提供一种可克服上述问题的功率半导体仍是目前业界努力研究的目标之一。
技术实现思路
1、本揭露的一技术态样为一种功率半导体。
2、在本揭露一实施例中，功率半导体包含基底层、磊晶层、源极电极以及第一金属层。基底层包含主动区、缓冲区以及终端区。缓冲区围绕主动区，终端区围绕主动区。磊晶层位在基底层上。磊晶层位在主动区、缓冲区以及终端区中，且磊晶层具有第一导电类型。源极电极位在主动区中。第一金属层位在缓冲区中。第一金属层与源极电极相连。
3、在本揭露一实施例中，功率半导体还包含栅极电极以及第一氧化物层。栅极电极位在主动区中。第一氧化物层位在主动区中，其中第一氧化物层包围栅极电极，且第一金属层围绕栅极电极以及第一氧化物层。
4、在本揭露一实施例中，功率半导体还包含第二氧化物层，位在终端区中。
5、第二氧化物层与第一氧化物层相连。
6、在本揭露一实施例中，终端区位在主动区与缓冲区之间，且缓冲区围绕终端区。
7、在本揭露一实施例中，功率半导体还包含第二氧化物层，位在终端区中。
8、第二氧化物层围绕
9、在本揭露一实施例中，缓冲区位在主动区与终端区之间，且终端区围绕缓冲区。
10、在本揭露一实施例中，磊晶层还包含掺杂区。掺杂区位在缓冲区中。掺杂区位在磊晶层面对第一金属层的一侧，且掺杂区具有第二导电类型。
11、在本揭露一实施例中，磊晶层还包含多个掺杂区。掺杂区位在缓冲区中。掺杂区位在磊晶层面对第一金属层的一侧，且掺杂区具有第二导电类型。
12、在本揭露一实施例中，磊晶层包含多个沟槽。沟槽位在缓冲区中。第一金属层延伸至磊晶层的沟槽中，且沟槽位在掺杂区上方。
13、在本揭露一实施例中，磊晶层包含多个沟槽。沟槽位在缓冲区中。第一金属层延伸至磊晶层的沟槽中，且掺杂区围绕沟槽。
14、在上述实施例中，功率半导体的第一金属层与源极电极相连，使缓冲区中的二极管做为与主动区中的金氧半场效晶体管并联的二极管。如此一来，可扩大寄生二极管面积并提高寄生二极管的电流。本揭露的主动区、缓冲区以及终端区是形成于同一封装内。第一金属层与源极电极为一体成形。换句话说，缓冲区的工艺可与主动区的工艺结合，使得功率半导体在减少一个封装的状况下同时具有保护电路及提高效能的技术功效。因此，本揭露的功率半导体还可具有降低成本及缩减体积的效果。
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1.一种功率半导体，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的功率半导体，其中，还包含：
3.根据权利要求2所述的功率半导体，其中，还包含：
4.根据权利要求1、2、3中任一项所述的功率半导体，其中所述终端区位在所述主动区与所述缓冲区之间，且所述缓冲区围绕所述终端区。
5.根据权利要求1所述的功率半导体，其中，还包含：
6.根据权利要求1、2、5中任一项所述的功率半导体，其中所述缓冲区位在所述主动区与所述终端区之间，且所述终端区围绕所述缓冲区。
7.根据权利要求1、2、3、5中任一项所述的功率半导体，其中所述磊晶层还包含掺杂区，所述掺杂区位在所述缓冲区中，所述掺杂区位在所述磊晶层面对所述第一金属层的一侧，且所述掺杂区具有第二导电类型。
8.根据权利要求1所述的功率半导体，其中所述磊晶层还包含多个掺杂区，所述掺杂区位在所述缓冲区中，所述多个掺杂区位在所述磊晶层面对所述第一金属层的一侧，且所述多个掺杂区具有第二导电类型。
9.根据权利要求8所述的功率半导体，其中所述磊晶层包含多个沟槽，所
10.根据权利要求8所述的功率半导体，其中所述磊晶层包含多个沟槽，所述多个沟槽位在所述缓冲区中，所述第一金属层延伸至所述磊晶层的所述多个沟槽中，且所述多个掺杂区围绕所述多个沟槽。
...【技术特征摘要】
1.一种功率半导体，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的功率半导体，其中，还包含：
3.根据权利要求2所述的功率半导体，其中，还包含：
4.根据权利要求1、2、3中任一项所述的功率半导体，其中所述终端区位在所述主动区与所述缓冲区之间，且所述缓冲区围绕所述终端区。
5.根据权利要求1所述的功率半导体，其中，还包含：
6.根据权利要求1、2、5中任一项所述的功率半导体，其中所述缓冲区位在所述主动区与所述终端区之间，且所述终端区围绕所述缓冲区。
7.根据权利要求1、2、3、5中任一项所述的功率半导体，其中所述磊晶层还包含掺杂区，所述掺杂区位在所述缓冲区中，所述掺杂区位在...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈彥儒，
申请(专利权)人：鸿扬半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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