【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光敏剂，具体而言，涉及一种多羟基酚化合物及其制备方法、重氮萘醌磺酸酯及其制备方法和光刻胶组合物。
技术介绍
1、用作集成电路制造的正性光刻胶组合物通常包含碱溶性树脂，例如线性酚醛树脂，以及含有重氮萘醌化合物的光敏剂。正性光刻胶组合物可以通过旋涂或辊涂以0.5～3μm的厚度涂布在基材上，例如半导体晶片，玻璃，陶瓷或金属等。之后，将涂层加热并干燥，紫外线通过掩膜照射到该涂层上完成曝光过程。然后，对曝光后的光刻胶涂层进行显影从而在基材上形成正性图案。此外,可以使用正像作为掩模来蚀刻基板,从而在基板上形成期望的图案。显影完成后，需要对涂层再次进行高温处理，此过程被称为坚膜。大多数情况下，基材经过曝光、显影和坚膜处理后，会用刻蚀剂溶液或等离子体进行处理，以上过程被称为湿法刻蚀或干法刻蚀。
2、在形成精细光刻胶图案的方法中，最有效的方法是利用具有高分辨率、高对比度的光刻胶，通过曝光装置和显影过程引入可以获得上述精细光刻胶图案。正性光刻胶由于可以得到高分辨率和高抗刻蚀性的图案而经常用于集成电路的制造。正性光刻胶组合物通常包含...
【技术保护点】
1.一种多羟基酚化合物，其特征在于，所述多羟基酚化合物具有如下式(I)所示结构：
2.根据权利要求1所述的多羟基酚化合物，其特征在于，R1、R2、R3各自独立地表示氢、C1～C6直链或支链烷基、C6～C12的芳基、C1～C6烷氧基。
3.根据权利要求1所述的多羟基酚化合物，其特征在于，所述多羟基酚化合物选自如下结构化合物中的至少一种：
4.一种多羟基酚化合物的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1，所述原料a和所述原料b的摩尔比为1:2～20，优选为1:3～1...
【技术特征摘要】
1.一种多羟基酚化合物，其特征在于，所述多羟基酚化合物具有如下式(i)所示结构：
2.根据权利要求1所述的多羟基酚化合物，其特征在于，r1、r2、r3各自独立地表示氢、c1～c6直链或支链烷基、c6～c12的芳基、c1～c6烷氧基。
3.根据权利要求1所述的多羟基酚化合物，其特征在于，所述多羟基酚化合物选自如下结构化合物中的至少一种：
4.一种多羟基酚化合物的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤s1，所述原料a和所述原料b的摩尔比为1:2～20，优选为1:3～15，进一步优选为1:4～10；
6.一种重氮萘醌磺酸酯...
【专利技术属性】
技术研发人员：钱彬，周晓龙，张学龙，王孟雪，
申请(专利权)人：常州强力电子新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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