一种光敏神经突触薄膜晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种光敏神经突触薄膜晶体管包括：衬底；栅电极，栅电极形成于所述衬底上；栅介质层，栅介质层形成于所述栅电极上；沟道层，沟道层形成与所述栅介质层上，所述沟道层为锌锡氧氮氟薄膜；源电极和漏电极，所述源电极和漏电极形成于沟道层上，且源电极和漏电极分隔独立。该薄膜晶体管具有较高的化学稳定性和可见光光响应强度。本发明专利技术还提供了一种光敏神经突触薄膜晶体管的制备方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光电器件，具体涉及一种光敏神经突触薄膜晶体管及其制备方法。

技术介绍

1、受生物神经形态系统的启发，人工突触晶体管可以同时感知、记忆和处理大量信息，为克服神经形态计算的冯诺依曼瓶颈铺平了道路。在人工突触器件中，光电突触器件因其优势而备受学者关注。与传统的电突触晶体管相比，光电突触器件能够以光学方式模拟突触可塑性行为及其相关功能，而且光输入信号的低功耗和低干扰有利于高速、高密度地处理海量信息，从而实现光神经形态计算和人工视觉感知系统。

2、目前，各种结构的光电器件被用来模拟生物突触的特性，其中基于非晶氧化物半导体的三端薄膜晶体管结构被认为具有优异的突触性能。锌锡氧氮薄膜材料在承继金属氧化物材料在大面积制备、工艺兼容性、光电突触特性等方面优势的同时，其光电响应范围可延至整个可见光区，满足宽光谱光响应薄膜晶体管沟道层要求，可以有效解决传统金属氧化物神经突触薄膜晶体管存在的可见光响应灵敏度较低的问题。

3、公开号为cn106206681a的中国专利公开了一种薄膜晶体管及制备方法和交互式显示装置，其中，薄膜晶体管包括衬底、栅电极本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光敏神经突触薄膜晶体管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的光敏神经突触薄膜晶体管，其特征在于，所述锌锡氧氮氟薄膜的化学式为ZnaSnbOxNvFz，其中，以原子百分比计，40≤a≤70，2≤b≤30，10≤x≤45，1≤y≤30，1≤z≤30，且a+b+x+y+z＝100。

3.根据权利要求2所述的光敏神经突触薄膜晶体管，其特征在于，氟元素的原子百分比为1-10。

4.根据权利要求1所述的光敏神经突触薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道层的厚度为20nm-100nm。

5.根据权利要求1所述的光敏神经突触薄膜晶体管，其特征在于...

【技术特征摘要】

1.一种光敏神经突触薄膜晶体管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的光敏神经突触薄膜晶体管，其特征在于，所述锌锡氧氮氟薄膜的化学式为znasnboxnvfz，其中，以原子百分比计，40≤a≤70，2≤b≤30，10≤x≤45，1≤y≤30，1≤z≤30，且a+b+x+y+z＝100。

3.根据权利要求2所述的光敏神经突触薄膜晶体管，其特征在于，氟元素的原子百分比为1-10。

4.根据权利要求1所述的光敏神经突触薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道层的厚度为20nm-100nm。

5.根据权利要求1所述的光敏神经突触薄膜晶体管，其特征在于，所述衬底的材料为硅片、玻璃、塑料、氮化铝、碳化硅、蓝宝石、石英或氮化镓。

6.根据权利要求1所述的光敏...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁凌燕，刘小涵，曹鸿涛，
申请(专利权)人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，
类型：发明
国别省市：