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本发明公开了一种光敏神经突触薄膜晶体管包括：衬底；栅电极，栅电极形成于所述衬底上；栅介质层，栅介质层形成于所述栅电极上；沟道层，沟道层形成与所述栅介质层上，所述沟道层为锌锡氧氮氟薄膜；源电极和漏电极，所述源电极和漏电极形成于沟道层上，且源电...
该专利属于中国科学院宁波材料技术与工程研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院宁波材料技术与工程研究所授权不得商用。

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