半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体装置，半导体装置包括：第一导电类型的漂移层；第二导电类型的阱区；介质层，介质层设置于阱区的上表面；栅极焊盘，栅极焊盘设置于介质层上表面；场截止层，场截止层设置于漂移层的下表面；第二导电类型的集电极层，集电极层设置于场截止层的下表面，集电极层的至少部分设置有发射极层，发射极层位于半导体装置的快恢复二极管区域中，发射极层与栅极焊盘上下对应。由此，通过在集电极层对应栅极焊盘的下方设置发射极层，这样不仅可以使半导体装置反向导通，而且还可以提高半导体装置的集成度，从而在实现半导体装置反向导通的同时，缩小半导体装置的尺寸。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其是涉及一种半导体装置。

技术介绍

1、在半导体器件中，逆导型导通绝缘栅型双极晶体管是指在单个芯片上集成了绝缘栅型双极晶体管和续流二极管或者快恢复二极管。一般而言，行业中通常将绝缘栅型双极晶体管和快恢复二极管通过集总式或分布式的方法，集成在芯片的元胞区，二者共用终端，从而实现了集成度较高的逆导型导通绝缘栅型双极晶体管，无需再通过封装将绝缘栅型双极晶体管和快恢复二极管两个分立器件连接起来。

2、现有技术中，由于绝缘栅型双极晶体管和快恢复二极管共用器件的元胞区，为了达到绝缘栅型双极晶体管器件的理论性能，在芯片设计的时候，需要通过增加元胞区的面积来容纳快恢复二极管区域。因此，随着芯片面积的变大，同样尺寸的晶圆上，可以生产的芯片数量减少，在成本上进行了一定的妥协。

技术实现思路

1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种半导体装置，该半导体装置的集成度更高。

2、根据本专利技术实施例的半导体装置，包括：第一导电类型的漂本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述阱区(101)第一方向上宽度为W1，所述发射极层(5)第一方向上的宽度为W2，W1和W2满足关系式：W1＞W2。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述发射极层(5)在上下方向上的横截面呈在第一方向上连续的长条形。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述发射极层(5)在上下方向上的横截面包括多个发射部(501)，多个所述发射部(501)在第一方向上间隔设置，多个所述发射部(501)在第一方向上的宽度之和为W2，多个所述发射部(501)...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述阱区(101)第一方向上宽度为w1，所述发射极层(5)第一方向上的宽度为w2，w1和w2满足关系式：w1＞w2。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述发射极层(5)在上下方向上的横截面呈在第一方向上连续的长条形。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述发射极层(5)在上下方向上的横截面包括多个发射部(501)，多个所述发射部(501)在第一方向上间隔设置，多个所述发射部(501)在第一方向上的宽度之和为w2，多个所述发射部(501)第一方向上的宽度均相同；或多个所述发射部(501)第一方向上的宽度不完全相同。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，从俯视视角看，所述发射极层(5)为正方形、圆角矩形、圆形、小椭圆和六边形中的至少一种；和/或，所述发射极层(5)为多个小正方形、小圆形、小椭圆、小圆角矩形中的至少两种组合而成。

6.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述漂移层(1)在对应所述半导体装置(100)的有源区(6)的部分设置有多个第一方向间隔设置的沟槽部(7)，相邻两个所述沟槽部(7)在第一方向上的间隔距离为l1，多个所述沟槽部(7)中邻近所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘子俭，陈道坤，储金星，周文杰，张永旺，刘恒，杨晶杰，何濠启，史世平，邹苹，
申请(专利权)人：海信家电集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：