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本发明公开了一种半导体装置，半导体装置包括：第一导电类型的漂移层；第二导电类型的阱区；介质层，介质层设置于阱区的上表面；栅极焊盘，栅极焊盘设置于介质层上表面；场截止层，场截止层设置于漂移层的下表面；第二导电类型的集电极层，集电极层设置于场截...
该专利属于海信家电集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海信家电集团股份有限公司授权不得商用。

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