【技术实现步骤摘要】
本申请涉及工业设备领域，特别是涉及一种3d倒装的半导体晶粒堆叠产品的封装方法，以及使用基于该方法得到的产品所制备的半导体器件。
技术介绍
1、近年来，随着硅贯穿通孔（through-silicon via，tsv）技术的提出及高速发展，热压键合（thermal compression bonding，tcb）技术的研发进度与封装应用面向越来越广。目前，针对3d倒装的半导体晶粒堆叠产品（也可以称为3d-fc叠die产品）的封装，主流工艺是采用tcb技术进行热压焊接，同时结合非导电粘合膜（ncf）预底部填充的方式，实现逐层倒装焊接及间隙填充。
2、通常进行tcb焊接时可以使用键合模组逐颗抓取芯片晶粒并贴装焊接。由于采用热压方式，每一颗芯片晶粒都需要单独受热并持续一定时间，才可以达到焊接目的。也就是说，在完成一颗芯片晶粒的焊接后，再进行下一刻芯片晶粒的焊接。这使得作业效率较低。
技术实现思路
1、本申请所要解决的技术问题在于，如何提高芯片封装的作业效率。
2、为了解决上述...
【技术保护点】
1.一种封装方法，所述封装方法用于实现对由多片半导体晶粒相互堆叠而成的堆叠体的封装，其特征在于，所述封装方法包括：
2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述粘合剂包括非导电粘合膜。
3.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，在各个预堆叠操作中，所述非导电粘合膜相同或不同。
4.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述利用所述非导电粘合膜在升温条件下粘合上位对象于所述下位对象之上所需的第一时间小于利用所述压膜设备对所述候选堆叠体执行热压贴合操作所需的第二时间。
5.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在...
【技术特征摘要】
1.一种封装方法，所述封装方法用于实现对由多片半导体晶粒相互堆叠而成的堆叠体的封装，其特征在于，所述封装方法包括：
2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述粘合剂包括非导电粘合膜。
3.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，在各个预堆叠操作中，所述非导电粘合膜相同或不同。
4.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述利用所述非导电粘合膜在升温条件下粘合上位对象于所述下位对象之上所需的第一时间小于利用所述压膜设备对所述候选堆叠体执行热压贴合操作所需的第二时间。
5.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述多个预堆叠操作包括两个预堆叠操作。
6.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：张景南，王嘉磊，陈明展，
申请(专利权)人：南京屹立芯创半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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