【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及印制线路板制作的，具体的是一种解决马达线圈板超细线距蚀刻技术。
技术介绍
1、本部分的描述仅提供与本专利技术公开相关的背景信息，而不构成现有技术。
2、马达线圈板上的铜厚一般为30-35um、线宽为20um，因此，马达线圈板上的铜厚尺寸大于线宽尺寸，线距极细，也就是说，马达线圈板上的线宽与铜厚和一般产品的电路板中线宽与铜厚尺寸大小对比相反，一般线路板产品中的线宽尺寸小于铜厚尺寸。
3、利用常规流程制作的铜厚尺寸大于线宽尺寸的线路板，由于镀铜的z轴方向难以达到理想的垂直效果，会显著地增大局部电阻值，而马达线圈板对整个长线路的电阻值一致性要求较高。所以，导致在马达线圈板生产过程中，在满足蚀刻因子的条件下，利用常规流程的蚀刻技术是难以实现线路板制作的，往往会导致线路上下面铜宽不一致的情况，上铜面尺寸常常大于底铜面，线路电阻不能够保持一致性。
4、因此，现在还没有一种解决马达线圈板超细线距蚀刻技术，能够解决上述问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是为了能提供一种高效自动化的解决马达线圈板超细线距蚀刻技术，解决当前镂空线翘曲导致的机构磨损或机构总厚度增加的问题。
2、为了实现上述目的，本专利技术公开了以下一种解决马达线圈板超细线距蚀刻技术，包括以下步骤：
3、步骤1：准备好待加工电路板，在所述电路板的表面压制一层绝缘层；
4、步骤2：通过镭射去除部分的所述绝缘层并形成盲孔；
5、步骤3：通
6、步骤4：在所述薄铜层表面进行干膜显影操作；
7、步骤5：对显影后的所述电路板进行电镀铜操作；
8、步骤6：对电镀铜后的所述电路板进行去膜操作；
9、步骤7：对去膜后的所述电路板进行线路闪蚀操作，去除多余的所述薄铜层。
10、进一步地，可对所述电路板的两面进行同步操作。
11、进一步地，所述绝缘层为abf膜。
12、进一步地，在步骤2之后通过plasma工艺对所述盲孔表面进行清理，然后通过desmear工艺去除所述盲孔中的残胶，并最终进行盲孔aoi检测。
13、进一步地，步骤3中的所述化铜工艺为pth薄铜工艺，所述薄铜层的厚度在0.8-1.2um之间。
14、进一步地，步骤4中的干膜显影操作包括在所述薄铜层表面依次进行的贴膜、曝光、显影、硬化和检测操作，并最终形成垂直于所述薄铜层表面的干膜缝隙。
15、进一步地，步骤5中的电镀铜所形成的铜厚不厚与所述干膜缝隙的厚度。
16、借由以上的技术方案，本专利技术的有益效果如下：
17、本专利技术的解决马达线圈板超细线距蚀刻技术通过在绝缘层上进行化铜工艺，提前在绝缘层上形成一层薄铜，并继续在薄铜层上进行干膜显影，通过显影后留下的干膜进行镀铜操作。由于干膜显影几乎无under cut的特点，也就是说干膜的边缘几乎不会被溶液侵蚀，从而保持了良好的线宽和线距的精度，使得后续在干膜中进行电镀铜时，电镀铜保持较为精准的与薄铜层表面垂直的z轴方向而不偏斜，不会出现现有技术中的上下面铜宽不一致的情况，通过本专利技术的技术手段，干膜显影产生的上下面宽差小于3nm，相比蚀刻因子3.5可能会导致面宽差20nm左右，有着显著的进步。通过本专利技术中技术手段的处理，上铜面尺寸与底铜面尺寸一致，线路电阻能够保持一致性，可高效地实现高精度的马达线圈板产出工作。
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1.一种解决马达线圈板超细线距蚀刻技术，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的解决马达线圈板超细线距蚀刻技术，其特征在于：可对所述电路板的两面进行同步操作。
3.根据权利要求1所述的解决马达线圈板超细线距蚀刻技术，其特征在于：所述绝缘层为ABF膜。
4.根据权利要求1所述的解决马达线圈板超细线距蚀刻技术，其特征在于：在步骤2之后通过plasma工艺对所述盲孔表面进行清理，然后通过desmear工艺去除所述盲孔中的残胶，并最终进行盲孔AOI检测。
5.根据权利要求1所述的解决马达线圈板超细线距蚀刻技术，其特征在于：步骤3中的所述化铜工艺为PTH薄铜工艺，所述薄铜层的厚度在0.8-1.2um之间。
6.根据权利要求1所述的解决马达线圈板超细线距蚀刻技术，其特征在于：步骤4中的干膜显影操作包括在所述薄铜层表面依次进行的贴膜、曝光、显影、硬化和检测操作，并最终形成垂直于所述薄铜层表面的干膜缝隙。
7.根据权利要求6所述的解决马达线圈板超细线距蚀刻技术，其特征在于：步骤5中的电镀铜所形成的铜厚不厚与所述干
...【技术特征摘要】
1.一种解决马达线圈板超细线距蚀刻技术，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的解决马达线圈板超细线距蚀刻技术，其特征在于：可对所述电路板的两面进行同步操作。
3.根据权利要求1所述的解决马达线圈板超细线距蚀刻技术，其特征在于：所述绝缘层为abf膜。
4.根据权利要求1所述的解决马达线圈板超细线距蚀刻技术，其特征在于：在步骤2之后通过plasma工艺对所述盲孔表面进行清理，然后通过desmear工艺去除所述盲孔中的残胶，并最终进行盲孔aoi检测。
【专利技术属性】
技术研发人员：皇甫铭，郑治国，
申请(专利权)人：福莱盈电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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