【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种钝化结构、太阳能电池及制备方法。
技术介绍
1、针对使用硅片作为基体的太阳能电池(特别针对硅基异质结太阳能电池)，在硅基体与掺杂层之间设置钝化层将直接影响太阳能电池的性能。
2、目前，采用等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemicalvapordeposition，pecvd)制备钝化层的方式主要采用比较单一的反应条件和反应气体制备单层的钝化层。现有的这种单层的钝化层，在几个纳米厚度的情况下无法达到对硅片表面的完全钝化，导致太阳能电池的性能降低。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供一种钝化结构、太阳能电池及制备方法，该钝化结构应用于太阳能电池的硅基体与掺杂层之间，通过设计叠层结构的钝化结构，可以有效地提高该钝化结构对太阳能电池的钝化效果，并能够使该钝化结构具有比较好的电学性能。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术提供以下技术方案：
3、第一方面，本专利技术提供一种钝化结构，应用于太阳能电池的硅基体与掺杂层之间，包括：
4、铺设于所述硅基体上的第一层叠钝化层，其中，所述第一层叠钝化层包括有层叠设置的至少两层第一类钝化膜，至少两层所述第一类钝化膜的微结构因子在远离所述硅基体方向上呈阶梯递减分布；
5、层叠于所述第一层叠钝化层上的第二层叠钝化层，其中，所述第二层叠钝化层包括有层叠设置的至少两层第二类钝化膜，至少两层所述第二类钝化膜的微结构因子在远离所述第一层叠钝化层方向上呈
6、层叠于所述第二层叠钝化层上的增强钝化层。
7、第二方面，本专利技术实施例提供一种太阳能电池，包括：硅基体及铺设于所述硅基体的至少一个主表面上的第一方面实施例提供的钝化结构。
8、第三方面，本专利技术实施例提供第一方面实施例提供的钝化结构的制备方法，包括：
9、步骤a：在应用于太阳能电池的硅基体的主表面上，形成层叠的至少两层第一类钝化膜，并调控至少两层所述第一类钝化膜的形成条件，使至少两层所述第一类钝化膜的微结构因子在远离所述硅基体方向上呈阶梯递减分布；
10、步骤b：在层叠的至少两层所述第一类钝化膜上，形成层叠的至少两层第二类钝化膜，并调控至少两层所述第二类钝化膜的形成条件，使至少两层所述第二类钝化膜的微结构因子在远离所述第一类钝化膜方向上呈阶梯递增分布。
11、第四方面，本专利技术实施例提供太阳能电池的制备方法，包括上述第三方面实施例提供的钝化结构的制备方法。
12、上述专利技术的第一方面的技术方案具有如下优点或有益效果：
13、1、本专利技术实施例提供的应用于太阳能电池的硅基体与掺杂层之间的钝化结构，由于其所包括的铺设于硅基体上的第一层叠钝化层包括层叠设置的至少两层第一类钝化膜，通过膜层形成过程调控，使其所形成的化学结构大部分是硅原子之间成键，且有一定含量的硅氢键，硅硅化学键处于无序状态，该膜层属于非晶硅膜；虽然硅硅化学键处于无序状态的第一层叠钝化层具有一定量的空位、结构缺陷甚至是微孔，但是，其可以适当增加与硅片接触膜层的氢含量与禁带宽度值，可以提高钝化效果。另外，层叠于第一层叠钝化层上的第二层叠钝化层，由于其所包括的层叠设置的至少两层第二类钝化膜，该第二层叠钝化层通过调控膜层形成过程，相比于第一层叠钝化层，该第二层叠钝化层调控具有比较高的有序度，有利于载流子的导通，并进一步通过在第二层叠钝化层上层叠形成的增强钝化层，进一步钝化层的提升有序度及载流子的导通性能，并通过增强钝化层与该两个层叠钝化层相配合，有效地改善太阳能电池的电学性能。因此，本专利技术实施例提供的钝化结构，可以有效地提高该钝化结构对太阳能电池的钝化效果，并能够使该钝化结构具有比较好的电学性能。
14、2、本专利技术实施例提供的钝化结构通过设计至少两层第一类钝化膜的微结构因子在远离硅基体方向上呈阶梯递减分布，提高外层第一类钝化膜的化学结构的排列有序性，以阻挡第二层叠钝化层形成过程所产生的高能离子(比如氢等离子体)到达硅基体表面，避免对硅基体表面的损伤破坏，避免因高能碰撞导致硅片表面以下几个原子层的破坏，也避免在硅片表面因氢等离子体存在而使得硅膜在硅片表面的外延生长进而破坏钝化效果。
15、3、本专利技术实施例提供的钝化结构通过设计至少两层第二类钝化膜的微结构因子在远离第一层叠钝化层方向上呈阶梯递增分布，并增设层叠在第二层叠钝化层上的增强钝化层，可以有效地提高第二层叠钝化层的电学性能。另外，与第一层叠钝化层相配合，一方面阻挡靠近第一叠钝化层的第二类钝化膜形成过程所产生的高能离子(比如氢等离子体)到达硅基体表面，另一方面，能够使离第一叠钝化层比较远的第二类钝化膜形成过程中的氢原子到达第一叠钝化层与硅片的形成界面，界面的氢原子进一步钝化该界面上的缺陷，加强了第一层叠钝化层与第二层叠钝化层对硅片的钝化效果。
16、4、第一层叠钝化层、第二层叠钝化层及增强钝化层的层叠设计(即第二层叠钝化层层叠于第一层叠钝化层上)，不仅有助于提高第一层叠钝化层的钝化效果，而且能够提高钝化结构的电学性能。
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1.一种钝化结构，其特征在于，应用于太阳能电池的硅基体(10)与掺杂层(30)之间，包括：
2.根据权利要求1所述的钝化结构，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的钝化结构，其特征在于，
4.根据权利要求1或2所述的钝化结构，其特征在于，
5.根据权利要求1或2所述的钝化结构，其特征在于，
6.根据权利要求1或2所述的钝化结构，其特征在于，
7.根据权利要求5所述的钝化结构，其特征在于，
8.一种太阳能电池，其特征在于，包括：硅基体及铺设于所述硅基体的至少一个主表面上的权利要求1至7任一所述的钝化结构。
9.权利要求1至7任一所述的钝化结构的制备方法，其特征在于，包括：
10.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括权利要求9所述的钝化结构的制备方法。
【技术特征摘要】
1.一种钝化结构，其特征在于，应用于太阳能电池的硅基体(10)与掺杂层(30)之间，包括：
2.根据权利要求1所述的钝化结构，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的钝化结构，其特征在于，
4.根据权利要求1或2所述的钝化结构，其特征在于，
5.根据权利要求1或2所述的钝化结构，其特征在于，
6.根据权利要求1或2所述的钝化...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈孝业，张俊兵，蒋秀林，
申请(专利权)人：晶澳扬州太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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