【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，更具体地涉及一种聚酰亚胺刻蚀后表面大面积光刻胶的去除方法。
技术介绍
1、在微电子器件中聚酰亚胺(polymide，pi)应用很多，可以用作介电层进行层间绝缘，可以作为缓冲层减少应力、提高成品率，可以作为保护层减少环境对器件的影响，也可以作为牺牲层来得到一些特殊的结构。在作为绝缘层与牺牲层进行使用时，需要通过光刻工艺与刻蚀工艺来实现图形转移，但是在经过刻蚀(即干法刻蚀)以后刻蚀区域会产生大量氟化物、碳化物等聚合物，表层光刻胶会发生变性，导致光刻胶变得不易去除。干法去胶工艺可以去除变形的光刻胶，但是也会去除光刻胶覆盖的聚酰亚胺，因此当作为牺牲层使用的聚酰亚胺在去除光刻胶时一定不能使用干法去胶处理，不论时间长短。
2、传统工艺中在聚酰亚胺刻蚀后通常采用湿法去胶工艺，但会存在光刻胶去除不干净的现象，不利于进行后续膜层的生长，残留的光刻胶可能会污染后续镀膜设备的腔体氛围，影响该区域后续工艺的进行，降低成品率，提高成本，影响产品的性能及可靠性，严重时会导致晶圆报废，造成不必要的浪费。
3、一些革新的技术是干法预处理与湿法去胶进行组合，这种方法会导致刻蚀后暴露出来的聚酰亚胺被去除，会使图形线宽变大，影响产品的性能及可靠性。
技术实现思路
1、鉴于
技术介绍
中存在的问题，本公开的目的在于提供一种聚酰亚胺刻蚀后表面大面积光刻胶的去除方法，其能在光刻胶去除后无光刻胶残留，为产品在聚酰亚胺刻蚀后的膜层生长提供良好的条件，保障了产品的性能。
2、本公开
3、由此，一种聚酰亚胺刻蚀后表面大面积光刻胶的去除方法包括步骤：s1，提供聚酰亚胺刻蚀后的半导体晶圆，该半导体晶圆是指在半导体工艺中完成聚酰亚胺干法刻蚀以及之前流程的晶圆片，聚酰亚胺刻蚀后除刻蚀区外的光刻胶的覆盖率在90％以上；s2，将聚酰亚胺刻蚀后的半导体晶圆片进行初次浸泡，初次浸泡的浸泡工艺温度高于室温；s3，初次浸泡完成后，对半导体晶圆片进行初次剥离，初次剥离采用与初次浸泡相同的去胶液，初次剥离的剥离工艺温度高于室温；s4，初次剥离完成后，将半导体晶圆片进行二次浸泡，二次浸泡采用与初次浸泡相同的去胶液，二次浸泡的浸泡工艺温度高于室温；s5，二次浸泡完成后，对半导体晶圆片进行二次剥离，二次剥离采用与初次剥离相同的去胶液，二次剥离的剥离工艺温度高于室温；s6，二次剥离完成后，用室温的去离子水冲洗掉半导体晶圆片的聚酰亚胺表面的去胶液；s7，去离子冲洗完成后，在室温下将半导体晶圆片的聚酰亚胺表面的去离子水甩干。
4、本公开的有益效果如下：本公开的聚酰亚胺刻蚀后表面大面积光刻胶的去除方法的湿法去胶工艺的对象是聚酰亚胺刻蚀后剩余的大面积光刻胶，完成湿法去胶工艺后没有光刻胶残留，为产品在聚酰亚胺刻蚀后的膜层生长提供良好的条件，保障了产品的性能。由于完成湿法去胶后没有光刻胶残留，降低了湿法去胶的返工率，提升了产能。
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1.一种聚酰亚胺刻蚀后表面大面积光刻胶的去除方法，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的聚酰亚胺刻蚀后表面大面积光刻胶的去除方法，其特征在于，
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10.根据权利要求1所述的聚酰亚胺刻蚀后表面大面积光刻胶的去除方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种聚酰亚胺刻蚀后表面大面积光刻胶的去除方法，其特征在于，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的聚酰亚胺刻蚀后表面大面积光刻胶的去除方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的聚酰亚胺刻蚀后表面大面积光刻胶的去除方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的聚酰亚胺刻蚀后表面大面积光刻胶的去除方法，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的聚酰亚胺刻蚀后表面大面积光刻胶的去除方法，其特征在于，
【专利技术属性】
技术研发人员：李明浩，李博峰，李永康，
申请(专利权)人：安徽光智科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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