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一种聚酰亚胺刻蚀后表面大面积光刻胶的去除方法包括步骤：S1，提供聚酰亚胺刻蚀后的半导体晶圆，是指在半导体工艺中完成聚酰亚胺干法刻蚀以及之前流程的晶圆片，聚酰亚胺刻蚀后除刻蚀区外的光刻胶的覆盖率在90％以上；S2，将半导体晶圆片进行初次浸泡，...
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