衬底处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于，在腔室的内部空间内，在以衬底保持部保持着半导体晶圆等衬底的状态下，执行基于加热气体的衬底的加热及衬底的周缘部的处理的衬底处理装置中，一边抑制用来获得加热气体的加热机构的热影响一边高精度地观察衬底的周缘部。在所述发明专利技术的衬底处理装置中，用来将衬底加热的加热机构具有配置在内部空间的气体喷出喷嘴、安装在腔室的外壁的加热器、及将由加热器加热后的惰性气体输送到气体喷出喷嘴的配管。另一方面，观察衬底的周缘部的观察机构包含的光源部及摄像部配置在腔室的内部空间内，且腔室的外壁中离开安装着加热器的安装部位的隔开位置。因此，光源部及摄像部不易受到加热器所产生的热的影响，防止因温度变化的影响引起的观察精度的降低。

【技术实现步骤摘要】

所述专利技术涉及一种在腔室的内部空间对衬底的周缘部供给处理液而处理所述周缘部的衬底处理装置。以下所示的日本申请案的说明书、附图及权利要求范围中的揭示内容以引用的方式将其所有内容并入本文中：日本专利申请案2022-134813(2022年8月26日申请)。

技术介绍

1、作为此种衬底处理装置，例如已知有日本专利特开2017-11015号公报所记载的装置。在所述装置中，通过在以衬底保持部保持衬底的状态下，将由配置在衬底保持部附近的加热器预先加热的惰性气体(氮气)，也就是加热气体供给到衬底，而将衬底加热。然后，对这样加热后的衬底的周缘部供给处理液。由此，有效地进行将附着在所述周缘部的薄膜去除的所谓斜面处理。

技术实现思路

1、[专利技术所要解决的问题]

2、在所述日本专利特开2017-11015号公报所记载的衬底处理装置中，不具有在斜面处理前或斜面处理后观察周缘部的表面状态的观察机构。因此，需在斜面处理前后将衬底搬送到例如国际公开第2003/028089号所记载的半导体晶圆检查装置。这成为生产率降低的要本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种衬底处理装置，特征在于具备：

2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中

3.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中

4.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中

5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的衬底处理装置，其中

6.根据权利要求5所述的衬底处理装置，具备：

7.根据权利要求6所述的衬底处理装置，其中

8.根据权利要求6所述的衬底处理装置，其中

【技术特征摘要】

1.一种衬底处理装置，特征在于具备：

2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中

3.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中

4.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中

5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：根本脩平，正司和大，菱谷大辅，佐藤祐介，西村友详，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：