System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 超临界流体供应装置、衬底处理装置和衬底处理方法制造方法及图纸_技高网

超临界流体供应装置、衬底处理装置和衬底处理方法制造方法及图纸

技术编号:40549281 阅读:7 留言:0更新日期:2024-03-05 19:07
公开了超临界流体供应装置、衬底处理装置和衬底处理方法。该衬底处理装置包括:干燥室,包括被配置为其中设置有衬底的干燥空间;以及超临界流体供应装置,被配置为向干燥室供应超临界流体。该超临界流体供应装置包括:流体供应罐;高温流体罐,被配置为在其中以第一温度存储从流体供应罐供应的流体;以及低温流体罐,被配置为在其中以与第一温度不同的第二温度存储从流体供应罐供应的流体。高温流体罐和低温流体罐在流体供应罐和干燥室之间并联连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术构思涉及超临界流体供应装置、包括该超临界流体供应装置的衬底处理装置、以及使用该衬底处理装置的衬底处理方法,并且更具体地,涉及能够迅速地控制供应到干燥室的超临界流体的温度的超临界流体供应装置、包括该超临界流体供应装置的衬底处理装置、以及使用该衬底处理装置的衬底处理方法。


技术介绍

1、可以通过各种工艺来制造半导体器件。例如,可以通过光刻工艺、蚀刻工艺、沉积工艺和电镀工艺来制造半导体器件。在用于制造半导体器件的光刻工艺期间,可以执行湿法工艺以在晶片上涂覆液体(例如,显影剂)。另外,可以执行/进行干燥工艺以去除/干燥涂覆在晶片上的液体。可以使用各种方法以将液体涂覆在晶片上或从晶片上去除该层。


技术实现思路

1、本专利技术构思的一些实施例提供了一种能够迅速地控制供应的超临界流体的温度的超临界流体供应装置、包括该超临界流体供应装置的衬底处理装置、以及使用衬底处理装置的衬底处理方法。

2、本专利技术构思的一些实施例提供了一种能够允许超临界流体改变其在工艺期间所供应的温度的超临界流体供应装置、包括该超临界流体供应装置的衬底处理装置、以及使用该衬底处理装置的衬底处理方法。

3、本专利技术构思的一些实施例提供了一种能够快速地应对各种方案的超临界流体供应装置、包括该超临界流体供应装置的衬底处理装置、以及使用该衬底处理装置的衬底处理方法。

4、本专利技术构思的目的不限于上述目的,并且本领域技术人员通过以下描述将清楚地理解上文未提及的其他目的。

5、根据本专利技术构思的一些实施例,一种衬底处理装置可以包括:干燥室,包括被配置为其中设置有衬底的干燥空间;以及超临界流体供应装置,被配置为向干燥室供应超临界流体。该超临界流体供应装置可以包括:流体供应罐;高温流体罐,被配置为在其中以第一温度存储从流体供应罐供应的流体;以及低温流体罐,被配置为在其中以与第一温度不同的第二温度存储从流体供应罐供应的流体。高温流体罐和低温流体罐可以在流体供应罐和干燥室之间并联连接。

6、根据本专利技术构思的一些实施例,一种超临界流体供应装置可以包括:流体供应罐;冷凝器,连接到流体供应罐;泵,连接到冷凝器;高温流体罐,连接到泵;低温流体罐,连接到泵;以及混合器,被配置为将来自高温流体罐的流体和来自低温流体罐的流体进行混合。流体供应罐、冷凝器和泵可以彼此串联连接。高温流体罐和低温流体罐可以在泵和混合器之间并联连接。高温流体罐被配置为以第一温度存储从流体供应罐供应的流体。低温流体罐被配置为以第二温度存储从流体供应罐供应的流体。第二温度可以与第一温度不同。

7、根据本专利技术构思的一些实施例,一种衬底处理方法可以包括:对衬底执行湿法工艺;以及对经过湿法工艺处理的衬底执行干燥工艺。对衬底执行干燥工艺的步骤可以包括:将衬底放置在干燥室内;以及从超临界流体供应装置向干燥室供应干燥流体。向干燥室供应干燥流体的步骤可以包括:从高温流体罐供应高温流体;从低温流体罐供应低温流体;以及向干燥室供应干燥流体,该干燥流体是通过将高温流体和低温流体彼此混合来形成的。

8、其他示例实施例的细节包括在说明书和附图中。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种衬底处理装置,包括:

2.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中,所述超临界流体供应装置还包括混合器,所述混合器被配置为将来自所述高温流体罐的流体和来自所述低温流体罐的流体进行混合,

3.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中,所述高温流体罐包括:

4.根据权利要求3所述的衬底处理装置,其中,所述高温流体罐还包括传热板,所述传热板在所述罐壳体中,并连接到所述加热设备。

5.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中,所述超临界流体供应装置还包括:

6.根据权利要求5所述的衬底处理装置,其中,所述高温流体流动控制器包括:

7.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中,所述超临界流体供应装置还包括:

8.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中,所述干燥室包括干燥卡盘,所述干燥卡盘被配置为在所述干燥空间中所述衬底固定在所述干燥卡盘上。

9.根据权利要求1所述的衬底处理装置,还包括:

10.一种超临界流体供应装置,包括:

11.根据权利要求10所述的超临界流体供应装置,还包括:

12.根据权利要求10所述的超临界流体供应装置,其中,所述混合器包括:

13.根据权利要求10所述的超临界流体供应装置,其中,所述高温流体罐包括:

14.一种衬底处理方法,包括:

15.根据权利要求14所述的衬底处理方法,其中,向所述干燥室供应所述干燥流体包括:使用混合器将所述高温流体和所述低温流体彼此混合。

16.根据权利要求15所述的衬底处理方法,其中,对所述衬底执行所述干燥工艺包括:在向所述干燥室中的所述衬底供应所述干燥流体的过程中,改变从所述高温流体罐供应的所述高温流体的流速。

17.根据要求14所述的衬底处理方法,其中,

18.根据权利要求17所述的衬底处理方法,其中,对所述衬底执行所述干燥工艺包括:在向所述干燥室供应所述干燥流体之前,基于设置在所述干燥室中的所述衬底的类型来确定所述第一流速和所述第二流速中的每个流速。

19.根据权利要求14所述的衬底处理方法,其中,

20.根据权利要求19所述的衬底处理方法,其中,

...

【技术特征摘要】

1.一种衬底处理装置,包括:

2.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中,所述超临界流体供应装置还包括混合器,所述混合器被配置为将来自所述高温流体罐的流体和来自所述低温流体罐的流体进行混合,

3.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中,所述高温流体罐包括:

4.根据权利要求3所述的衬底处理装置,其中,所述高温流体罐还包括传热板,所述传热板在所述罐壳体中,并连接到所述加热设备。

5.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中,所述超临界流体供应装置还包括:

6.根据权利要求5所述的衬底处理装置,其中,所述高温流体流动控制器包括:

7.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中,所述超临界流体供应装置还包括:

8.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中,所述干燥室包括干燥卡盘,所述干燥卡盘被配置为在所述干燥空间中所述衬底固定在所述干燥卡盘上。

9.根据权利要求1所述的衬底处理装置,还包括:

10.一种超临界流体供应装置,包括:

11.根据权利要求10所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:朴相真朴智焕李根泽
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:

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