本公开涉及包括存储器单元串的存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种包括存储器单元串的存储器阵列包括导体层面，其包括导体材料。横向隔开的存储器块个别地包括竖直堆叠，其包括在导体层面正上方的交替的绝缘层面及导电层面。存储器单元的沟道材料串延伸穿过绝缘层面及导电层面。沟道材料串中的个别者的沟道材料直接电耦合到导体层面的导体材料。中介材料横向地在存储器块中的横向紧邻者之间且纵向沿着存储器块中横向紧邻者。中介材料包括绝缘性材料。导体层面中的导体材料包括一对侧界面，其个别地在中介材料的相对侧中的一者上从导体层面的顶部向下延伸且个别地纵向沿着横向紧邻的存储器块延伸。
【技术实现步骤摘要】
本文中所公开的实施例涉及包括存储器单元串的存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。
技术介绍
1、存储器是一种类型的集成电路系统且在计算机系统中用于存储数据。存储器可制造成一或多个个别存储器单元阵列。可使用数字线(其也可被称为位线、数据线或感测线)及存取线(其也可被称为字线)对存储器单元进行写入或读取。感测线可沿着所述阵列的列导电地互连存储器单元，且存取线可沿着所述阵列的行导电地互连存储器单元。每一存储器单元可通过感测线与存取线的组合唯一地进行寻址。
2、存储器单元可为易失性、半易失性或非易失性的。非易失性存储器单元可在缺少电力的情况下长时间存储数据。非易失性存储器通常被指定为具有至少约10年的保持时间的存储器。易失性存储器会耗散且因此被刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有几毫秒或更短的保持时间。无论如何，存储器单元经配置以在至少两种不同的可选择状态下保存或存储存储器。在二进制系统中，所述状态被视为“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经配置以存储多于两个电平或状态的信息。
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【技术保护点】
1.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述同时暴露不会在所述下第一层面内的所述第一沟槽的所述侧壁上面形成任何二氧化硅。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述同时暴露在所述下第一层面内的所述第一沟槽的所述侧壁上面形成二氧化硅，且在所述最低第一层面中的所述第一牺牲材料的所述各向同性蚀刻之前，移除在所述下第一层面内的所述第一沟槽的所述侧壁上面的所述二氧化硅。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一沟槽中的个别者具有在所述导体层面的所述导电掺杂多晶硅中且包括所述导电掺杂多晶硅的底部，所述暴露形成遍...
【技术特征摘要】
1.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述同时暴露不会在所述下第一层面内的所述第一沟槽的所述侧壁上面形成任何二氧化硅。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述同时暴露在所述下第一层面内的所述第一沟槽的所述侧壁上面形成二氧化硅，且在所述最低第一层面中的所述第一牺牲材料的所述各向同性蚀刻之前，移除在所述下第一层面内的所述第一沟槽的所述侧壁上面的所述二氧化硅。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一沟槽中的个别者具有在所述导体层面的所述导电掺杂多晶硅中且包括所述导电掺杂多晶硅的底部，所述暴露形成遍布所述第一沟槽的所述底部的二氧化硅。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述各向同性蚀刻包括：使用包括四甲基氢氧化铵的蚀刻流体。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一牺牲材料的所述多晶硅在其中含有总浓度为至少1×1012原子/立方厘米到20原子百分比的氧化抑制剂材料；所述氧化抑制剂材料是n、c、ga、b、o、ge、as、ti、w、co、mo、hf、zr、ta、ru、cr、ir、pt及p中的至少一种氧化抑制剂材料；所述第一牺牲材料的所述多晶硅中的所述氧化抑制剂材料的所述总浓度大于所述导体层面的所述导电掺杂多晶硅中的氧化抑制剂材料(如果有的话)的总浓度。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一牺牲材料的所述多晶硅中的所述氧化抑制剂材料的所述总浓度是至少0.5原子百分比。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一牺牲材料的所述多晶硅中的所述氧化抑制剂材料的所述总浓度是至少1.0原子百分比。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一牺牲材料的所述多晶硅中的所述氧化抑制剂材料的所述总浓度不超过5.0原子百分比。
10.根据权利要求6所述的方法，其中所述导电掺杂多晶硅不含所述氧化抑制剂材料。
11.根据权利要求6所述的方法，其中所述导电掺杂多晶硅包括至少1×1012原子/立方厘米的所述氧化抑制剂材料。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述导电掺杂多晶硅中的导电掺杂剂是p，所述第一牺牲材料中的所述至少一种氧化抑制剂材料不含p。
13.根据权利要求11所述的方法，其中所述至少一种氧化抑制剂材料是p且所述导电掺杂多晶硅中的导电掺杂剂是p。
14.根据权利要求6所述的方法，其中所述至少一种氧化抑制剂材料包括n及/或c。
15.根据权利要求6所述的方法，其中所述至少一种氧化抑制剂材料是至少1×1012原子/立方厘米的唯一一种氧化抑制剂材料且不含所述至少一种氧化抑制剂材料的所有其它氧化抑制剂材料。
16.根据权利要求6所述的方法，其中所述至少一种氧化抑制剂材料是相应浓度为至少1×1012原子/立方厘米的超过一种氧化抑制剂材料。
17.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二牺牲材料及所述第一牺牲材料相对于彼此具有不同成分。
18.根据权利要求1所述的方法，其包括在所述最低第一层面中形成所述导电材料之前移除由所述同时暴露产生的所述二氧化硅的所有...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·D·霍普金斯，D·法兹尔，J·D·格林利，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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