【技术实现步骤摘要】
本文中所公开的实施例涉及包括存储器单元串的存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。
技术介绍
1、存储器是一种类型的集成电路系统且在计算机系统中用于存储数据。存储器可制造成一或多个个别存储器单元阵列。可使用数字线(其也可被称为位线、数据线或感测线)及存取线(其也可被称为字线)对存储器单元进行写入或读取。感测线可沿着所述阵列的列导电地互连存储器单元，且存取线可沿着所述阵列的行导电地互连存储器单元。每一存储器单元可通过感测线与存取线的组合唯一地进行寻址。
2、存储器单元可为易失性、半易失性或非易失性的。非易失性存储器单元可在缺少电力的情况下长时间存储数据。非易失性存储器通常被指定为具有至少约10年的保持时间的存储器。易失性存储器会耗散且因此被刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有几毫秒或更短的保持时间。无论如何，存储器单元经配置以在至少两种不同的可选择状态下保存或存储存储器。在二进制系统中，所述状态被视为“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经配置以存储多于两个电平或状态的信息。
3、场效应晶体管是一种类型的可用于存储器单元中的电子组件。这些晶体管包括在其间具有半导电沟道区的一对导电源极/漏极区。导电栅极与所述沟道区邻近且通过薄栅极绝缘体与所述沟道区分开。施加合适电压到所述栅极允许电流从所述源极/漏极区中的一者流过所述沟道区到另一源极/漏极区。当从所述栅极移除电压时，电流在很大程度上被阻止流过所述沟道区。场效应晶体管还可包含额外结构(例如可逆可编程电荷存储区)作为栅极绝缘
4、快闪存储器是一种类型的存储器且在现代计算机及装置中具有众多用途。例如，现代个人计算机可具有存储在快闪存储器芯片上的bios。作为另一实例，对于计算机及其它装置来说，在固态驱动器中利用快闪存储器来替换常规硬盘驱动器变得越来越普遍。作为又一实例，快闪存储器在无线电子装置中很受欢迎，因为其使制造商能够在新通信协议变得标准化时支持所述新通信协议，且提供远程升级所述装置以增强特征的能力。
5、nand可为集成快闪存储器的基本架构。nand单元部件包括串联地耦合到存储器单元的串联组合(其中所述串联组合通常被称为nand串)的至少一个选择装置。nand架构可经配置成包括竖直堆叠的存储器单元的三维布置，所述竖直堆叠的存储器单元个别地包括可逆可编程竖直晶体管。控制或其它电路系统可形成在竖直堆叠的存储器单元下方。其它易失性或非易失性存储器阵列架构也可包括竖直堆叠的存储器单元，所述竖直堆叠的存储器单元个别地包括晶体管。
6、存储器阵列可布置成存储器页面、存储器块及部分块(例如，子块)以及存储器平面，例如如第2015/0228651、2016/0267984及2017/0140833号美国专利申请公开案中的任一者中所展示及所描述。存储器块可至少部分地界定竖直堆叠的存储器单元的个别字线层面中的个别字线的纵向轮廓。到这些字线的连接可能出现在竖直堆叠的存储器单元的阵列的末端或边缘处的所谓的“阶梯结构”中。阶梯结构包含界定个别字线的接触区的个别“楼梯”(替代地被称为“台阶”或“阶梯”)，竖向延伸的导电通路在所述接触区上接触以提供对字线的电存取。
技术实现思路
1、本公开的方面涉及一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：在衬底上形成包括导电掺杂多晶硅的导体层面；形成堆叠的下部分，所述堆叠将包括在所述导体层面正上方的竖直交替的第一层面及第二层面，所述堆叠包括横向隔开的存储器块区，所述第一层面中的最低者在所述下部分中且包括包含多晶硅的第一牺牲材料；形成穿过所述下部分且到所述导体层面的所述导电掺杂多晶硅中的水平伸长的第一沟槽，所述第一沟槽个别地在所述存储器块区中的横向紧邻者之间；将所述第一牺牲材料的所述多晶硅及所述导体层面的所述导电掺杂多晶硅同时暴露于氧化条件，以在所述导体层面内的所述第一沟槽的侧壁上面形成厚度大于在所述最低第一层面内的所述第一沟槽的侧壁上面形成的二氧化硅(如果有的话)的二氧化硅；在所述二氧化硅上面的所述第一沟槽中形成第二牺牲材料；在所述下部分及所述第二牺牲材料正上方形成所述堆叠的上部分的所述竖直交替的第一层面及第二层面，形成延伸穿过所述第一层面及所述第二层面并到所述第一牺牲材料中的沟道材料串，且使第二水平伸长沟槽穿过所述上部分形成到所述第一沟槽中的所述第二牺牲材料且所述第二水平伸长沟槽在所述横向紧邻的存储器块区之间；穿过所述第一及第二沟槽，选择性地相对于在所述导体层面内的所述第一沟槽的所述侧壁上面的所述二氧化硅各向同性地蚀刻所述第一及第二牺牲材料；及在所述各向同性蚀刻之后，在所述最低第一层面中形成导电材料，所述导电材料将所述沟道材料串中的个别者的沟道材料与所述导体层面的所述导电掺杂多晶硅直接电耦合在一起。
2、本公开的另一实施例涉及一种包括存储器单元串的存储器阵列，其包括：导体层面，其包括导体材料；横向隔开的存储器块，其个别地包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括在所述导体层面正上方的交替的绝缘层面及导电层面，存储器单元的沟道材料串延伸穿过所述绝缘层面及所述导电层面，所述沟道材料串中的个别者的沟道材料直接电耦合到所述导体层面的所述导体材料；中介材料，其横向地在所述存储器块中的横向紧邻者之间且纵向沿着所述存储器块中的横向紧邻者，所述中介材料包括绝缘性材料；及所述导体层面中的所述导体材料，其包括一对侧界面，所述一对侧界面个别地在所述中介材料的相对侧中的一者上从所述导体层面的顶部向下延伸且个别地纵向沿着所述横向紧邻的存储器块延伸，所述侧界面横向地在其相对侧上面具有所述导体材料。
3、本公开的又一实施例涉及一种包括存储器单元串的存储器阵列，其包括：导体层面，其包括导体材料；横向隔开的存储器块，其个别地包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括在所述导体层面正上方的交替的绝缘层面及导电层面，存储器单元的沟道材料串延伸穿过所述绝缘层面及所述导电层面，所述沟道材料串中的个别者的沟道材料直接电耦合到所述导体层面的所述导体材料；中介材料，其横向地在所述存储器块中的横向紧邻者之间且纵向沿着所述存储器块中的横向紧邻者，所述中介材料包括绝缘性材料；及所述导体层面的所述导体材料，其包括界面，所述界面在所述中介材料正下方，延伸跨过并横向超出所述中介材料的两个相对侧，且纵向沿着所述横向紧邻的存储器块延伸；所述界面在其正上方及在其正下方具有所述导体材料。
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1.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述同时暴露不会在所述下第一层面内的所述第一沟槽的所述侧壁上面形成任何二氧化硅。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述同时暴露在所述下第一层面内的所述第一沟槽的所述侧壁上面形成二氧化硅，且在所述最低第一层面中的所述第一牺牲材料的所述各向同性蚀刻之前，移除在所述下第一层面内的所述第一沟槽的所述侧壁上面的所述二氧化硅。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一沟槽中的个别者具有在所述导体层面的所述导电掺杂多晶硅中且包括所述导电掺杂多晶硅的底部，所述暴露形成遍布所述第一沟槽的所述底部的二氧化硅。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述各向同性蚀刻包括：使用包括四甲基氢氧化铵的蚀刻流体。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一牺牲材料的所述多晶硅在其中含有总浓度为至少1×1012原子/立方厘米到20原子百分比的氧化抑制剂材料；所述氧化抑制剂材料是N、C、Ga、B、O、Ge、As、Ti、W、Co、Mo、Hf、Zr、Ta、Ru、C
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一牺牲材料的所述多晶硅中的所述氧化抑制剂材料的所述总浓度是至少0.5原子百分比。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一牺牲材料的所述多晶硅中的所述氧化抑制剂材料的所述总浓度是至少1.0原子百分比。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一牺牲材料的所述多晶硅中的所述氧化抑制剂材料的所述总浓度不超过5.0原子百分比。
10.根据权利要求6所述的方法，其中所述导电掺杂多晶硅不含所述氧化抑制剂材料。
11.根据权利要求6所述的方法，其中所述导电掺杂多晶硅包括至少1×1012原子/立方厘米的所述氧化抑制剂材料。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述导电掺杂多晶硅中的导电掺杂剂是P，所述第一牺牲材料中的所述至少一种氧化抑制剂材料不含P。
13.根据权利要求11所述的方法，其中所述至少一种氧化抑制剂材料是P且所述导电掺杂多晶硅中的导电掺杂剂是P。
14.根据权利要求6所述的方法，其中所述至少一种氧化抑制剂材料包括N及/或C。
15.根据权利要求6所述的方法，其中所述至少一种氧化抑制剂材料是至少1×1012原子/立方厘米的唯一一种氧化抑制剂材料且不含所述至少一种氧化抑制剂材料的所有其它氧化抑制剂材料。
16.根据权利要求6所述的方法，其中所述至少一种氧化抑制剂材料是相应浓度为至少1×1012原子/立方厘米的超过一种氧化抑制剂材料。
17.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二牺牲材料及所述第一牺牲材料相对于彼此具有不同成分。
18.根据权利要求1所述的方法，其包括在所述最低第一层面中形成所述导电材料之前移除由所述同时暴露产生的所述二氧化硅的所有剩余部分。
19.根据权利要求1所述的方法，其包括在所述最低第一层面中形成所述导电材料之后，横向地在所述存储器块区中的横向紧邻者之间且纵向沿着所述存储器块区中的横向紧邻者形成中介材料，所述中介材料包括向下延伸到所述导体层面中的绝缘性材料。
20.根据权利要求1所述的方法，其包括在所述最低第一层面中形成所述导电材料之后，横向地在所述存储器块区中的横向紧邻者之间且纵向沿着所述存储器块区中的横向紧邻者形成中介材料，所述中介材料包括绝缘性材料；且
21.根据权利要求20所述的方法，其中所述侧界面个别地包括具有不大于15埃的横向厚度的二氧化硅。
22.根据权利要求20所述的方法，其中所述侧界面个别地包括彼此直接抵靠的两种相同成分的导体材料。
23.根据权利要求22所述的方法，在所述两种相同成分的导体材料之间不含二氧化硅。
24.根据权利要求20所述的方法，其包括下界面，所述下界面在所述中介材料正下方横向地在所述一对侧界面之间延伸且纵向沿着所述横向紧邻的存储器块区延伸，所述下界面在所述下界面正上方及在所述下界面正下方具有所述导体材料。
25.根据权利要求1所述的方法，其包括在所述最低第一层面中形成所述导电材料之后，横向地在所述存储器块区中的横向紧邻者之间且纵向沿着所述存储器块区中的横向紧邻者形成中介材料，所述中介材料包括绝缘性材料；且
26.一种包括存储器单元...
【技术特征摘要】
1.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述同时暴露不会在所述下第一层面内的所述第一沟槽的所述侧壁上面形成任何二氧化硅。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述同时暴露在所述下第一层面内的所述第一沟槽的所述侧壁上面形成二氧化硅，且在所述最低第一层面中的所述第一牺牲材料的所述各向同性蚀刻之前，移除在所述下第一层面内的所述第一沟槽的所述侧壁上面的所述二氧化硅。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一沟槽中的个别者具有在所述导体层面的所述导电掺杂多晶硅中且包括所述导电掺杂多晶硅的底部，所述暴露形成遍布所述第一沟槽的所述底部的二氧化硅。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述各向同性蚀刻包括：使用包括四甲基氢氧化铵的蚀刻流体。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一牺牲材料的所述多晶硅在其中含有总浓度为至少1×1012原子/立方厘米到20原子百分比的氧化抑制剂材料；所述氧化抑制剂材料是n、c、ga、b、o、ge、as、ti、w、co、mo、hf、zr、ta、ru、cr、ir、pt及p中的至少一种氧化抑制剂材料；所述第一牺牲材料的所述多晶硅中的所述氧化抑制剂材料的所述总浓度大于所述导体层面的所述导电掺杂多晶硅中的氧化抑制剂材料(如果有的话)的总浓度。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一牺牲材料的所述多晶硅中的所述氧化抑制剂材料的所述总浓度是至少0.5原子百分比。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一牺牲材料的所述多晶硅中的所述氧化抑制剂材料的所述总浓度是至少1.0原子百分比。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一牺牲材料的所述多晶硅中的所述氧化抑制剂材料的所述总浓度不超过5.0原子百分比。
10.根据权利要求6所述的方法，其中所述导电掺杂多晶硅不含所述氧化抑制剂材料。
11.根据权利要求6所述的方法，其中所述导电掺杂多晶硅包括至少1×1012原子/立方厘米的所述氧化抑制剂材料。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述导电掺杂多晶硅中的导电掺杂剂是p，所述第一牺牲材料中的所述至少一种氧化抑制剂材料不含p。
13.根据权利要求11所述的方法，其中所述至少一种氧化抑制剂材料是p且所述导电掺杂多晶硅中的导电掺杂剂是p。
14.根据权利要求6所述的方法，其中所述至少一种氧化抑制剂材料包括n及/或c。
15.根据权利要求6所述的方法，其中所述至少一种氧化抑制剂材料是至少1×1012原子/立方厘米的唯一一种氧化抑制剂材料且不含所述至少一种氧化抑制剂材料的所有其它氧化抑制剂材料。
16.根据权利要求6所述的方法，其中所述至少一种氧化抑制剂材料是相应浓度为至少1×1012原子/立方厘米的超过一种氧化抑制剂材料。
17.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二牺牲材料及所述第一牺牲材料相对于彼此具有不同成分。
18.根据权利要求1所述的方法，其包括在所述最低第一层面中形成所述导电材料之前移除由所述同时暴露产生的所述二氧化硅的所有...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·D·霍普金斯，D·法兹尔，J·D·格林利，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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