【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于半导体存储器装置制造方法。
技术介绍
1、集成电路(ic)装置(也称为半导体芯片)可以包含数百万个晶体管和其他电路元件，这些晶体管和其他电路元件制造在单个硅晶体衬底(芯片)上。为了使集成电路装置发挥作用，通常会路由复杂的信号路径网络以连接分布在装置表面上的电路元件。随着电路元件的复杂性和数量的增加，这些信号在设备上的有效路由会变得更加困难。
技术实现思路
1、本专利技术提出一种创新的半导体存储器装置制造方法，解决先前技术的问题。
2、在本专利技术的一些实施例中，一种半导体存储器装置制造方法包含：依次形成下氧化物层、字元线金属层及上氧化物层在存储器单元的至少一部分上方；形成至少一通孔贯穿该上氧化物层、该字元线金属层及该下氧化物层，以暴露该存储器单元的该部分；在该至少一通孔内形成至少一牺牲柱；移除该上氧化物层以暴露该至少一牺牲柱的顶部；依次形成第一氧化物侧墙、氮化物侧墙和第二氧化物侧墙在该至少一牺牲柱的该顶部的侧壁上；去除该氮化物侧墙以形成空隙；以及通过该空隙蚀刻该...
【技术保护点】
1.一种半导体存储器装置制造方法，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的方法，其中该氮化物侧墙设置于该第一氧化物侧墙与该第二氧化物侧墙之间。
3.根据权利要求1所述的方法，其中该第一氧化物侧墙设置在该氮化物侧墙与该至少一牺牲柱的该顶部的侧壁之间。
4.根据权利要求1所述的方法，其中该氮化物侧墙采用原子层沉积工艺形成。
5.根据权利要求1所述的方法，其中该字元线金属层包括钨。
6.根据权利要求1所述的方法，其中该至少一牺牲柱包括多晶硅。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，还包含：
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