【技术实现步骤摘要】
本文中所公开的实施例涉及包括存储器单元串的存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。
技术介绍
1、存储器是一种类型的集成电路系统且在计算机系统中用于存储数据。存储器可制造成一或多个个别存储器单元阵列。可使用数字线(其也可被称为位线、数据线或感测线)及存取线(其也可被称为字线)对存储器单元进行写入或读取。感测线可沿着所述阵列的列导电地互连存储器单元，且存取线可沿着所述阵列的行导电地互连存储器单元。每一存储器单元可通过感测线与存取线的组合唯一地进行寻址。
2、存储器单元可为易失性、半易失性或非易失性的。非易失性存储器单元可在缺少电力的情况下长时间存储数据。非易失性存储器通常被指定为具有至少约10年的保持时间的存储器。易失性存储器会耗散且因此被刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有几毫秒或更短的保持时间。无论如何，存储器单元经配置以在至少两种不同的可选择状态下保存或存储存储器。在二进制系统中，所述状态被视为“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经配置以存储多于两个电平或状态的信息。
3、场效应晶体管是一种类型的可用于存储器单元中的电子组件。这些晶体管包括在其间具有半导电沟道区的一对导电源极/漏极区。导电栅极与所述沟道区邻近且通过薄栅极绝缘体与所述沟道区分开。合适电压到所述栅极的施加允许电流从所述源极/漏极区中的一者流过所述沟道区到另一源极/漏极区。当从所述栅极移除电压时，电流在很大程度上被阻止流过所述沟道区。场效应晶体管还可包含额外结构(例如可逆可编程电荷存储区)作为栅极绝
4、快闪存储器是一种类型的存储器且在现代计算机及装置中具有众多用途。例如，现代个人计算机可具有存储在快闪存储器芯片上的bios。作为另一实例，对于计算机及其它装置来说，在固态驱动器中利用快闪存储器来替换常规硬盘驱动器变得越来越普遍。作为又一实例，快闪存储器在无线电子装置中很受欢迎，因为其使制造商能够在新通信协议变得标准化时支持所述新通信协议，且提供远程升级所述装置以增强特征的能力。
5、nand可为集成快闪存储器的基本架构。nand单元单位包括串联地耦合到存储器单元的串联组合(其中所述串联组合通常被称为nand串)的至少一个选择装置。nand架构可经配置成包括竖直堆叠的存储器单元的三维布置，所述竖直堆叠的存储器单元个别地包括可逆可编程竖直晶体管。控制电路系统或其它电路系统可形成在竖直堆叠的存储器单元下方。其它易失性或非易失性存储器阵列架构也可包括竖直堆叠的存储器单元，所述竖直堆叠的存储器单元个别地包括晶体管。
6、存储器阵列可布置成存储器页面、存储器块及部分块(例如，子块)以及存储器平面，例如如第2015/0228651、2016/0267984及2017/0140833号美国专利申请公开案中的任一者中所展示及描述。存储器块可至少部分地界定竖直堆叠的存储器单元的个别字线层面中的个别字线的纵向轮廓。到这些字线的连接可能出现在竖直堆叠的存储器单元的阵列的末端或边缘处的所谓的“阶梯结构”中。阶梯结构包含界定个别字线的接触区的个别“楼梯”(替代地被称为“台阶”或“阶梯”)，竖向延伸的导电通路在所述接触区上接触以提供对所述字线的电接入。
技术实现思路
1、本公开的实施例提供一种包括存储器单元串的存储器阵列，其包括：竖直堆叠，其包括导体层面上方的交替的绝缘层面及导电层面，存储器单元串包括延伸穿过所述绝缘层面及所述导电层面的沟道材料串，所述导体层面包括直接在下导体材料上方且直接抵靠所述下导体材料的上导体材料，所述下导体材料具有与所述上导体材料的成分不同的成分，所述沟道材料串直接电耦合到所述导体层面的所述上及下导体材料；及穿阵列通路(tav)区，其包括tav；所述tav个别地包括所述上导体材料、所述下导体材料及直接在所述导体层面下方的传导材料；所述下导体材料直接抵靠所述上导体材料且直接抵靠所述传导材料，所述下导体材料包括直接在非富金属难熔金属氮化物上方且直接抵靠所述非富金属难熔金属氮化物的富金属难熔金属氮化物，所述非富金属难熔金属氮化物直接抵靠所述传导材料。
2、本公开的另一实施例提供一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：在穿阵列通路(tav)区中形成tav的下部的传导材料；形成在存储器阵列区及所述tav区两者中的导体层面，所述导体层面包括直接在所述tav的所述下部的所述传导材料上方且直接抵靠所述tav的所述下部的所述传导材料的下导体材料，所述下导体材料包括直接在非富金属难熔金属氮化物上方且直接抵靠所述非富金属难熔金属氮化物的富金属难熔金属氮化物，所述非富金属难熔金属氮化物直接抵靠所述传导材料，所述导体层面包括直接在所述下导体材料上方且直接抵靠所述下导体材料的上导体材料，所述tav的所述下部个别地包括所述上导体材料、所述下导体材料及所述传导材料；在所述存储器阵列区及所述tav区中直接在所述导体层面上方形成包括交替的不同成分的第一层面及第二层面的竖直堆叠；形成穿过所述存储器阵列区中的所述竖直堆叠且直接电耦合到所述导体层面的所述上及下导体材料的沟道材料串；及形成穿过所述tav区中的所述竖直堆叠且个别地直接电耦合到所述tav的所述下部中的个别者的所述tav的上部。
3、本公开的又一实施例提供一种包括存储器单元串的存储器阵列，其包括：竖直堆叠，其包括导体层面上方的交替的绝缘层面及导电层面，存储器单元串包括延伸穿过所述绝缘层面及所述导电层面的沟道材料串，所述导体层面包括直接在下导体材料上方且直接抵靠所述下导体材料的上导体材料，所述下导体材料具有与所述上导体材料的成分不同的成分，所述沟道材料串直接电耦合到所述导体层面的所述上及下导体材料；及穿阵列通路(tav)区，其包括tav；所述tav个别地包括所述上导体材料、所述下导体材料及直接在所述导体层面下方的传导材料；所述下导体材料直接抵靠所述上导体材料且直接抵靠所述传导材料，所述下导体材料包括直接在第二元素形态金属上方且直接抵靠所述第二元素形态金属的第一元素形态金属，所述第二元素形态金属直接抵靠所述传导材料，所述第一与第二元素形态金属相对于彼此不同。
4、本公开的再一实施例提供一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：在穿阵列通路(tav)区中形成tav的下部的传导材料；形成在存储器阵列区及所述tav区两者中的导体层面，所述导体层面包括直接在所述tav的所述下部的所述传导材料上方且直接抵靠所述tav的所述下部的所述传导材料的下导体材料，所述下导体材料包括直接在第二元素形态金属上方且直接抵靠所述第二元素形态金属的第一元素形态金属，所述第二元素形态金属直接抵靠所述传导材料，所述第一与第二元素形态金属相对于彼此不同，所述导体层面包括直接在所述下导体材料上方且直接抵靠所述下导体材料的上导体材料，所述tav的所述下部个别地包括所述上导体材料、所述下导体材料及所述传导材料；在所述存储器阵列区及所述tav区中直接在所述导体层面上方形成包括交替本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种包括存储器单元串的存储器阵列，其包括：
2.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述富金属难熔金属氮化物包括Ti。
3.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述上导体材料包括直接在所述富金属难熔金属氮化物上方且直接抵靠所述富金属难熔金属氮化物的金属硅化物。
4.根据权利要求3所述的存储器阵列，其中所述上导体材料包括直接在所述金属硅化物上方且直接抵靠所述金属硅化物的导电掺杂半导电材料。
5.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述上导体材料包括导电掺杂半导电材料及金属硅化物。
6.根据权利要求5所述的存储器阵列，其中所述导电掺杂半导电材料包括多晶硅。
7.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述非富金属难熔金属氮化物包括直接在所述富金属难熔金属氮化物下方且直接抵靠所述富金属难熔金属氮化物的化学计量难熔金属氮化物。
8.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述非富金属难熔金属氮化物包括Ti。
9.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述富金属难熔金属氮化物及所述非富金属难熔金属氮化
10.根据权利要求1所述的存储器阵列，其进一步包括直接在所述导体层面下方的绝缘体层面，其中所述TAV延伸穿过所述绝缘体层面到所述导体层面。
11.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述富金属难熔金属氮化物包括Ti。
13.根据权利要求11所述的方法，其中所述上导体材料包括直接在所述富金属难熔金属氮化物上方且直接抵靠所述富金属难熔金属氮化物的金属硅化物。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述上导体材料包括直接在所述金属硅化物上方且直接抵靠所述金属硅化物的导电掺杂半导电材料。
15.根据权利要求11所述的方法，其中所述上导体材料包括导电掺杂半导电材料及金属硅化物。
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述导电掺杂半导电材料包括多晶硅。
17.根据权利要求11所述的方法，其中所述非富金属难熔金属氮化物包括直接在所述富金属难熔金属氮化物下方且直接抵靠所述富金属难熔金属氮化物的化学计量难熔金属氮化物。
18.根据权利要求11所述的方法，其中所述非富金属难熔金属氮化物包括Ti。
19.根据权利要求11所述的方法，其中所述富金属难熔金属氮化物及所述非富金属难熔金属氮化物两者包括Ti。
20.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括直接在所述导体层面下方形成绝缘体层面，其中所述TAV延伸穿过所述绝缘体层面到所述导体层面。
21.一种包括存储器单元串的存储器阵列，其包括：
22.根据权利要求21所述的存储器阵列，其中所述第二元素形态金属是在元素周期表中比所述第一元素形态金属更低编号的IUPAC族内。
23.根据权利要求21所述的存储器阵列，其中所述第一或第二元素形态金属中的一或两者是难熔金属。
24.根据权利要求23所述的存储器阵列，其中所述第一及第二元素形态金属两者是难熔金属。
25.根据权利要求23所述的存储器阵列，其中所述第一或第二元素形态金属中的仅一者是难熔金属。
26.根据权利要求21所述的存储器阵列，其中所述第一及第二元素形态金属中没有一者是难熔金属。
27.根据权利要求21所述的存储器阵列，其中所述上导体材料包括直接在所述第一元素形态金属上方且直接抵靠所述第一元素形态金属的金属硅化物。
28.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：
29.根据权利要求28所述的方法，其中所述第二元素形态金属是在元素周期表中比所述第一元素形态金属更低编号的IUPAC族内。
30.根据权利要求28所述的方法，其中所述第一或第二元素形态金属中的一或两者是难熔金属。
31.根据权利要求30所述的方法，其中所述第一及第二元素形态金属两者是难熔金属。
32.根据权利要求30所述的方法，其中所述第一或第二元素形态金属中的仅一者是难熔金属。
33.根据权利要求28所述的方法，其中所述第一及第二元素形态金属中没有一者是难熔金属。
34.根据权利要求28所述的方法，其中所述上导体材料包括直接在所述第一元素形态金属上方且直接抵靠所述第一元素形态金属的金属硅化物。
...【技术特征摘要】
1.一种包括存储器单元串的存储器阵列，其包括：
2.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述富金属难熔金属氮化物包括ti。
3.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述上导体材料包括直接在所述富金属难熔金属氮化物上方且直接抵靠所述富金属难熔金属氮化物的金属硅化物。
4.根据权利要求3所述的存储器阵列，其中所述上导体材料包括直接在所述金属硅化物上方且直接抵靠所述金属硅化物的导电掺杂半导电材料。
5.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述上导体材料包括导电掺杂半导电材料及金属硅化物。
6.根据权利要求5所述的存储器阵列，其中所述导电掺杂半导电材料包括多晶硅。
7.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述非富金属难熔金属氮化物包括直接在所述富金属难熔金属氮化物下方且直接抵靠所述富金属难熔金属氮化物的化学计量难熔金属氮化物。
8.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述非富金属难熔金属氮化物包括ti。
9.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述富金属难熔金属氮化物及所述非富金属难熔金属氮化物两者包括ti。
10.根据权利要求1所述的存储器阵列，其进一步包括直接在所述导体层面下方的绝缘体层面，其中所述tav延伸穿过所述绝缘体层面到所述导体层面。
11.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述富金属难熔金属氮化物包括ti。
13.根据权利要求11所述的方法，其中所述上导体材料包括直接在所述富金属难熔金属氮化物上方且直接抵靠所述富金属难熔金属氮化物的金属硅化物。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述上导体材料包括直接在所述金属硅化物上方且直接抵靠所述金属硅化物的导电掺杂半导电材料。
15.根据权利要求11所述的方法，其中所述上导体材料包括导电掺杂半导电材料及金属硅化物。
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述导电掺杂半导电材料包括多晶硅。
17.根据权利要求11所述的方法，其中所述非富金属难熔金属氮化物包括直接在所述富金属难熔金属氮化物下方且直接抵靠所...
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