【技术实现步骤摘要】
专利技术构思涉及一种半导体装置，更具体地，涉及一种包括垂直沟道晶体管的半导体装置。
技术介绍
1、动态随机存取存储器(dram)装置的尺寸也正在根据半导体装置的缩小而减小。在具有一个电容器连接到一个晶体管的一晶体管-一电容器(1t-1c)结构的dram装置中，存在随着装置小型化通过沟道区域的泄漏电流逐渐增大的问题。为了减小泄漏电流，已经提出了使用氧化物半导体材料作为沟道层的晶体管。
技术实现思路
1、专利技术构思提供了一种能够具有减小的泄露电流和优异的电特性的半导体装置。
2、根据专利技术构思的一个方面，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：多条位线，布置在基底上，并且沿第一水平方向延伸；模制绝缘层，布置在所述多条位线上，并且包括各自沿第二水平方向延伸的多个开口；多个沟道层，在模制绝缘层的每个开口中各自布置在所述多条位线上并且包括第一竖直延伸部分；多个钝化层，各自布置在每个第一竖直延伸部分上；栅极绝缘层，布置成面向每个第一竖直延伸部分且使每个钝化层位于栅极绝缘层与第一竖直延伸部分之间；以及多条字线，在栅极绝缘层上沿第二水平方向延伸，并且包括各自布置在模制绝缘层的每个开口的第一侧壁上的第一字线和各自布置在模制绝缘层的每个开口的第二侧壁上的第二字线。
3、根据专利技术构思的另一方面，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：多条位线，布置在基底上，并且沿第一水平方向延伸；模制绝缘层，布置在所述多条位线上，并且包括各自沿第二水平方向延伸的多个开口；多个沟道层，
4、根据专利技术构思的另一方面，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：外围电路，布置在基底上；多条位线，布置在外围电路上，并且沿第一水平方向延伸；屏蔽结构，在所述多条位线之间沿第一水平方向延伸；模制绝缘层，布置在所述多条位线和屏蔽结构上，并且包括各自沿第二水平方向延伸的多个开口；多个沟道层，在模制绝缘层的每个开口中各自布置在所述多条位线上并且包括竖直延伸部分和水平延伸部分；多个钝化层，各自布置在每个竖直延伸部分和每个水平延伸部分上，并且包括氧化物；栅极绝缘层，布置成面向每个竖直延伸部分和每个水平延伸部分且使每个钝化层位于栅极绝缘层与竖直延伸部分和水平延伸部分之间；多条字线，在栅极绝缘层上沿第二水平方向延伸；接合垫，形成在每个沟道层上；以及电容器结构，布置在接合垫上。
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1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个钝化层中的每个钝化层包括氧化铪、氧化硅、氧化铝、氧化锆、氧化镧、氧化镁、氧化硼、氧化钛、氮化铝、氮氧化铝、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，栅极绝缘层包括高k介电材料和铁电材料中的至少一种，并且
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，对于所述多个沟道层中的每个沟道层：
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，每个第一竖直延伸部分布置在模制绝缘层的每个开口的第一侧壁上，
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，对于所述多个沟道层中的每个沟道层：
7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，栅极绝缘层包括：
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，每个钝化层和每个第一竖直延伸部分不设置在栅极绝缘层的第二部分与模制绝缘层之间。
9.根据权利要求7所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，对于所述多个
11.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
12.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中：
14.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，对于所述多个沟道层中的每个沟道层：
15.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，栅极绝缘层包括：
16.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，每个钝化层和每个竖直延伸部分不设置在栅极绝缘层的第二部分与模制绝缘层之间。
17.根据权利要求15所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
18.根据权利要求17所述的半导体装置，其中，对于所述多个钝化层中的每个钝化层：
19.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
20.根据权利要求19所述的半导体装置，其中，栅极绝缘层包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个钝化层中的每个钝化层包括氧化铪、氧化硅、氧化铝、氧化锆、氧化镧、氧化镁、氧化硼、氧化钛、氮化铝、氮氧化铝、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，栅极绝缘层包括高k介电材料和铁电材料中的至少一种，并且
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，对于所述多个沟道层中的每个沟道层：
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，每个第一竖直延伸部分布置在模制绝缘层的每个开口的第一侧壁上，
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，对于所述多个沟道层中的每个沟道层：
7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，栅极绝缘层包括：
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，每个钝化层和每个第一竖直延伸部分不设置在栅极绝缘层的第二部分与模制绝缘层之间。
9.根据权利要求7所述的半导体装置，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：李昇姬，金俞琳，金台原，卓容奭，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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