【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于微纳加工，具体涉及一种基于干法刻蚀的硅基板高深宽比的图形结构生成方法。
技术介绍
1、随着微纳加工技术的不断发展和进步，纳米压印技术突破了传统光刻在特征尺寸减小过程中的难题，具有分辨率高、低成本、高产率的特点。广泛应用于半导体制造、mems、pss、生物芯片等各个有涉及微纳加工之领域。
2、目前半导体硅基微纳结构的产品应用多元化，硅基板微结构尺寸制备的需求变化也越来越多，现通过诸多光学干涉方式进行制备，但由于光刻胶的一些光学特性，在图形设计结构cd(最小结构线宽)一定时，掩膜深宽比基本无法大于2。为保证图形保真度，模板尺寸深宽比一般设计较低，常在1至2之间。
3、当最终产品需求深宽比大于5时，引入干法刻蚀工艺方法弥补掩膜尺寸的深宽比，但是生成的图形结构的形貌轮廓存在失真现象，影响后续工艺的有效开展。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本专利技术提出了一种基于干法刻蚀的硅基板高深宽比的图形结构生成方法。
2、为了达到上述目的，本专利技术
【技术保护点】
1.基于干法刻蚀的硅基板高深宽比的图形结构生成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的图形结构生成方法，其特征在于，所述步骤S1具体为：利用纳米压印的方法在硅基板上形成图形掩膜。
3.根据权利要求2所述的图形结构生成方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括：
4.根据权利要求1-3任一项所述的图形结构生成方法，其特征在于，所述步骤S2利用O2、SF6气体对硅基进行腐蚀反应。
5.根据权利要求4所述的图形结构生成方法，其特征在于，所述步骤S3利用CF4、Ar、SF6气体对硅基进行腐蚀反应。
6.根据权利...
【技术特征摘要】
1.基于干法刻蚀的硅基板高深宽比的图形结构生成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的图形结构生成方法，其特征在于，所述步骤s1具体为：利用纳米压印的方法在硅基板上形成图形掩膜。
3.根据权利要求2所述的图形结构生成方法，其特征在于，所述步骤s1具体包括：
4.根据权利要求1-3任一项所述的图形结构生成方法，其特征在于，所述步骤s2利用o2、sf6气体对硅基进行腐蚀反应。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：周思瑶，李其凡，袁国华，史晓华，
申请(专利权)人：苏州光舵微纳科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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