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本发明公开一种基于干法刻蚀的硅基板高深宽比的图形结构生成方法，包括：在硅基板上形成图形掩膜；利用氧氟类气体体系高选择比硅基刻蚀方法对步骤S1得到的硅基板进行掩膜刻蚀，得到高深宽比的图形结构；利用氟碳类气体体系低选择比硅基刻蚀方法对步骤S2得...
该专利属于苏州光舵微纳科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州光舵微纳科技股份有限公司授权不得商用。

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