一种传感器的硅硅键合真空封装工艺制造技术

本发明专利技术涉及传感器的封装技术领域，具体公开一种传感器的硅硅键合真空封装工艺。本发明专利技术的工艺通过在真空条件下对导气槽进行填充密封，解决了硅硅熔融键合无法实现高真空密封的问题。进一步地，本发明专利技术采用在所述密封孔中置入焊锡材质的球体，然后加热使所述焊锡材质的球体的表层熔化，并与所述Ti/Au复合层浸润结合的方式解决了密封可靠性差的问题，提升了传感器的耐压强度。本发明专利技术的工艺无需使用吸气剂，解决了吸气剂高温失活和清洗活化工艺兼容性差的问题；避免了传统采用吸气剂真空封装方法在高低温冲击后的裂纹、金属颗粒污染等问题，提升了器件的长期可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及传感器的封装，尤其涉及一种传感器的硅硅键合真空封装工艺。

技术介绍

1、本专利技术
技术介绍
中公开的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不必然被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已经成为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

2、真空封装是谐振式压力传感器的关键技术，目前主要的真空封装技术包括阳极键合、共晶键合以及热压键合等，但这些工艺中玻璃、金属等异质材料引入的热应力对器件的性能有较大影响。而硅硅直接键合采用同质材料，是实现传感器低应力封装最有效的途径。然而，硅硅熔融键合温度达到1000℃以上，并且酸洗等活化工艺使得金属基吸气剂无法兼容硅硅键合过程，因此限制了硅硅键合在传感器真空封装中的应用。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是解决硅硅键合高温退火工艺与吸气剂工艺不兼容的问题，为此，本专利技术提出一种无须吸气剂的传感器的硅硅键合真空封装工艺。具体地，本专利技术提供如下所述的技术方案。

2、一种传感器的硅硅键合真空封装工艺，包括如下步骤：p>

3、（1）本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种传感器的硅硅键合真空封装工艺，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的传感器的硅硅键合真空封装工艺，其特征在于，步骤（1）中，步骤（1）中，所述热氧氧化处理的方法为在1000~1100℃条件下对硅片依次进行干氧氧化、湿氧氧化和干氧氧化，生长一层致密的氧化硅层；可选地，所述氧化硅层的厚度为0.5um~1um。

3.根据权利要求1所述的传感器的硅硅键合真空封装工艺，其特征在于，步骤（3）中，所述导气槽的深度为1~2um；可选地，通过深硅刻蚀工艺形成所述导气槽；

4.根据权利要求1所述的传感器的硅硅键合真空封装工艺，其特征在于，步骤（6）...

【技术特征摘要】

1.一种传感器的硅硅键合真空封装工艺，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的传感器的硅硅键合真空封装工艺，其特征在于，步骤（1）中，步骤（1）中，所述热氧氧化处理的方法为在1000~1100℃条件下对硅片依次进行干氧氧化、湿氧氧化和干氧氧化，生长一层致密的氧化硅层；可选地，所述氧化硅层的厚度为0.5um~1um。

3.根据权利要求1所述的传感器的硅硅键合真空封装工艺，其特征在于，步骤（3）中，所述导气槽的深度为1~2um；可选地，通过深硅刻蚀工艺形成所述导气槽；

4.根据权利要求1所述的传感器的硅硅键合真空封装工艺，其特征在于，步骤（6）中，所述密封孔的孔径为300um~500um。

5.根据权利要求4所述的传感器的硅硅键合真空封装工艺，其特征在于，所述密封孔为锥形孔，且其上端口直径大于下端口；所述焊锡材质的球体的直径位于锥形孔的上端口直径和下端口之间。

6.根据权利要求1所述的传感器的硅硅键合真空封装工艺，其特征在于，步骤（7）中，所述真空条件为5×10-7mba...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢波，王军波，商艳龙，
申请(专利权)人：山东中科思尔科技有限公司，
类型：发明
国别省市：