半导体装置以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

技术编号：40509882 阅读：11 留言：0更新日期：2024-03-01 13:25

半导体装置具备两个导电部件、与上述两个导电部件的任一个接合的半导体元件、以及与上述两个导电部件接合的中继端子。上述中继端子具有与上述两个导电部件接合的第一带状部及第二带状部、以及连结上述第一带状部和上述第二带状部的连结部。上述第一带状部具有第一边。上述连结部具有第一中间边、以及连结上述第一边和上述第一中间边的第一连结边。在厚度方向上观察时，上述第一连结边位于远离第一假想交点的位置，该第一假想交点是与上述第一边重叠的第一假想线和与上述第一中间边重叠的第二假想线的交点。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及具备彼此相邻的两个导电部件、以及通过超声波振动而与两个导电部件接合的中继端子的半导体装置及其制造方法。

技术介绍

1、专利文献1中公开了具备多个端子的半导体装置的一例。多个端子通过超声波振动而与形成有电路的基板接合。由此，基板与多个端子相互导通。与焊锡接合比较，利用了超声波振动的接合适合于向接合对象物流动更大的电流。

2、但是，在利用了超声波振动的接合对象物为平板状的导电部件的情况下，导电部件的弯曲刚性比较小。由此，由于通过超声波振动对导电部件作用比较大的重复应力，因此在导电部件上产生伴随重复应力的应力集中。因此，有时在导电部件上产生龟裂。若在导电部件上产生龟裂，则导电部件的电阻增加，因此向半导体装置供给的电力的损失增加。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2013－235882号公报

技术实现思路

1、专利技术所要解决的课题

2、本公开鉴于上述事情，其一个课题是提供一种半导体装置及其制造方法，在装置的制造时，能够抑制在与两个导电部件接合的中继端子上产生的龟裂。

3、用于解决课题的方案

4、由本公开的第一方案提供的半导体装置具备：两个导电部件，其在与厚度方向正交的第一方向上彼此相邻；半导体元件，其与上述两个导电部件的任一个接合；以及中继端子，其与上述两个导电部件接合，上述中继端子具有与上述两个导电部件接合的第一带状部及第二带状部、以及连结上述第一带状部和上述第二带状部

5、由本公开的第二方案提供的半导体装置的制造方法具备以下工序：通过超声波振动将中继端子接合于在与厚度方向正交的第一方向上彼此相邻的两个导电部件的工序；以及将半导体元件接合于上述两个导电部件的任一个的工序，上述中继端子具有在上述第一方向上延伸并且在与上述厚度方向以及上述第一方向正交的第二方向上彼此相邻的第一带状部及第二带状部、以及在上述第二方向上位于上述第一带状部与上述第二带状部之间而且连结上述第一带状部和上述第二带状部的连结部，在接合上述中继端子的工序中，包括通过在上述厚度方向上观察时在与上述两个导电部件重叠的上述第一带状部及上述第二带状部的区域中依次推压毛细管而在上述第一带状部及上述第二带状部形成多个第一接合痕的工序、以及通过以与上述多个第一接合痕中最初形成的第一接合痕重叠的方式推压上述毛细管而在上述第一带状部及上述第二带状部的任一个形成第二接合痕的工序，在形成上述第二接合痕的工序中，上述毛细管跨越上述第一接合痕的周缘而被推压。

6、专利技术效果

7、根据本公开的半导体装置及其制造方法，在装置的制造的时，能够抑制在与两个导电部件接合的中继端子上产生的龟裂。

8、本公开的其它特征以及优点通过基于附图在以下进行的详细的说明将更加清楚。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求1至5任一项中所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求1至8任一项中所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

12.根据权利要求10或11所述的半导体装置，其特征在于，

13.根据权利要求1至12任一项中所述的半导体装置，其特征在于，

14.根据权利要求1至13任一项中所述的半导体装置，其特征在于，

15.根据权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，