【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于研磨垫，涉及一种研磨垫及其制备方法。
技术介绍
1、目前，由于半导体行业的技术发展，晶片表面的平坦化方法愈发引人关注。晶片表面的处理采用化学机械研磨进行处理。在化学机械研磨过程中，晶圆被保持环真空吸附，在一定压力下，以面朝下的方式，与研磨垫/抛光垫表面紧密接触。晶圆研磨后表面平整度是保持环施加的压力与研磨垫的基本物性、表面沟槽形态及分布多者耦合作用的结果。而其中研磨垫的硬度性能是决定晶圆综合品质性能的关键因素之一。高硬度研磨垫会引起晶圆表面划伤、缺陷等一系列问题，从而影响成品良率。
2、研磨垫主要是由上层垫、热熔粘合层、缓冲垫和压感粘合层这四部分构成。上层垫在晶圆研磨过程中与晶圆直接接触，主要起研磨作用；热熔粘合层主要起粘接上层垫和缓冲垫的作用；缓冲垫起到缓冲来自保持环向下的压力；压感粘合层起到将整个研磨垫与机台固定贴合的作用。目前，行业内普遍通过改进上层垫的合成方法，改善研磨垫整体的抛光效果。
3、cn114536212a公开了一种微孔热塑性聚氨酯抛光垫及其半连续制备方法，包括如下步骤：(1)将高硬度热塑性聚氨酯和助剂熔融挤出、压延、收卷；(2)对卷材进行高压流体浸渍、低温锁气、低温储存、升温发泡、收卷，得到发泡卷材；(3)将发泡卷材去皮、冲切，得到上层垫；(4)将上层垫磨平、开槽、贴合背胶或贴合缓冲层和背胶，得到微孔热塑性聚氨酯抛光垫；所述高硬度热塑性聚氨酯的硬度为55～85hd；所述上层垫的硬度为25～80hd，厚度为1.3～2.0mm，密度为0.1～1.0g/cm3，泡孔尺寸为1～2
4、综上所述，研发一种成本低、工艺简便和低硬度的研磨垫制备方法，避免因研磨垫引起晶圆表面划伤、产生缺陷的问题，从而提高晶圆表面平整度，提升成品良率。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种研磨垫及其制备方法，所制得的研磨垫硬度低，同时提高了研磨垫的表面平整度，解决了晶圆在化学抛光过程中，因研磨垫硬度高引起晶圆表面划伤、产生缺陷的问题，从而提高晶圆表面平整度，提升成品良率。
2、为达到此专利技术目的，本专利技术采用以下技术方案：
3、本专利技术提供了一种研磨垫的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
4、(1)将顶层和第一粘合层进行第一贴合，得到初料；
5、(2)将步骤(1)所述的初料与缓冲层进行第二贴合，得到中间料；
6、所述缓冲层的硬度为28-32sha，例如可以是28.5sha、29sha、29.5sha、30sha、30.5sha、31sha或31.5sha等，但不仅限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
7、(3)将步骤(2)所述的中间料与和第二粘合层进行第三贴合，得到研磨垫。
8、本专利技术中，将初料与缓冲层进行第二贴合时，初料的第一粘合层和缓冲层相结合。将中间料与第二粘合层进行第三贴合时，中间料的缓冲层和第二粘合层相结合。
9、本专利技术提供的制备方法，通过使用低硬度的缓冲层以及层层热压贴合的方式，有效调节了研磨垫的硬度与表面平整度。所述制备方法制得的研磨垫解决了现有技术研磨过程中晶圆表面划伤、产生缺陷等问题，提高晶圆表面平整度，提升了成品良率。
10、作为本专利技术优选的技术方案，步骤(1)所述顶层(上层垫)的材质为聚氨酯。
11、值得说明的是，所述顶层、第一粘合层、缓冲层和第二粘合层在贴合前，均进行表面预处理，以保证研磨垫成品的粗糙度等性能达标。
12、本专利技术中，所述顶层在进行第一贴合前还包括：采用自动化切割机将顶层表面切出规则窗口。
13、优选地，步骤(1)所述顶层的厚度为2-3mm，例如可以是2.1mm、2.2mm、2.3mm、2.4mm、2.5mm、2.6mm、2.7mm、2.8mm或2.9mm等，但不仅限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
14、优选地，步骤(1)所述顶层的硬度为60-70sha，例如可以是61sha、62sha、63sha、64sha、65sha、66sha、67sha、68sha或69sha等，但不仅限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
15、优选地，步骤(1)所述第一粘合层为热敏双面胶。
16、本专利技术中，所述热敏双面胶为橡胶系热敏双面胶。且本专利技术对热敏双面胶使用材料不做具体限定，本领域技术人员可根据实际情况进行选择。
17、优选地，步骤(1)所述第一粘合层的厚度为50-100μm，例如可以是55μm、60μm、65μm、70μm、75μm、80μm、85μm、90μm或95μm等，但不仅限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
18、作为本专利技术优选的技术方案，步骤(1)所述第一贴合的温度为85-145℃，例如可以是90℃、95℃、100℃、105℃、110℃、105℃、120℃、125℃、130℃或140℃等，但不仅限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
19、优选地，步骤(1)所述第一贴合的压力为2-5bar，例如可以是2.2bar、2.5bar、2.7bar、3bar、3.2bar、3.5bar、3.7bar、4bar、4.2bar、4.5bar、4.7bar或4.9bar等，但不仅限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
20、作为本专利技术优选的技术方案，步骤(2)所述缓冲层(缓冲垫)的材质为多孔聚氨酯。
21、优选地，所述多孔聚氨酯的孔径为50-100μm，例如可以是55μm、60μm、65μm、70μm、75μm、80μm、85μm、90μm或95μm等，但不仅限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
22、优选地，步骤(2)所述缓冲层的厚度为0.5-1.1mm，例如可以是0.55mm、0.6mm、0.65mm、0.7mm、0.75mm、0.8mm、0.85mm、0.9mm、1mm或1.05mm等，但不仅限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
23、作为本专利技术优选的技术方案，步骤(2)所述第二贴合的温度为85-145℃，例如可以是90℃、95℃、100℃、105℃、110℃、105℃、120℃、125℃、130℃或140℃等，但不仅限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
24、优选地，步骤(2)所述第二贴合的压力为2-5bar，例如可以是2.2bar、2.5bar、2.7bar、3bar、3.2bar、3.5bar、3.7bar、4bar、4.2bar、4.5bar、4.7bar或4.9bar等，但不仅限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
【技术保护点】
1.一种研磨垫的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述顶层的材质为聚氨酯；
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述第一贴合的温度为85-145℃；
4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述缓冲层的材质为多孔聚氨酯；
5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述第二贴合的温度为85-145℃；
6.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述第二粘合层为压敏双面胶；
7.根据权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述第三贴合的温度为85-145℃；
8.根据权利要求1-7任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)得到研磨垫后还包括依次进行的切割定型和加工沟槽。
9.根据权利要求1-8任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
10.一种研磨垫，其特征在于，所述研磨
...【技术特征摘要】
1.一种研磨垫的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述顶层的材质为聚氨酯；
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述第一贴合的温度为85-145℃；
4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述缓冲层的材质为多孔聚氨酯；
5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述第二贴合的温度为85-145℃；
6.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：惠宏业，姚力军，叶杰克，高正阳，左威，赵梓聿，
申请(专利权)人：宁波润平电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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