【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体工艺领域，尤其涉及一种晶圆表面沾污的检测方法。
技术介绍
1、半导体硅片制造总是避不开硅片表面质量的分析和测试，例如：表面几何参数，表面粗糙度，表面颗粒，表面纳米形貌，表面金属污染，表面离子污染，表面有机污染等。
2、目前针对硅片表面有机污染的测试方法相对其他表面测试的表征方式来说相对较少，比较主流的是gc-ms，但这种测试机台的测试成本较高。
3、基于以上情况，如何提出一种简单快速对硅片表面有机物污染的检测方法，是现有技术需要解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种简单快速的晶圆表面沾污的检测方法。
2、为了解决上述问题，本专利技术提供了一种晶圆表面沾污的检测方法，，包括如下步骤：将测试液滴于所述晶圆一设定位置，所述测试液是能够与晶圆表面材料发生化学反应的液体：观测所述测试液是否能够在一设定的时间阈值范围内布满晶圆，来判断晶圆表面是否存在沾污。
3、可选的，所述晶圆为硅晶圆，所述测试液为hf。
4、可选的，所述设定位置为晶圆的中心。观测所述测试液是否能够在一设定的时间阈值范围内布满晶圆的步骤中，同时旋转所述晶圆。
5、可选的，所述设定位置为晶圆的边缘。所述设定位置距离晶圆的外沿距离小于1cm。观测所述测试液是否能够在一设定的时间阈值范围内布满晶圆的步骤中，同时向液体扩散方向倾斜所述晶圆。
6、本专利技术通过观察化学药剂与晶圆表面发生反应的状态来判
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1.一种晶圆表面沾污的检测方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶圆为硅晶圆，所述测试液为HF。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设定位置为晶圆的中心。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，观测所述测试液是否能够在一设定的时间阈值范围内布满晶圆的步骤中，同时旋转所述晶圆。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设定位置为晶圆的边缘。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述设定位置距离晶圆的外沿距离小于1cm。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，观测所述测试液是否能够在一设定的时间阈值范围内布满晶圆的步骤中，同时向液体扩散方向倾斜所述晶圆。
【技术特征摘要】
1.一种晶圆表面沾污的检测方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶圆为硅晶圆，所述测试液为hf。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设定位置为晶圆的中心。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，观测所述测试液是否能够在一设定的时间阈值范围内布满晶圆的步骤中，...
【专利技术属性】
技术研发人员：张晨膑，叶斐，刘红兵，黎敬，何中余，陈猛，
申请(专利权)人：上海超硅半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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