【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体工艺，主要是涉及一种改善外延硅片表面平坦度及翘曲度的方法。
技术介绍
1、外延是半导体工艺当中的一种，在bipolar工艺中，硅片最底层是衬底硅；然后在衬底上生长一层单晶硅，这层单晶硅称为外延层；再后来在外延层上注入基区、发射区等等，最后基本形成纵向npn管结构：外延层在其中是集电区，外延上面有基区和发射区，外延片就是在衬底上做好外延层的硅片，有些厂只做外延之后的工艺生产，所以他们买别人做好外延工艺的外延片来接着做后续工艺。
2、硅外延片通过采用化学气相沉积方法，在抛光硅片上再生长一层外延单晶硅薄膜，实现对硅晶片表面质量以及导电性能的改善调控，硅外延片表面平坦度是半导体器件性能的重要影响参数，平坦度越好，器件良率与性能越高，因而平坦度改善是硅外延片研究的一项重要内容。
3、目前控制外延硅片表面参数主要是通过控制衬底材料的表面参数或者筛选使用符合要求的衬底材料来实现的，这种做法存在一定的缺点，首先是筛选降低了材料的利用率，增加了衬底材料的使用成本；同时还会对背面有多晶硅背封的衬底材料，衬底的表面...
【技术保护点】
1.一种外延片的生长方法，其特征在于，本方法包含如下过程：步骤1：对所选硅片进行外延生长，具体流程为：① 置硅片与外延反应腔室内；② 逐步升温至反应腔内温度至900℃，持续时间10-15min，③ 以10℃/min的升温速率升温至1120-1150℃，进行外延层生长，外延层生长时间8-12分钟；步骤2：对经外延生长的硅片进行退火，在800-900℃的温度下退火20-30分钟，再经10-15分钟将持续降温，将反映腔室温度降低至＜200℃，完成退火过程。
2.根据权利要求1所述的外延片的生长方法，其特征在于，所选硅片的标准为硅片翘曲度小于硅片厚度的0.7-1.
...
【技术特征摘要】
1.一种外延片的生长方法，其特征在于，本方法包含如下过程：步骤1：对所选硅片进行外延生长，具体流程为：① 置硅片与外延反应腔室内；② 逐步升温至反应腔内温度至900℃，持续时间10-15min，③ 以10℃/min的升温速率升温至1120-1150℃，进行外延层生长，外延层生长时间8-12分钟；步骤2：对经外延生长的硅片进行退火，在800-900℃的温度下退火20-30分钟，再经10-15分钟将持续降温，将反映腔室温度降低至＜200℃，完成退火过程。
2.根据权利要求1所述的外延片的生长方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：王锡铭，张俊宝，陈猛，
申请(专利权)人：上海超硅半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。